公开(公告)号：CN1669153A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN03817066.3

申请日：2003-07-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 渡部平司 ,  渡辺启仁 ,  辰巳徹 ,  藤芝信次

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明的目标在于能够在高介电常数薄膜和硅衬底之间的界面中形成具有氧化硅膜和硅之间的高质量界面的栅绝缘膜结构，以提供一种能够改善界面电特性的半导体器件和半导体制造方法，而这正是在实际使用高介电常数绝缘膜时一直长期存在的课题。在硅衬底101的表面上形成基础氧化硅膜103后，金属层淀积工艺和提供构成基础氧化硅膜103表面上的高介电常数薄膜的金属元素的热处理工艺，可使金属元素扩散到基础氧化硅膜103中，由此形成绝缘膜结构105作为栅绝缘膜。包括硅酸盐区的绝缘膜结构105包括氧化硅膜区、硅酸盐区和富金属区，从而形成了具有组份调制的硅酸盐结构，其中金属的组份随着越靠近上部而增加，且硅的组份随着越靠近下部而增加。

公开(公告)号：CN100565916C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN03817066.3

申请日：2003-07-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 渡部平司 ,  渡辺启仁 ,  辰巳徹 ,  藤芝信次

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明的目标在于能够在高介电常数薄膜和硅衬底之间的界面中形成具有氧化硅膜和硅之间的高质量界面的栅绝缘膜结构，以提供一种能够改善界面电特性的半导体器件和半导体制造方法，而这正是在实际使用高介电常数绝缘膜时一直长期存在的课题。在硅衬底101的表面上形成基础氧化硅膜103后，金属层淀积工艺和提供构成基础氧化硅膜103表面上的高介电常数薄膜的金属元素的热处理工艺，可使金属元素扩散到基础氧化硅膜103中，由此形成绝缘膜结构105作为栅绝缘膜。包括硅酸盐区的绝缘膜结构105包括氧化硅膜区、硅酸盐区和富金属区，从而形成了具有组份调制的硅酸盐结构，其中金属的组份随着越靠近上部而增加，且硅的组份随着越靠近下部而增加。

公开(公告)号：CN101523593A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036364.3

申请日：2007-09-27

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中川隆史 ,  辰巳徹 ,  间部谦三 ,  高桥健介 ,  忍田真希子

IPC: H01L21/8238 ,  C23C14/06 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

Abstract: 设置第二掩模以覆盖第二栅极图案，并把第一栅极图案加热至含第一金属的原料气体热分解的温度。在第一金属层不淀积的条件下，使构成所述第一栅极图案的多晶硅与用于形成硅化物的所述第一金属反应，并且允许所述第一栅极图案为由所述第一金属的硅化物构成的第一栅极。在除去所述第二掩模之后，设置第一掩模以覆盖所述第一栅极，并把所述第二栅极图案加热至所述原料气体热分解的温度。在所述第一金属层不淀积的条件下，使构成所述第二栅极图案的多晶硅与用于形成硅化物的第一金属反应，并且允许所述第二栅极图案为由所述第一金属的硅化物构成的第二栅极。然后，除去所述第一掩模。在所述制造方法中，形成硅化物层而不用添加退火步骤。

公开(公告)号：CN1496584A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN02806286.8

申请日：2002-03-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 辰巳徹

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/02197 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31691

Abstract: 为了使用有机金属源气体在基底导电材料上形成具有用ABO3表示的钙钛矿型晶体结构的金属氧化物介电膜，在第一沉积条件下，在基底导电材料上形成初始钙钛矿晶核或初始无定形层，所述初始无定形层具有无定形结构；和在第二沉积条件下，在初始晶核或初始无定形层上再生长具有钙钛矿晶体结构的膜。在该方法中，第一沉积条件满足下述要求的至少一个要求：(a)比第二沉积条件低的基片温度；和(b)比第二沉积条件高的源气体压力。该方法可用于沉积具有减少的漏电流的膜如PZT。