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公开(公告)号：CN103325937A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310076574.2
申请日：2013-03-11
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/27 , H01L21/66
CPC classification number: H01L41/18 , G01B11/0625 , H01L41/1873 , H01L41/29 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供压电体膜的膜厚值可靠性高的带压电体膜的基板、压电体膜元件及其制造方法。所述带压电体膜的基板顺次层叠有在主面上形成的下电极和在下电极上形成的钙钛矿结构的压电体膜；压电体膜的厚度为0.3μm以上10μm以下；在表示反射率和波长关系的反射光谱，即压电体膜的中心部和外周部的各至少1点的反射光谱中，极大值和极小值分别具有至少1个，并且极大值中至少1个的反射率为0.4以上，所述反射率由对压电体膜的表面照射的波长400nm～800nm范围的照射光在压电体膜的表面反射的光与照射光透过压电体膜在下电极的表面反射的光通过干涉而得的反射光算出。
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公开(公告)号：CN102804436A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201180013990.7
申请日：2011-03-24
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C23C14/025 , C23C14/088 , C23C14/35 , H01L41/0805 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供压电薄膜器件，其具有基板(1)和设置于所述基板(1)上的用组成式(K1-xNax)yNbO3表示的碱性铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜(3)，所述压电薄膜(3)的碳浓度为2×1019/cm3以下，或者所述压电薄膜(3)的氢浓度为4×1019/cm3以下。
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公开(公告)号：CN103219460A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310023655.6
申请日：2013-01-22
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/047 , B41J2/14
CPC classification number: H01L41/18 , H01G5/18 , H01L41/0477 , H01L41/0805 , H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供压电特性优良且可靠性高的压电体元件及压电体装置。在基板(1)上至少设置有下部电极层(3)、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x＋y＋z＝1)所表示的压电体膜(4)及上部电极层(5)的压电体元件(10)中，前述压电体膜(4)具有准立方晶、正方晶、斜方晶、单斜晶、菱形晶的晶体结构，或者这些晶体结构共存的状态，在这些晶体结构中的晶轴中的2轴以下的某特定轴上优先取向，且存在有c轴取向晶畴结晶成分与a轴取向晶畴结晶成分中的至少一种的晶畴结晶成分作为前述取向的晶轴的成分。
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公开(公告)号：CN102959751A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180029026.3
申请日：2011-03-30
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/495 , H01L41/09 , H01L41/39
CPC classification number: H01L41/1873 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3251 , C04B2235/6588 , C04B2235/761 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01L41/094 , H01L41/18 , H01L41/316
Abstract: 在基板上具有压电膜的压电膜器件，其中，所述压电膜具有用通式(K1-xNax)yNbO3（0＜x＜1）表示的碱金属铌氧化物系的钙钛矿结构，所述碱金属铌氧化物系的组成为0.40≤x≤0.70且0.77≤y≤0.90的范围，此外，所述(K1-xNax)yNbO3膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比为0.985≤c/a≤1.008的范围。
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