公开(公告)号：CN100428510C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200510124341.0

申请日：2005-11-28

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 藤仓序章 ,  中山智

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/382

Abstract: 本发明的目的在于提供使以下两种方法相协调的方法，这两种方法就是：使LED结构表面粗糙而提高取光效率的方法、与避免低成本的电极焊接点的不良影响的方法((1)形成基于金属或金属氧化物的透明导电膜的电流分散层，(2)形成倒装片结构)。在衬底上作为半导体层叠结构至少具有n型半导体层、由30层或30层以下的量子阱层形成的活性层、p型半导体层的发光二极管中，在半导体层叠结构的表面上形成平坦部分与多个孔。此时，做成：多个孔的表面占有率大于等于10%、小于等于85%，孔开口部的直径大于等于100nm、小于等于4000nm，孔的深度比活性层与平坦部分之间的距离还浅，多个孔的密度大于等于8×105个/cm2、小于等于1.08×1010个/cm2。

公开(公告)号：CN1877874A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200510124341.0

申请日：2005-11-28

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 藤仓序章 ,  中山智

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/382

Abstract: 本发明的目的在于提供使以下两种方法相协调的方法，这两种方法就是：使LED结构表面粗糙而提高取光效率的方法、与避免低成本的电极焊接点的不良影响的方法((1)形成基于金属或金属氧化物的透明导电膜的电流分散层，(2)形成倒装片结构)。在衬底上作为半导体层叠结构至少具有n型半导体层、由30层或30层以下的量子阱层形成的活性层、p型半导体层的发光二极管中，在半导体层叠结构的表面上形成平坦部分与多个孔。此时，做成：多个孔的表面占有率大于等于10％、小于等于85％，孔开口部的直径大于等于100nm、小于等于4000nm，孔的深度比活性层与平坦部分之间的距离还浅，多个孔的密度大于等于8×105个/cm2、小于等于1.08×1010个/cm2。