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公开(公告)号：CN108242467B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201611228281.1
申请日：2016-12-27
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种LDMOS器件及其制作方法。一种LDMOS器件，包括衬底、位于衬底上的漂移区，所述漂移区包括源区和漏区；以及包围所述漂移区的沟槽，所述沟槽的深度大于所述漂移区的深度。由于其沟槽包围了漂移区，从而可以限制LDMOS器件在高温工作时产生的电子空穴对中的空穴电流流向衬底，即可以有效隔离LDMOS器件与外围逻辑电路，避免串扰现象的发生。此外，还提供了一种LDMOS器件的制作方法。
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公开(公告)号：CN106158921B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201510170810.6
申请日：2015-04-10
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66681 , H01L29/0619 , H01L29/063 , H01L29/0696 , H01L29/42368 , H01L29/7816 , H01L29/7823 , H01L29/7835
Abstract: 本发明涉及一种具RESURF结构的横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底、源极、漏极、体区、P型场限环及衬底上的阱区，阱区包括：插入式阱，掺杂类型为P型，设于漏极的下方并与漏极相接；N阱，设于插入式阱的两侧；P阱，设于N阱的旁边并与N阱连接；P型场限环设于N阱内，为封闭的环状结构，且位于漏极的下方外围，将漏极包围；插入式阱在其长度方向上延伸至与所述P型场限环相接触的位置，源极和体区设于所述P阱内。本发明能够确保交流高频开关状态下P型场限环与N阱之间保持稳定的结电容，有助于改善器件的动态特性，避免出现尖峰电流。
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公开(公告)号：CN109888015A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201711278066.7
申请日：2017-12-06
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，获取形成有第一导电类型掺杂区、且在所述第一导电类型掺杂区内形成有顶埋层、在所述顶埋层上形成有场氧化绝缘层结构的晶圆；在所述第一导电类型掺杂区上开设沟槽，所述沟槽延伸至所述顶埋层和场氧化绝缘层结构从而将所述顶埋层去除掉一部分；注入第二导电类型离子、在所述沟槽下方形成阱区；在所述阱区内形成源极掺杂区；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型，将阱区的位置向下调整，且由于顶埋层和场氧化绝缘层结构之间、顶埋层、场氧化绝缘层结构和沟槽之间不存在第一导电类型掺杂区，这样导电沟道就不经过JEFT区域，能够在获得高的源漏击穿电压同时得到更低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN108242467A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201611228281.1
申请日：2016-12-27
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种LDMOS器件及其制作方法。一种LDMOS器件，包括衬底、位于衬底上的漂移区，所述漂移区包括源区和漏区；以及包围所述漂移区的沟槽，所述沟槽的深度大于所述漂移区的深度。由于其沟槽包围了漂移区，从而可以限制LDMOS器件在高温工作时产生的电子空穴对中的空穴电流流向衬底，即可以有效隔离LDMOS器件与外围逻辑电路，避免串扰现象的发生。此外，还提供了一种LDMOS器件的制作方法。
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公开(公告)号：CN105097914B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201410185331.7
申请日：2014-05-04
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0634 , H01L29/66659 , H01L29/66681 , H01L29/7835
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，包括衬底、衬底内的埋层区、埋层区上的阱区、阱区上的栅区、位于栅区两侧的源区和漏区、以及超级结结构，源区设于阱区内，漏区设于超级结结构内，栅区包括栅氧层和栅氧层上的栅极，超级结结构包括多个N柱和P柱，N柱和P柱在水平且垂直于源区和漏区连线的方向上交替排列，每个N柱包括上下对接的顶层N区和底层N区，每个P柱包括上下对接的顶层P区和底层P区。本发明将超级结结构的N柱和P柱分解为两次注入形成，每次注入时所需结深只为传统工艺的一半，故可采用较低的注入能量来形成很深的P、N柱，从而提高器件的击穿电压。漂移区为P柱和N柱相互交错的结构，实现高击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104701372B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201310661189.4
申请日：2013-12-06
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/045 , H01L29/0615 , H01L29/063 , H01L29/0684 , H01L29/0847 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/66681 , H01L29/7835 , H01L29/7838
Abstract: 本发明涉及一种LDMOS器件，包括衬底、衬底上的栅极、衬底内的埋层区和埋层区上的扩散层，埋层区包括第一埋层和第二埋层，第一埋层和第二埋层的掺杂杂质的导电类型相反，扩散层包括第一扩散区和第二扩散区，第一扩散区位于第一埋层上且与第一埋层邻接，第二扩散区位于第二埋层上且与第二埋层邻接，第一埋层与第一扩散区的掺杂杂质的导电类型相同，第二埋层与所述第二扩散区的掺杂杂质的导电类型相同。本发明还涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明器件在导通状态下的电流路径为第二扩散区的下部与第二埋层组成的区域，远离器件表面，从而可以增加器件的电流能力、减小导通电阻，并增加了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN108269841B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201611265906.1
申请日：2016-12-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括第二导电类型的衬底、所述衬底上的第一导电类型的漂移区、所述衬底上的第二导电类型的沟道区、所述漂移区表面的第一导电类型的漏极区、所述沟道区表面的源极区、所述漏极区与源极区之间的第一场氧层以及位于所述沟道区远离所述漏极区的一侧的第二场氧层，所述横向扩散金属氧化物半导体场效应管还设有从所述第二场氧层向下贯穿至所述衬底的隔离沟槽，所述隔离沟槽内的填充物的电导率小于所述衬底、漂移区及沟道区的电导率。本发明能够减小器件在高温工作的条件下的漏电流对外围控制电路的串扰。
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公开(公告)号：CN106972047B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201610025460.9
申请日：2016-01-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种LDMOS器件，涉及半导体技术领域。包括：衬底具有第一导电类型；第一漂移区位于衬底中具有第二导电类型；第一阱区位于衬底中与第一漂移区相邻且间隔，并具有第一导电类型；外延层位于衬底上，外延层包括具有第二导电类型的第二漂移区，以及分别位于第二漂移区两侧的具有第一导电类型的第二阱区和具有第二导电类型的掺杂区，第二阱区位于第一阱区上；第一埋层位于第一漂移区和第二漂移区中，具有所述第一导电类型。本发明的结构优化了源端的JFET区域增加了电流路径的宽度，得到高击穿电压的同时得到更低的导通电阻，并实现了多层RESURF结构。
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公开(公告)号：CN105826371B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201510003131.X
申请日：2015-01-05
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底，还包括形成于衬底上的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，以及形成于N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漏极的P型金属氧化物半导体场效应管；P型金属氧化物半导体场效应管的栅极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的栅极；P型金属氧化物半导体场效应管的漏极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漏极；N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极。上述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的工艺简单且成本较低，并具有耐高压性能。
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公开(公告)号：CN108269841A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201611265906.1
申请日：2016-12-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括第二导电类型的衬底、所述衬底上的第一导电类型的漂移区、所述衬底上的第二导电类型的沟道区、所述漂移区表面的第一导电类型的漏极区、所述沟道区表面的源极区、所述漏极区与源极区之间的第一场氧层以及位于所述沟道区远离所述漏极区的一侧的第二场氧层，所述横向扩散金属氧化物半导体场效应管还设有从所述第二场氧层向下贯穿至所述衬底的隔离沟槽，所述隔离沟槽内的填充物的电导率小于所述衬底、漂移区及沟道区的电导率。本发明能够减小器件在高温工作的条件下的漏电流对外围控制电路的串扰。
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