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公开(公告)号：CN108242467B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201611228281.1
申请日：2016-12-27
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种LDMOS器件及其制作方法。一种LDMOS器件，包括衬底、位于衬底上的漂移区，所述漂移区包括源区和漏区；以及包围所述漂移区的沟槽，所述沟槽的深度大于所述漂移区的深度。由于其沟槽包围了漂移区，从而可以限制LDMOS器件在高温工作时产生的电子空穴对中的空穴电流流向衬底，即可以有效隔离LDMOS器件与外围逻辑电路，避免串扰现象的发生。此外，还提供了一种LDMOS器件的制作方法。
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公开(公告)号：CN108242467A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201611228281.1
申请日：2016-12-27
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种LDMOS器件及其制作方法。一种LDMOS器件，包括衬底、位于衬底上的漂移区，所述漂移区包括源区和漏区；以及包围所述漂移区的沟槽，所述沟槽的深度大于所述漂移区的深度。由于其沟槽包围了漂移区，从而可以限制LDMOS器件在高温工作时产生的电子空穴对中的空穴电流流向衬底，即可以有效隔离LDMOS器件与外围逻辑电路，避免串扰现象的发生。此外，还提供了一种LDMOS器件的制作方法。
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公开(公告)号：CN108269841B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201611265906.1
申请日：2016-12-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括第二导电类型的衬底、所述衬底上的第一导电类型的漂移区、所述衬底上的第二导电类型的沟道区、所述漂移区表面的第一导电类型的漏极区、所述沟道区表面的源极区、所述漏极区与源极区之间的第一场氧层以及位于所述沟道区远离所述漏极区的一侧的第二场氧层，所述横向扩散金属氧化物半导体场效应管还设有从所述第二场氧层向下贯穿至所述衬底的隔离沟槽，所述隔离沟槽内的填充物的电导率小于所述衬底、漂移区及沟道区的电导率。本发明能够减小器件在高温工作的条件下的漏电流对外围控制电路的串扰。
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公开(公告)号：CN105826371B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201510003131.X
申请日：2015-01-05
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底，还包括形成于衬底上的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，以及形成于N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漏极的P型金属氧化物半导体场效应管；P型金属氧化物半导体场效应管的栅极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的栅极；P型金属氧化物半导体场效应管的漏极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漏极；N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极。上述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的工艺简单且成本较低，并具有耐高压性能。
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公开(公告)号：CN108269841A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201611265906.1
申请日：2016-12-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括第二导电类型的衬底、所述衬底上的第一导电类型的漂移区、所述衬底上的第二导电类型的沟道区、所述漂移区表面的第一导电类型的漏极区、所述沟道区表面的源极区、所述漏极区与源极区之间的第一场氧层以及位于所述沟道区远离所述漏极区的一侧的第二场氧层，所述横向扩散金属氧化物半导体场效应管还设有从所述第二场氧层向下贯穿至所述衬底的隔离沟槽，所述隔离沟槽内的填充物的电导率小于所述衬底、漂移区及沟道区的电导率。本发明能够减小器件在高温工作的条件下的漏电流对外围控制电路的串扰。
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