公开(公告)号：CN1097308C

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN98102872.1

申请日：1998-07-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 渡辺启仁

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L28/84 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44

Abstract: 首先把原料气体输送进入配置在用于化学汽相淀积的装置中的反应部分中。然后，在原料气体流进反应部分的方向上游边温度高于其下游边的温度的条件下，在晶片上淀积硅膜。

公开(公告)号：CN1669153A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN03817066.3

申请日：2003-07-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 渡部平司 ,  渡辺启仁 ,  辰巳徹 ,  藤芝信次

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明的目标在于能够在高介电常数薄膜和硅衬底之间的界面中形成具有氧化硅膜和硅之间的高质量界面的栅绝缘膜结构，以提供一种能够改善界面电特性的半导体器件和半导体制造方法，而这正是在实际使用高介电常数绝缘膜时一直长期存在的课题。在硅衬底101的表面上形成基础氧化硅膜103后，金属层淀积工艺和提供构成基础氧化硅膜103表面上的高介电常数薄膜的金属元素的热处理工艺，可使金属元素扩散到基础氧化硅膜103中，由此形成绝缘膜结构105作为栅绝缘膜。包括硅酸盐区的绝缘膜结构105包括氧化硅膜区、硅酸盐区和富金属区，从而形成了具有组份调制的硅酸盐结构，其中金属的组份随着越靠近上部而增加，且硅的组份随着越靠近下部而增加。

公开(公告)号：CN100565916C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN03817066.3

申请日：2003-07-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 渡部平司 ,  渡辺启仁 ,  辰巳徹 ,  藤芝信次

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明的目标在于能够在高介电常数薄膜和硅衬底之间的界面中形成具有氧化硅膜和硅之间的高质量界面的栅绝缘膜结构，以提供一种能够改善界面电特性的半导体器件和半导体制造方法，而这正是在实际使用高介电常数绝缘膜时一直长期存在的课题。在硅衬底101的表面上形成基础氧化硅膜103后，金属层淀积工艺和提供构成基础氧化硅膜103表面上的高介电常数薄膜的金属元素的热处理工艺，可使金属元素扩散到基础氧化硅膜103中，由此形成绝缘膜结构105作为栅绝缘膜。包括硅酸盐区的绝缘膜结构105包括氧化硅膜区、硅酸盐区和富金属区，从而形成了具有组份调制的硅酸盐结构，其中金属的组份随着越靠近上部而增加，且硅的组份随着越靠近下部而增加。