公开(公告)号：CN102157678A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110023507.5

申请日：2011-01-17

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  末永和史 ,  野本明 ,  渡边和俊

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H03H9/02031

Abstract: 本发明提供一种压电薄膜元件以及压电薄膜设备，就所述压电薄膜元件而言，漏电流少且因驱动而导致的压电常数的恶化少。一种压电薄膜元件，其为在基板(1)上具有下部电极(2)、以组成式(K1-xNax)NbO3表示的碱铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜(3)以及上部电极(4)的压电薄膜元件，就所述压电薄膜元件而言，由(K1-xNax)NbO3表示的所述压电薄膜(3)的组成比x为0.4≤x≤0.7的范围，由X射线衍射测定的(001)面的摇摆曲线的半值宽度为0.5°以上2.5°以下的范围。

公开(公告)号：CN103325937A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310076574.2

申请日：2013-03-11

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 渡边和俊 ,  柴田宪治 ,  末永和史 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/27 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L41/18 ,  G01B11/0625 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供压电体膜的膜厚值可靠性高的带压电体膜的基板、压电体膜元件及其制造方法。所述带压电体膜的基板顺次层叠有在主面上形成的下电极和在下电极上形成的钙钛矿结构的压电体膜；压电体膜的厚度为0.3μm以上10μm以下；在表示反射率和波长关系的反射光谱，即压电体膜的中心部和外周部的各至少1点的反射光谱中，极大值和极小值分别具有至少1个，并且极大值中至少1个的反射率为0.4以上，所述反射率由对压电体膜的表面照射的波长400nm～800nm范围的照射光在压电体膜的表面反射的光与照射光透过压电体膜在下电极的表面反射的光通过干涉而得的反射光算出。

公开(公告)号：CN102804436A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201180013990.7

申请日：2011-03-24

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  末永和史 ,  渡边和俊 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/18 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/22 ,  H01L41/24

CPC classification number: C23C14/025 ,  C23C14/088 ,  C23C14/35 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供压电薄膜器件，其具有基板(1)和设置于所述基板(1)上的用组成式(K1-xNax)yNbO3表示的碱性铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜(3)，所述压电薄膜(3)的碳浓度为2×1019/cm3以下，或者所述压电薄膜(3)的氢浓度为4×1019/cm3以下。

公开(公告)号：CN102754232A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180009228.1

申请日：2011-02-15

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  野本明

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供能够实现压电特性的提高、并具有高性能、且能够实现制造成品率的提高的压电薄膜元件及压电薄膜设备。压电薄膜元件（1）具备基板（10）和压电薄膜（40），所述压电薄膜（40）设在基板（10）上，具有用通式（NaxKyLiz）NbO3（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z=1）表示、选自近似立方晶、正方晶、及斜方晶中的至少一种晶体结构，含有以质量比计为80ppm以下的非活性气体元素。

公开(公告)号：CN102097582A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010556495.8

申请日：2010-11-18

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  末永和史 ,  野本明 ,  渡边和俊

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/08 ,  C04B35/495

CPC classification number: H01L41/316 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/29

Abstract: 本发明涉及一种压电薄膜元件及压电薄膜装置。该压电薄膜元件为在基板上具有以组成式(K1-xNax)yNbO3表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜的压电薄膜元件，用(K1-xNax)yNbO3表示的上述压电薄膜的组成比x、y处于0.4≤x≤0.7且0.7≤y≤0.94的范围内。

公开(公告)号：CN103219460A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310023655.6

申请日：2013-01-22

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/047 ,  B41J2/14

CPC classification number: H01L41/18 ,  H01G5/18 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供压电特性优良且可靠性高的压电体元件及压电体装置。在基板(1)上至少设置有下部电极层(3)、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x＋y＋z＝1)所表示的压电体膜(4)及上部电极层(5)的压电体元件(10)中，前述压电体膜(4)具有准立方晶、正方晶、斜方晶、单斜晶、菱形晶的晶体结构，或者这些晶体结构共存的状态，在这些晶体结构中的晶轴中的2轴以下的某特定轴上优先取向，且存在有c轴取向晶畴结晶成分与a轴取向晶畴结晶成分中的至少一种的晶畴结晶成分作为前述取向的晶轴的成分。

公开(公告)号：CN102959751A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180029026.3

申请日：2011-03-30

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  末永和史 ,  渡边和俊 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  H01L41/09 ,  H01L41/39

CPC classification number: H01L41/1873 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  H01L41/094 ,  H01L41/18 ,  H01L41/316

Abstract: 在基板上具有压电膜的压电膜器件，其中，所述压电膜具有用通式(K1-xNax)yNbO3（0＜x＜1）表示的碱金属铌氧化物系的钙钛矿结构，所述碱金属铌氧化物系的组成为0.40≤x≤0.70且0.77≤y≤0.90的范围，此外，所述(K1-xNax)yNbO3膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比为0.985≤c/a≤1.008的范围。