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公开(公告)号：CN101373806B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810128123.8
申请日：2008-07-03
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 藤仓序章
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0206 , H01S5/0422 , H01S5/32341 , H01S2304/04 , Y02E10/544
Abstract: 本发明提供一种闪锌矿型氮化物半导体自支撑衬底，其中，闪锌矿型结构的氮化物半导体相对于纤维锌矿结构的氮化物半导体的比例高到能够形成实用的发光装置的比例，同时，还提供该闪锌矿型氮化物半导体自支撑衬底的制造方法和使用该闪锌矿型氮化物半导体自支撑衬底的发光装置。本发明所涉及的闪锌矿型氮化物半导体自支撑衬底具有表面及表面的相对侧的背面，表面和背面之间的距离为200μm以上，在表面上，闪锌矿结构的氮化物半导体所占的面积的比率为95％以上。
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公开(公告)号：CN1877874A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200510124341.0
申请日：2005-11-28
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/382
Abstract: 本发明的目的在于提供使以下两种方法相协调的方法，这两种方法就是：使LED结构表面粗糙而提高取光效率的方法、与避免低成本的电极焊接点的不良影响的方法((1)形成基于金属或金属氧化物的透明导电膜的电流分散层，(2)形成倒装片结构)。在衬底上作为半导体层叠结构至少具有n型半导体层、由30层或30层以下的量子阱层形成的活性层、p型半导体层的发光二极管中，在半导体层叠结构的表面上形成平坦部分与多个孔。此时，做成：多个孔的表面占有率大于等于10％、小于等于85％，孔开口部的直径大于等于100nm、小于等于4000nm，孔的深度比活性层与平坦部分之间的距离还浅，多个孔的密度大于等于8×105个/cm2、小于等于1.08×1010个/cm2。
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公开(公告)号：CN101949058B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201010226869.X
申请日：2010-07-08
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: C30B25/18 , C30B29/38 , H01L33/32 , H01L21/335
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/183 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L33/0075
Abstract: 本发明为III族氮化物半导体自立基板及其制造方法、III族氮化物半导体装置及其制造方法。所述III族氮化物半导体自立基板的制造方法可不实施球面研磨等，再现性良好地使自立基板表面的单一结晶面的面积增大。本发明的III族氮化物半导体自立基板为，基板表面是刚长成的，所述基板表面的一半以上区域包含具有由III族极性的C面向m轴方向或a轴方向、或者由M面向c轴方向或a轴方向倾斜的偏离角的单一结晶面。
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公开(公告)号：CN103367137A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310055404.6
申请日：2013-02-21
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 藤仓序章
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02389 , C30B29/406 , C30B33/10
Abstract: 本发明提供氮化镓基板的制造方法，该方法即便在机械加工时在氮化镓晶体上施加应力也能够防止发生裂缝或破裂，并提高制造成品率。氮化镓基板的制造方法对氮化镓晶体实施机械加工来制造氮化镓基板，在机械加工之前对氮化镓晶体实施湿蚀刻。
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公开(公告)号：CN102956446A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210290813.X
申请日：2012-08-15
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L33/02 , H01L29/06 , C23C16/448
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/08 , C30B25/14 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02581 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/36
Abstract: 本发明提供抑制了不希望的杂质的混入的金属氯化物气体发生装置、氢化物气相生长装置、和氮化物半导体模板。作为金属氯化物气体发生装置的HVPE装置具有：筒状的反应炉，其在上游侧具有收容Ga（金属）的槽（收容部），在下游侧具有配置生长用的基板的生长部；透光性的气体导入管，其按照从具有气体导入口的上游侧端部起经由槽到达生长部的方式配置，从上游侧端部导入气体，供给至槽，并将气体与槽内的Ga反应而生成的金属氯化物气体供给至生长部；隔热板，其配置在反应炉内，对气体导入管的上游侧端部侧和生长部侧进行热阻断，气体导入管具有在上游侧端部与隔热板之间弯曲的构造。
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公开(公告)号：CN103311096A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310057414.3
申请日：2013-02-22
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种生长的重现性高、能抑制氮化物半导体层的结晶性劣化且缩短制造时间的氮化物半导体的制造方法。该氮化物半导体的制造方法具备如下工序：在生长装置内安装由蓝宝石或碳化硅构成的衬底基板的准备工序、在所述生长装置内安装有所述衬底基板的状态下清洗所述生长装置内部的清洗工序、以及在所述清洗工序之后连续地在所述衬底基板上依次生长缓冲层和氮化物半导体层的生长工序，在900℃以上1200℃以下的温度范围内实施所述清洗工序，在900℃以上的温度范围内实施所述生长工序中的所述缓冲层的生长。
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公开(公告)号：CN101949058A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010226869.X
申请日：2010-07-08
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: C30B25/18 , C30B29/38 , H01L33/32 , H01L21/335
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/183 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L33/0075
Abstract: 本发明为III族氮化物半导体自立基板及其制造方法、III族氮化物半导体装置及其制造方法。所述III族氮化物半导体自立基板的制造方法可不实施球面研磨等，再现性良好地使自立基板表面的单一结晶面的面积增大。本发明的III族氮化物半导体自立基板为，基板表面是刚长成的，所述基板表面的一半以上区域包含具有由III族极性的C面向m轴方向或a轴方向、或者由M面向c轴方向或a轴方向倾斜的偏离角的单一结晶面。
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公开(公告)号：CN100472831C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200710107404.0
申请日：2007-05-10
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 藤仓序章
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了可以在不损害发光元件原有功能的前提下，流过20A/cm2密度的电流所必需的电压不到3V，可以在比以往更低的电压下工作的氮化物半导体发光元件。多重量子阱(15)中所含有的InbGa1-bN阻挡层的In组成比b为0.04≤b≤0.1，并且，包括该InbGa1-bN阻挡层，发光元件中含有的In组成比为0.04～0.1范围的InGaN层的厚度的合计为60nm以下。
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公开(公告)号：CN101071841A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710107404.0
申请日：2007-05-10
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 藤仓序章
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了可以在不损害发光元件原有功能的前提下，流过20A/cm2密度的电流所必需的电压不到3V，可以在比以往更低的电压下工作的氮化物半导体发光元件。多重量子阱(15)中所含有的InbGa1－bN阻挡层的In组成比b为0.04≤b≤0.1，并且，包括该InbGa1－bN阻挡层，发光元件中含有的In组成比为0.04～0.1范围的InGaN层的厚度的合计为60nm以下。
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公开(公告)号：CN103320763A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310077764.6
申请日：2013-03-12
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/448 , H01L33/00
CPC classification number: C30B25/14 , C30B25/02 , C30B25/16 , C30B29/403
Abstract: 本发明提供抑制了不想要的杂质向氮化物半导体模板中混入的金属氯化物气体产生装置、氢化物气相沉积装置及氮化物半导体模板。HVPE装置具备：上游侧的原料部具有将Ga溶液容纳的Ga罐和将Al粒料容纳的A1罐、下游侧具有配置生长用的蓝宝石基板的生长部的反应炉，将反应炉内加热的原料部加热器、生长部加热器，具有气体导入口的上游侧端部，按照从上游侧端部经由作为金属的容纳部的罐到达生长部的方式配置、从上游侧端部导入氯化物气体供给于罐、将氯化物气体与容纳部内的金属进行反应而生成出的金属氯化物气体供给于生长部的气体导入管，气体导入管具有：抑制将源自生长部加热器或生长部的辐射热进行导波的光波导现象的不透明部。
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