- 专利标题: 驱动信号输入检测电路、GaN栅驱动器和MOSFET栅驱动器
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申请号: CN202311822959.9申请日: 2023-12-27
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公开(公告)号: CN117477918B公开(公告)日: 2024-03-29
- 发明人: 秦尧 , 罗鹏 , 刘家才
- 申请人: 成都氮矽科技有限公司 , 深圳氮芯科技有限公司
- 申请人地址: 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府五街168号5楼501室;
- 专利权人: 成都氮矽科技有限公司,深圳氮芯科技有限公司
- 当前专利权人: 成都氮矽科技有限公司,深圳氮芯科技有限公司
- 当前专利权人地址: 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府五街168号5楼501室;
- 代理机构: 北京京专专利代理事务所
- 代理商 叶佩艳
- 主分类号: H02M1/08
- IPC分类号: H02M1/08 ; H03K17/16 ; H03K17/687
摘要:
本发明公开了驱动信号输入检测电路、GaN栅驱动器和MOSFET栅驱动器,涉及集成电路设计技术领域,包括:沿驱动信号输入至输出的方向,依次连接有输入保护、迟滞检测、电平位移和输出整形;其中,输入保护、迟滞检测、电平位移和输出整形的接地为栅驱动器的信号地,输出整形的供电电压源为栅驱动器的供电电压源;在迟滞检测与供电电压之间连接一个电源缓冲器,电源缓冲器产生一个相对于所述信号地的电源轨对迟滞检测进行供电;电源缓冲器产生的电源轨和栅驱动器连接的供电电压源共同作为电平位移的供电电压源。本发明利用电源缓冲器对内部电源和地之间的电压抖动进行过滤,能够在不衰减速度的情况下显著提升对电源‑地之间电压大幅度抖动的抗干扰能力。
公开/授权文献
- CN117477918A 驱动信号输入检测电路、GaN栅驱动器和MOSFET栅驱动器 公开/授权日:2024-01-30