发明公开
- 专利标题: 一种具有宽电源电压范围的带隙基准源
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申请号: CN202410343996.X申请日: 2024-03-25
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公开(公告)号: CN118192743A公开(公告)日: 2024-06-14
- 发明人: 秦尧 , 罗鹏 , 刘家才 , 刘勇
- 申请人: 成都氮矽科技有限公司 , 深圳氮芯科技有限公司
- 申请人地址: 四川省成都市高新区天府五街168号5楼501室;
- 专利权人: 成都氮矽科技有限公司,深圳氮芯科技有限公司
- 当前专利权人: 成都氮矽科技有限公司,深圳氮芯科技有限公司
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区天府五街168号5楼501室;
- 代理机构: 成都睿道专利代理事务所
- 代理商 黄垒
- 主分类号: G05F1/567
- IPC分类号: G05F1/567
摘要:
本发明涉及集成电路技术领域,具体涉及一种具有宽电源电压范围的带隙基准源,主要包括了启动模块、带隙基准核心模块和输出模块,通过加入高压LDMOS管作为耐压和信号传递元件,能够直接在宽范围的电源电压下工作,从而可省去具有高压输入的供电单元中的预偏置电路,简化供电单元的设计;采用无运放式设计,减小了带隙基准电压温度系数,通过内部高增益负反馈环路实现了较高PSRR;可以同时输出PTAT和温度特性可调的两种偏置电流,满足芯片内部各模块对偏置电流的要求。
IPC分类: