公开(公告)号：CN101853816A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200910179450.0

申请日：2009-10-13

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 吉田丈洋

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/02 ,  C30B29/38 ,  B32B9/04

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B31/22 ,  C30B33/02 ,  C30B33/06

Abstract: 本发明提供一种能够抑制贴合界面的空隙等发生的IIIA族氮化物半导体复合基板、IIIA族氮化物半导体基板和IIIA族氮化物半导体复合基板的制造方法。本发明涉及的IIIA族氮化物半导体复合基板包括由具有导电性且熔点为1100℃以上的导电性材料形成的基材(10)、设置在基材(10)上的IIIA族氮化物层(20)和设置在IIIA族氮化物层(20)上的IIIA族氮化物单晶膜(30)，IIIA族氮化物层(20)在IIIA族氮化物层(20)的与IIIA族氮化物单晶膜(30)相接的面上，具有由凹凸形成的波纹，该波纹的0.1(/μm)以上但小于1(/μm)的空间波长区域内的一元功率谱密度为小于500nm3。

公开(公告)号：CN100456506C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200610100281.3

申请日：2006-07-06

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 吉田丈洋

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  C30B29/38 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明提供确保基板加热时的面内匀热性及基板操作容易的III族氮化物半导体基板。在作为III族氮化物半导体基板的GaN基板(1)的外周形成OF部(2)。GaN基板(1)的III族极化面(4)外周侧的倒角部(6)为GaN基板(1)的圆弧部，在OF部(2)没有倒角。GaN基板(1)氮极化面(5)侧外周的倒角部(7)，形成于GaN基板(1)的包括OF部(2)的整个外周，倒角部(7)的倒角角度θ2为大于30°且小于等于60°。通过将氮极化面(5)侧倒角部(7)的倒角角度θ2扩大成上述范围，容易地用镊子等抓起GaN基板(1)，且扩大外延生长时与基座接触的氮极化面(5)面积，从而基板加热时面内匀热性良好。

公开(公告)号：CN100447951C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200710096319.9

申请日：2007-04-10

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 吉田丈洋

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明提供了在形成了发光器件结构时可以减小发光波长、发光输出、元件寿命的偏差、提高发光器件成品率的氮化物半导体自支撑衬底和使用该衬底的氮化物半导体发光元件。形成的氮化物半导体自支撑衬底的晶格常数的偏差为±12ppm以下，使用该氮化物半导体自支撑衬底形成氮化物半导体发光元件。

公开(公告)号：CN101090096A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710096319.9

申请日：2007-04-10

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 吉田丈洋

IPC: H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明提供了在形成了发光器件结构时可以减小发光波长、发光输出、元件寿命的偏差、提高发光器件成品率的氮化物半导体自支撑衬底和使用该衬底的氮化物半导体发光元件。形成的氮化物半导体自支撑衬底的晶格常数的偏差为±12ppm以下，使用该氮化物半导体自支撑衬底形成氮化物半导体发光元件。

公开(公告)号：CN1964088A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610100281.3

申请日：2006-07-06

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 吉田丈洋

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  C30B29/38 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明提供确保基板加热时的面内匀热性及基板操作容易的III族氮化物半导体基板。在作为III族氮化物半导体基板的GaN基板(1)的外周形成OF部(2)。GaN基板(1)的III族极化面(4)外周侧的倒角部(6)为GaN基板(1)的圆弧部，在OF部(2)没有倒角。GaN基板(1)氮极化面(5)侧外周的倒角部(7)，形成于GaN基板(1)的包括OF部(2)的整个外周，倒角部(7)的倒角角度θ2为大于30°且小于等于60°。通过将氮极化面(5)侧倒角部(7)的倒角角度θ2扩大成上述范围，容易地用镊子等抓起GaN基板(1)，且扩大外延生长时与基座接触的氮极化面(5)面积，从而基板加热时面内匀热性良好。

公开(公告)号：CN102212883A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010518494.4

申请日：2010-10-20

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 大岛佑一 ,  吉田丈洋

IPC: C30B29/38 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明提供氮化物半导体衬底、其制造方法以及使用其的氮化物半导体装置。通过研究具有与内部区域相比特别优秀品质的最外表面(表层区域)的氮化物半导体衬底以及表面加工方法，提供释放最外表面(表层区域)的应变、可在最外表面上设置高品质层的氮化物半导体衬底。该衬底具有由作为生长面的表面和其反对侧的背面构成的两个主面，利用从相对于所述表面倾斜的特定非对称面的衍射，通过X射线摆动曲线测定得到距所述表面规定深度的区域的对应的半值宽度，由此所得的距所述表面深度为0～250nm的表层区域的半值宽度比距所述表面深度超过5μm的内部区域的半值宽度窄。

公开(公告)号：CN102134742A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010293721.8

申请日：2010-09-26

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 吉田丈洋

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B25/18

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  Y10T83/0448

Abstract: 提供一种具有足够的导电率并且能够在短时间内生长的IIIA族氮化物晶体，用IIIA族卤化物气体和NH3气通过气相沉积以大于450μm/小时且2mm/小时以下的生长速率在基板上生长IIIA族氮化物晶体，其中用GeCl4作为掺杂源将Ge掺杂到IIIA族氮化物晶体中，使IIIA族氮化物晶体的电阻率为1×10-3Ω·cm以上且1×10-2Ω·cm以下。