公开(公告)号：CN112041976B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN201980028383.4

申请日：2019-05-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·V·R·科米塞蒂 ,  瑞安·帕茨 ,  赛斯恩德拉·甘塔萨拉 ,  张立明 ,  伊达·滕塞 ,  肖恩·史密斯

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 一种用于在处理腔室中检测陈化处理的终点的方法，该方法包括以下步骤：获得指示第一多个基板中的每一基板的陈化处理的进度的陈化进度数据，以及从设置在处理腔室中的多个传感器收集历史参数值。相对于第一多个基板中的特定基板的多个参数值，归一化第一多个基板中的每一基板的历史参数值。通过将一系数集应用于第一多个基板中的每一基板的归一化参数值来生成MVA模型，及基于陈化进度数据回归该系数集。使用MVA模型决定陈化处理的终点，该MVA模型具有当对第二多个基板中的每个基板执行陈化处理时测量的多个实质实时参数值。

公开(公告)号：CN104285288B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201380024762.9

申请日：2013-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 志峰·隋 ,  迈克尔·D·阿马科斯特 ,  菲利普·斯托特 ,  连·雷 ,  瑞安·帕茨

IPC: H01L21/66

Abstract: 本文提供用于半导体制造工艺监测与控制的方法与设备。在一些实施方式中，用于基板处理的设备可包括：工艺腔室，所述工艺腔室用于在所述工艺腔室的内部空间内处理基板；辐射源，所述辐射源设置于所述工艺腔室的外部，以提供频率在约200GHz至约2THz之间的辐射，所述辐射通过在真空工艺腔室的壁中的介电窗进入所述内部空间；检测器，所述检测器用于在信号已经穿过所述内部空间后检测所述信号；及控制器，所述控制器耦接到所述检测器并被配置以根据被检测到的信号确定所述内部空间内的物种的组分。

公开(公告)号：CN112041976A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201980028383.4

申请日：2019-05-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·V·R·科米塞蒂 ,  瑞安·帕茨 ,  赛斯恩德拉·甘塔萨拉 ,  张立明 ,  伊达·滕塞 ,  肖恩·史密斯

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 一种用于在处理腔室中检测陈化处理的终点的方法，该方法包括以下步骤：获得指示第一多个基板中的每一基板的陈化处理的进度的陈化进度数据，以及从设置在处理腔室中的多个传感器收集历史参数值。相对于第一多个基板中的特定基板的多个参数值，归一化第一多个基板中的每一基板的历史参数值。通过将一系数集应用于第一多个基板中的每一基板的归一化参数值来生成MVA模型，及基于陈化进度数据回归该系数集。使用MVA模型决定陈化处理的终点，该MVA模型具有当对第二多个基板中的每个基板执行陈化处理时测量的多个实质实时参数值。

公开(公告)号：CN104285288A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380024762.9

申请日：2013-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 志峰·隋 ,  迈克尔·D·阿马科斯特 ,  菲利普·斯托特 ,  连·雷 ,  瑞安·帕茨

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/10 ,  H01J37/32963 ,  H01J37/32972

Abstract: 本文提供用于半导体制造工艺监测与控制的方法与设备。在一些实施方式中，用于基板处理的设备可包括：工艺腔室，所述工艺腔室用于在所述工艺腔室的内部空间内处理基板；辐射源，所述辐射源设置于所述工艺腔室的外部，以提供频率在约200GHz至约2THz之间的辐射，所述辐射通过在真空工艺腔室的壁中的介电窗进入所述内部空间；检测器，所述检测器用于在信号已经穿过所述内部空间后检测所述信号；及控制器，所述控制器耦接到所述检测器并被配置以根据被检测到的信号确定所述内部空间内的物种的组分。