公开(公告)号：CN100524640C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200580003299.5

申请日：2005-01-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 伟·刘 ,  吉姆·中义·何 ,  桑-H·安 ,  梅华·沈 ,  海澈姆·穆萨德 ,  温迪·H·叶 ,  克里斯多佛·D·本彻尔

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/033 ,  H01L21/027 ,  H01L21/314

CPC classification number: G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/3146

Abstract: 本发明提供一种刻蚀衬底的方法。该刻蚀衬底的方法包括使用衬底上的经两次图案化的无定型碳层作为硬掩模将图案转移到衬底中。可选地，在图案被转移到衬底中之前，非碳基层被沉积无定型碳层上作为覆盖层。

公开(公告)号：CN103488041A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310416003.9

申请日：2008-05-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 克里斯多佛·D·本彻尔 ,  堀冈启治

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明利用间隔物掩模的频率加倍。本发明描述了一种用于制造半导体掩模的方法。首先提供具有牺牲掩模和间隔物掩模的半导体叠层。所述牺牲掩模由一系列线构成，并且所述间隔物掩模包括与所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线。接着，修剪所述间隔物掩模。最后，去除所述牺牲掩模，以提供经修剪的间隔物掩模。经修剪的间隔物掩模使得牺牲掩模的一系列线的频率加倍。

公开(公告)号：CN1914715A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200580003299.5

申请日：2005-01-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 伟·刘 ,  吉姆·中义·何 ,  桑-H·安 ,  梅华·沈 ,  海澈姆·穆萨德 ,  温迪·H·叶 ,  克里斯多佛·D·本彻尔

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/033 ,  H01L21/027 ,  H01L21/314

CPC classification number: G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/3146

Abstract: 本发明提供一种刻蚀衬底的方法。该刻蚀衬底的方法包括使用衬底上的经两次图案化的无定型碳层作为硬掩模将图案转移到衬底中。可选地，在图案被转移到衬底中之前，非碳基层被沉积无定型碳层上作为覆盖层。

公开(公告)号：CN101539721B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200810175121.4

申请日：2008-10-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 克里斯多佛·D·本彻尔 ,  戴会雄 ,  立彦·苗 ,  陈浩

IPC: G03F7/00 ,  G03F1/38 ,  G03F7/36 ,  H01L21/314 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/3146 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

Abstract: 本发明描述了一种利用光刻胶模板掩模的频率加倍的方法。根据本发明的实施例，首先提供其上形成有光刻胶层的器件层。图案化光刻胶层以形成光刻胶模板掩模。间隔物形成材料层被沉积在光刻胶模板掩模上。间隔物形成材料层被刻蚀，以形成间隔物掩模并暴露光刻胶模板掩模。光刻胶模板掩模随后被去除，并且间隔物掩模的图像最终被转移到器件层。

公开(公告)号：CN101315515B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810098362.3

申请日：2008-05-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 克里斯多佛·D·本彻尔 ,  堀冈启治

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  Y10S438/947 ,  Y10S438/95

Abstract: 本发明利用具有插入区域的间隔物掩模的频率三倍化。本发明描述了一种用于制造半导体掩模的方法。首先提供具有由一系列线构成的牺牲掩模的半导体叠层。然后形成间隔物掩模，其包括与所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线。间隔物掩模还具有处于间隔物线之间的插入线。最后，去除所述牺牲掩模，以仅仅提供间隔物掩模。具有插入线的间隔物掩模使得牺牲掩模的一系列线的频率三倍化。

公开(公告)号：CN101539721A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200810175121.4

申请日：2008-10-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 克里斯多佛·D·本彻尔 ,  戴会雄 ,  立彦·苗 ,  陈浩

IPC: G03F7/00 ,  G03F1/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/36

CPC classification number: H01L21/3146 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

Abstract: 本发明描述了一种利用光刻胶模板掩模的频率加倍的方法。根据本发明的实施例，首先提供其上形成有光刻胶层的器件层。图案化光刻胶层以形成光刻胶模板掩模。间隔物形成材料层被沉积在光刻胶模板掩模上。间隔物形成材料层被刻蚀，以形成间隔物掩模并暴露光刻胶模板掩模。光刻胶模板掩模随后被去除，并且间隔物掩模的图像最终被转移到器件层。

公开(公告)号：CN101339361A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810098364.2

申请日：2008-05-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 克里斯多佛·D·本彻尔 ,  堀冈启治

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明利用间隔物掩模的频率加倍。本发明描述了一种用于制造半导体掩模的方法。首先提供具有牺牲掩模和间隔物掩模的半导体叠层。所述牺牲掩模由一系列线构成，并且所述间隔物掩模包括与所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线。接着，修剪所述间隔物掩模。最后，去除所述牺牲掩模，以提供经修剪的间隔物掩模。经修剪的间隔物掩模使得牺牲掩模的一系列线的频率加倍。

公开(公告)号：CN101315515A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810098362.3

申请日：2008-05-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 克里斯多佛·D·本彻尔 ,  堀冈启治

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  Y10S438/947 ,  Y10S438/95

Abstract: 本发明利用具有插入区域的间隔物掩模的频率三倍化。本发明描述了一种用于制造半导体掩模的方法。首先提供具有由一系列线构成的牺牲掩模的半导体叠层。然后形成间隔物掩模，其包括与所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线。间隔物掩模还具有处于间隔物线之间的插入线。最后，去除所述牺牲掩模，以仅仅提供间隔物掩模。具有插入线的间隔物掩模使得牺牲掩模的一系列线的频率三倍化。