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公开(公告)号：CN117477918B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311822959.9
申请日：2023-12-27
申请人： 成都氮矽科技有限公司 , 深圳氮芯科技有限公司
IPC分类号： H02M1/08 , H03K17/16 , H03K17/687
摘要： 本发明公开了驱动信号输入检测电路、GaN栅驱动器和MOSFET栅驱动器，涉及集成电路设计技术领域，包括：沿驱动信号输入至输出的方向，依次连接有输入保护、迟滞检测、电平位移和输出整形；其中，输入保护、迟滞检测、电平位移和输出整形的接地为栅驱动器的信号地，输出整形的供电电压源为栅驱动器的供电电压源；在迟滞检测与供电电压之间连接一个电源缓冲器，电源缓冲器产生一个相对于所述信号地的电源轨对迟滞检测进行供电；电源缓冲器产生的电源轨和栅驱动器连接的供电电压源共同作为电平位移的供电电压源。本发明利用电源缓冲器对内部电源和地之间的电压抖动进行过滤，能够在不衰减速度的情况下显著提升对电源‑地之间电压大幅度抖动的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN116613192A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310872371.8
申请日：2023-07-17
申请人： 成都氮矽科技有限公司 , 深圳氮芯科技有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明涉及半导体器件，具体是指一种常关型GaN HEMT及制造方法，包括从下到上设置的衬底、成核层，缓冲层、氮化镓沟道层和铝氮化镓势垒层，所述位于所述铝氮化镓势垒层的上方还设置有p‑GaN层、钝化层、源极和漏极，以及位于p‑GaN层和钝化层上方的栅极，所述p‑GaN层两侧倾斜一定角度设置。采用本发明所提供的方案，提高p‑GaN栅型HEMT器件栅极正向耐压，进而使得器件能够完全导通，降低导通电阻。提高p‑GaN栅型HEMT器件关态漏极击穿电压。修复干法刻蚀后的表面损伤，降低界面态陷阱密度，进而降低器件动态电阻。
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公开(公告)号：CN111294016A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010187985.9
申请日：2020-03-17
申请人： 成都氮矽科技有限公司
摘要： 一种结构紧凑的带异步复位T触发器电路，第一与非门和第二与非门的第一输入端连接使能信号，第一与非门输出连接第一时钟控制开关器件和第二时钟控制开关器件的输入端并经第一反相器产生T触发器输出信号；第二与非门输出连接第三时钟控制开关器件输入端；第一时钟控制开关器件输出连接第三时钟控制开关器件输出端和第二反相器输入端；第四时钟控制开关器件输入端连接第二反相器输出端和第二与非门第二输入端，其输出连接第二时钟控制开关器件输出端和第一与非门第二输入端。第一时钟控制开关器件、第二时钟控制开关器件与第三时钟控制开关器件、第四时钟控制开关器件在时钟信号的控制下交替开启，实现了异步复位功能且没有引入额外的面积和功耗。
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公开(公告)号：CN118192743A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410343996.X
申请日：2024-03-25
申请人： 成都氮矽科技有限公司 , 深圳氮芯科技有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种具有宽电源电压范围的带隙基准源，主要包括了启动模块、带隙基准核心模块和输出模块，通过加入高压LDMOS管作为耐压和信号传递元件，能够直接在宽范围的电源电压下工作，从而可省去具有高压输入的供电单元中的预偏置电路，简化供电单元的设计；采用无运放式设计，减小了带隙基准电压温度系数，通过内部高增益负反馈环路实现了较高PSRR；可以同时输出PTAT和温度特性可调的两种偏置电流，满足芯片内部各模块对偏置电流的要求。
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公开(公告)号：CN117894834A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410170849.7
申请日：2024-02-06
申请人： 成都氮矽科技有限公司 , 深圳氮芯科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/40
摘要： 本发明公开了一种常关型GaN HEMT器件及其制造方法，涉及半导体器件领域，包括：包括从下到上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、氮化镓沟道层和铝氮化镓势垒层；位于铝氮化镓势垒层的上方还设置有p‑GaN栅极区域层、钝化层、源极和漏极；位于p‑GaN栅极区域层和钝化层上方还设置有栅极以及第一场板介质层；位于第一场板介质层的上方还设置有第一源极场板层和第二场板介质层；位于第二场板介质层的上方还设置有第二源极场板层；其中，p‑GaN栅极区域层是通过再生长工艺形成的。本发明通过再生长工艺形成p‑GaN栅极区域层，可以避免传统p‑GaN层刻蚀工艺对铝氮化镓势垒层造成的表面损伤和过刻蚀问题。同时，引入栅极和两层源极场板层，可降低尖峰电场，提升器件耐压。
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公开(公告)号：CN116613192B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310872371.8
申请日：2023-07-17
申请人： 成都氮矽科技有限公司 , 深圳氮芯科技有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明涉及半导体器件，具体是指一种常关型GaN HEMT及制造方法，包括从下到上设置的衬底、成核层，缓冲层、氮化镓沟道层和铝氮化镓势垒层，所述位于所述铝氮化镓势垒层的上方还设置有p‑GaN层、钝化层、源极和漏极，以及位于p‑GaN层和钝化层上方的栅极，所述p‑GaN层两侧倾斜一定角度设置。采用本发明所提供的方案，提高p‑GaN栅型HEMT器件栅极正向耐压，进而使得器件能够完全导通，降低导通电阻。提高p‑GaN栅型HEMT器件关态漏极击穿电压。修复干法刻蚀后的表面损伤，降低界面态陷阱密度，进而降低器件动态电阻。
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公开(公告)号：CN114720839A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210335703.4
申请日：2022-03-30
申请人： 诸暨市氮矽科技有限公司 , 成都氮矽科技有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请公开了一种开关管自动测试的方法及测试平台。该方法包括以下步骤：在放置于测试工位的待测试开关管接入应用测试电路后，对该应用测试电路进行预设高压供电，使得该待测试开关管在该应用测试电路的作用下工作于预设动态高压环境；检测该应用测试电路当前输出的第一输出信号，以根据该第一输出信号判断该待测试开关管是否失效。本申请可在开关管通过自动测试后，尽量避免诸如氮化镓MOS管等开关管在实际使用过程中出现动态高压环境下失效的问题。
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公开(公告)号：CN113655362A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110978586.9
申请日：2021-08-24
申请人： 成都氮矽科技有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请公开一种测试电路，该测试电路包括：主模块，包括第一开关管，用于对第一开关管的性能进行测试；保护模块，与主模块连接，保护模块包括电流检测电路和第二开关管，当主模块的电流大于电流检测电路的预设电流阈值时，保护模块工作，通过控制第二开关管断开对主模块进行过流保护。当待测的第一开关管为不良品时，本申请可以避免测试电路短路，从而提高测试效率和降低测试成本。
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公开(公告)号：CN113314480A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110726218.5
申请日：2021-06-29
申请人： 成都氮矽科技有限公司 , 矽磐微电子(重庆)有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L21/56 , H01L21/48
摘要： 本发明提供一种硅基氮化镓(GaN)HEMT器件面板级扇出型封装结构及封装方法，包括硅基GaN HEMT芯片，芯片的四周和正面被第一塑封料包裹，底部金属层为第一散热通道，硅基GaN HEMT芯片正面输入输出口上方的铜线路为第二散热通道。本发明用铜线路将芯片的输入输出口引出，与传统焊线封装工艺中用金线或铜线引出输入输出口相比，大大减小了封装带来的寄生电阻和电感，使得产品应用频率的上限进一步提升。芯片背面与金属散热片直接相连，提供除芯片底部以外的另外一个散热通道，大大降低了封装热阻，解决了硅基GaNHEMT器件正面散热困难的问题。
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公开(公告)号：CN111294016B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202010187985.9
申请日：2020-03-17
申请人： 成都氮矽科技有限公司
摘要： 一种结构紧凑的带异步复位T触发器电路，第一与非门和第二与非门的第一输入端连接使能信号，第一与非门输出连接第一时钟控制开关器件和第二时钟控制开关器件的输入端并经第一反相器产生T触发器输出信号；第二与非门输出连接第三时钟控制开关器件输入端；第一时钟控制开关器件输出连接第三时钟控制开关器件输出端和第二反相器输入端；第四时钟控制开关器件输入端连接第二反相器输出端和第二与非门第二输入端，其输出连接第二时钟控制开关器件输出端和第一与非门第二输入端。第一时钟控制开关器件、第二时钟控制开关器件与第三时钟控制开关器件、第四时钟控制开关器件在时钟信号的控制下交替开启，实现了异步复位功能且没有引入额外的面积和功耗。
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