公开(公告)号：CN102956446A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210290813.X

申请日：2012-08-15

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 今野泰一郎 ,  藤仓序章 ,  松田三智子

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/02 ,  H01L29/06 ,  C23C16/448

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B25/08 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02581 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明提供抑制了不希望的杂质的混入的金属氯化物气体发生装置、氢化物气相生长装置、和氮化物半导体模板。作为金属氯化物气体发生装置的HVPE装置具有：筒状的反应炉，其在上游侧具有收容Ga（金属）的槽（收容部），在下游侧具有配置生长用的基板的生长部；透光性的气体导入管，其按照从具有气体导入口的上游侧端部起经由槽到达生长部的方式配置，从上游侧端部导入气体，供给至槽，并将气体与槽内的Ga反应而生成的金属氯化物气体供给至生长部；隔热板，其配置在反应炉内，对气体导入管的上游侧端部侧和生长部侧进行热阻断，气体导入管具有在上游侧端部与隔热板之间弯曲的构造。

公开(公告)号：CN103050597A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210390922.9

申请日：2012-10-15

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 藤仓序章 ,  松田三智子 ,  今野泰一郎

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02

Abstract: 本发明提供一种能够生长低位错密度的氮化物半导体的氮化物半导体生长用基板及其制造方法、以及使用氮化物半导体生长用基板所制作的氮化物半导体外延基板和氮化物半导体元件。一种氮化物半导体生长用基板，其在蓝宝石基板的作为C面的主面上，以格子状配置而形成有具有相对于所述主面以小于90°倾斜的侧面的锥状或锥台状的凸部，并且所述凸部距离所述主面的高度为0.5μm以上3μm以下，邻接的所述凸部间的距离为1μm以上6μm以下，所述凸部的所述侧面的表面粗糙度RMS为10nm以下。

公开(公告)号：CN103311096A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310057414.3

申请日：2013-02-22

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 藤仓序章 ,  今野泰一郎 ,  松田三智子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种生长的重现性高、能抑制氮化物半导体层的结晶性劣化且缩短制造时间的氮化物半导体的制造方法。该氮化物半导体的制造方法具备如下工序：在生长装置内安装由蓝宝石或碳化硅构成的衬底基板的准备工序、在所述生长装置内安装有所述衬底基板的状态下清洗所述生长装置内部的清洗工序、以及在所述清洗工序之后连续地在所述衬底基板上依次生长缓冲层和氮化物半导体层的生长工序，在900℃以上1200℃以下的温度范围内实施所述清洗工序，在900℃以上的温度范围内实施所述生长工序中的所述缓冲层的生长。

公开(公告)号：CN103305917A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310054997.4

申请日：2013-02-20

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 松田三智子 ,  藤仓序章 ,  今野泰一郎

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/18 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种能廉价且高效率地制造与使用有机金属气相生长法的情况同等以上的高品质的氮化镓模板基板的氮化镓模板基板的制造方法和氮化镓模板基板。氮化镓模板基板（10）的制造方法是在作为衬底基板（11）的蓝宝石基板上，通过氢化物气相生长法至少依次生长包含氮化铝（AlN）的成核层（12）和包含氮化镓（GaN）的缓冲层（13），且在生长成核层（12）时使V族原料与III族原料的摩尔比（V/III比）为0.5以上3以下。