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公开(公告)号：CN102102223A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010295710.3
申请日：2010-09-27
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 大岛佑一
CPC classification number: C30B29/403 , B82Y20/00 , C30B25/04 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S5/0042 , H01S5/0202 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种IIIA族氮化物半导体衬底及其制造方法，其直径为25mm以上且厚度为250μm以上，其中，在从所述的IIIA族氮化物半导体衬底的外缘开始5mm以内的外缘部的至少一个外缘侧部分中，所述的IIIA族氮化物半导体衬底的主面内的应力为拉伸应力，而且与相对于所述的IIIA族氮化物半导体衬底外缘侧部分的中心侧部分的应力相比，所述的拉伸应力相对变大。
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公开(公告)号：CN101645424A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910129736.8
申请日：2009-03-26
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 大岛佑一
IPC: H01L23/00 , H01L23/544
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/02021 , H01L21/02395 , H01L21/02543 , H01L21/02573 , H01L21/02658 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供一种外延生长用衬底，其可以将通过镊子等造成的衬底操作位置限制在衬底周边部的极有限的一部分、从而能够大大抑制伴随衬底操作而污染等的区域。所述衬底为外延生长用的衬底(1)，在与进行外延生长的衬底(1)的表面(1a)相反的背面(1b)侧局部性地存在倒角部(3)。将衬底(1)的直径设定为x(mm)时，在衬底(1)的背面(1b)侧实施的倒角部(3)的长度L为2mm～0.15x(mm)是适宜的。并且，将衬底(1)以表面(1a)朝上的方式放置在平坦面P上时，衬底(1)和平坦面P之间形成的间隙的高度h1、进深d1为0.2mm以上是适宜的。
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公开(公告)号：CN102212883A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010518494.4
申请日：2010-10-20
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01L21/02024 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L33/0075
Abstract: 本发明提供氮化物半导体衬底、其制造方法以及使用其的氮化物半导体装置。通过研究具有与内部区域相比特别优秀品质的最外表面(表层区域)的氮化物半导体衬底以及表面加工方法，提供释放最外表面(表层区域)的应变、可在最外表面上设置高品质层的氮化物半导体衬底。该衬底具有由作为生长面的表面和其反对侧的背面构成的两个主面，利用从相对于所述表面倾斜的特定非对称面的衍射，通过X射线摆动曲线测定得到距所述表面规定深度的区域的对应的半值宽度，由此所得的距所述表面深度为0～250nm的表层区域的半值宽度比距所述表面深度超过5μm的内部区域的半值宽度窄。
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公开(公告)号：CN101060102B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200710135923.8
申请日：2007-03-12
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 大岛佑一
Abstract: 本发明提供了即使使用具有三元以上混晶组成的氮化物系半导体也可以维持外延特性的面内均一性、确保器件的高成品率和高可靠性的氮化物系半导体衬底及其制造方法，以及使用该氮化物系半导体衬底的氮化物系半导体发光器件用外延衬底。在直径25mm以上的异种衬底上，外延生长厚度2mm以下的具有三元以上混晶组成的氮化物系半导体晶体，然后除去异种衬底，得到厚度方向的热阻值为0.02～0.5Kcm2/W以下的氮化物系半导体衬底。在该氮化物系半导体衬底上外延生长由氮化物系半导体构成的发光层，成为氮化物系半导体发光器件用外延衬底。
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公开(公告)号：CN101250752B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200710196096.3
申请日：2007-12-03
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 大岛佑一
IPC: C30B29/38 , C30B25/18 , H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/20 , H01L33/0075
Abstract: 本发明提供高品质的Ⅲ族氮化物半导体衬底。本发明的Ⅲ族氮化物半导体衬底由Ⅲ族氮化物单晶构成，具有25.4mm以上直径和150μm以上厚度的衬底的外形尺寸的根据温度变化算出的线膨胀系数为α，所述衬底的晶格常数的根据温度变化算出的线膨胀系数为αL，将它们之间的差α-αL设为Δα，则Δα/α的值在0.1以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101752240A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910149875.7
申请日：2009-07-02
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 大岛佑一
IPC: H01L21/304 , H01L23/00 , B28D5/00 , C30B29/38
CPC classification number: C30B29/403 , C30B33/06 , H01L29/045 , H01L29/2003
Abstract: 本发明提供一种IIIA族氮化物半导体衬底的制造方法，其可以在短时间内制造高精度、高纯度的IIIA族氮化物半导体衬底，以及用该方法制造的氮化物半导体衬底。本发明涉及的IIIA族氮化物半导体衬底的制造方法，包括：准备具有一个晶面和比该晶面硬度小的其它晶面的IIIA族氮化物半导体单晶的大块晶体的大块晶体准备工序，和从准备好的大块晶体的其它晶面侧朝向该一个晶面侧切断大块晶体的切断工序。
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公开(公告)号：CN100448042C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200610080167.9
申请日：2006-05-10
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 大岛佑一
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , H01L21/0242 , H01L21/02491 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647
Abstract: 本发明提供一种光吸收系数小、具有高透明度，同时可以确保充分的导电性的氮化物系半导体衬底及其制造方法。在蓝宝石衬底(11)上形成GaN膜(12)和Ti膜(13)后，在氢气和氨气的混合气氛中加热，转变成多孔TiN薄膜(14)后，在多孔TiN薄膜(14)上形成刻面成长GaN15，成长GaN结晶而形成GaN厚膜(17)，使在形成c面以外的刻面的同时进行成长的成长初期阶段的氮化物系半导体层的厚度为最终形成的氮化物系半导体层的整体厚度的30%或30%以下，通过空隙(16)从蓝宝石衬底(11)上剥离，从而得到GaN自立衬底。
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公开(公告)号：CN100428409C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200610108309.8
申请日：2006-08-01
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 大岛佑一
IPC: H01L21/08 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC classification number: H01L33/007 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02664
Abstract: 本发明提供在确保充分的导电性的同时，具有高的导热率和高的电子迁移率的氮化物系半导体衬底以及半导体装置。氮化物系半导体衬底是由具有直径大于等于25mm且厚度大于等于250μm的尺寸的氮化物系半导体构成的衬底，其特征为，n型载流子浓度为1.2×1018cm-3～3×1019cm-3，并且导热率为1.2W/cmK～3.5W/cmK。另外，在该氮化物系半导体衬底上，外延生长氮化物系半导体来制成半导体装置。
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公开(公告)号：CN101752240B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN200910149875.7
申请日：2009-07-02
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 大岛佑一
IPC: H01L21/304 , H01L23/00 , B28D5/00 , C30B29/38
CPC classification number: C30B29/403 , C30B33/06 , H01L29/045 , H01L29/2003
Abstract: 本发明提供一种IIIA族氮化物半导体衬底的制造方法，其可以在短时间内制造高精度、高纯度的IIIA族氮化物半导体衬底，以及用该方法制造的氮化物半导体衬底。本发明涉及的IIIA族氮化物半导体衬底的制造方法，包括：准备具有一个晶面和比该晶面硬度小的其它晶面的IIIA族氮化物半导体单晶的大块晶体的大块晶体准备工序，和从准备好的大块晶体的其它晶面侧朝向该一个晶面侧切断大块晶体的切断工序。
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公开(公告)号：CN101404248B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810100724.8
申请日：2008-05-20
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C30B29/40 , C30B25/02 , C30B25/16
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02647
Abstract: 本发明提供一种能够提高元件的成品率的GaN自支撑衬底及GaN自支撑衬底的制造方法。本发明涉及的GaN单晶具备衬底表面和包含在衬底表面上的极性反转区，极性反转区在衬底表面上的个数密度为20cm-2以下。
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