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公开(公告)号：CN100524640C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200580003299.5
申请日：2005-01-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/314
CPC classification number: G03F7/091 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/3146
Abstract: 本发明提供一种刻蚀衬底的方法。该刻蚀衬底的方法包括使用衬底上的经两次图案化的无定型碳层作为硬掩模将图案转移到衬底中。可选地，在图案被转移到衬底中之前，非碳基层被沉积无定型碳层上作为覆盖层。
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公开(公告)号：CN1914715A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003299.5
申请日：2005-01-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/314
CPC classification number: G03F7/091 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/3146
Abstract: 本发明提供一种刻蚀衬底的方法。该刻蚀衬底的方法包括使用衬底上的经两次图案化的无定型碳层作为硬掩模将图案转移到衬底中。可选地，在图案被转移到衬底中之前，非碳基层被沉积无定型碳层上作为覆盖层。
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公开(公告)号：CN102106191B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN200980128986.8
申请日：2009-07-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 肯尼思·S·柯林斯 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 沙希德·劳夫 , 塙广二 , 詹尼弗·Y·孙 , 安德鲁·源 , 托尔斯特恩·B·莱尔 , 梅华·沈
IPC: H05H1/34 , H05H1/38 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32623 , H01J2237/2001 , H01L21/6833
Abstract: 在静电夹盘中，RF偏压功率系分别被施加至工件和环绕工件的制程套组环。由系统控制器所控制的至少一个可变阻抗组件系调节工件和制程套组环之间的RF偏压功率分配，以允许在工件最边缘处的等离子体鞘电场的动态调整，由此例如在不同的等离子体条件下使电场均匀性最佳化。
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公开(公告)号：CN102106191A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128986.8
申请日：2009-07-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 肯尼思·S·柯林斯 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·拉马斯瓦米 , 沙希德·劳夫 , 塙广二 , 詹尼弗·Y·孙 , 安德鲁·源 , 托尔斯特恩·B·莱尔 , 梅华·沈
IPC: H05H1/34 , H05H1/38 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32623 , H01J2237/2001 , H01L21/6833
Abstract: 在静电夹盘中，RF偏压功率系分别被施加至工件和环绕工件的制程套组环。由系统控制器所控制的至少一个可变阻抗组件系调节工件和制程套组环之间的RF偏压功率分配，以允许在工件最边缘处的等离子体鞘电场的动态调整，由此例如在不同的等离子体条件下使电场均匀性最佳化。
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