公开(公告)号：CN106981435B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201610029111.4

申请日：2016-01-15

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 顾嘉威 ,  杨顺舟 ,  兰云 ,  马如军

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明涉及一种光刻检查图形结构，所述结构至少包括对位游标图形，所述对位游标图形包括：第一层次对位图形，作为形成于第一层的图案的对位标记，所述第一层次对位图形选用若干相互间隔的宽度不大于2μm的条形图案；第二层次对位图形，作为形成于第二层的图案的对位标记，用于与第一层次对位图形进行对位，其中，第二层的图案位于所述第一层的图案的上方；所述第二层次对位图形选用若干相互间隔的宽度不大于2μm的条形图案；其中，所述第二层次对位图形位于所述第一层次对位图形延伸方向的一侧或者两侧，并且相互隔离设置。本发明在不改变原有光刻检查方式的基础上，调整了光刻检查的图形，降低了旋涂工艺异常率，同时也便于检查人员进行工艺检查。

公开(公告)号：CN109888015A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201711278066.7

申请日：2017-12-06

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 何乃龙 ,  张森 ,  张广胜 ,  兰云

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，获取形成有第一导电类型掺杂区、且在所述第一导电类型掺杂区内形成有顶埋层、在所述顶埋层上形成有场氧化绝缘层结构的晶圆；在所述第一导电类型掺杂区上开设沟槽，所述沟槽延伸至所述顶埋层和场氧化绝缘层结构从而将所述顶埋层去除掉一部分；注入第二导电类型离子、在所述沟槽下方形成阱区；在所述阱区内形成源极掺杂区；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型，将阱区的位置向下调整，且由于顶埋层和场氧化绝缘层结构之间、顶埋层、场氧化绝缘层结构和沟槽之间不存在第一导电类型掺杂区，这样导电沟道就不经过JEFT区域，能够在获得高的源漏击穿电压同时得到更低的导通电阻。

公开(公告)号：CN102810457A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201110143603.3

申请日：2011-05-31

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 周俊芳 ,  周兰珠 ,  张伟飞 ,  兰云 ,  马如军 ,  胡振华 ,  严晓芬

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种系统提示停片规则并能进行批处理的方法，包括以下步骤：对生产线上所有工艺按停片规则是否相同进行分类；按不同类别分别定义了参考工艺和可参考工艺，对每一参考工艺定义了停片规则；对GUI中程序进行优化，使得汇总后的所有工艺停片规则导入系统后，系统能：(1)提供报表，给出每一批次未来可停片和不可停片的提示；(2)在GUI中做停片时能给出提示；(3)GUI中可对在线批次做批处理停片。通过以上方法能显著提高停片处理效率，提升产能，降低成本，同时降低出错风险。