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公开(公告)号：CN117855352A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410239019.5
申请日：2024-03-04
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于LED外延结构制备技术领域，具体涉及一种基于渐变超晶格控制应变的LED外延结构及制备方法，包括原位AlN层、超晶格n型AlGaN接触层、多量子阱有源层、EBL层、pAlGaN渐变层、重掺杂pGaN层和蓝宝石平面衬底，原位AlN层生长在蓝宝石平面衬底上，原位AlN层上生长有超晶格n型AlGaN接触层，超晶格n型AlGaN接触层上生长有多量子阱有源层，多量子阱有源层上生长有EBL层，EBL层上生长有pAlGaN渐变层，pAlGaN渐变层上生长有重掺杂pGaN层。本发明整个nAlGaN层采用平均Al组分线性降低的短周期超晶格，降低了n层生长的弛豫度，阻挡了位错的扩展和增殖。
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公开(公告)号：CN118390159B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410854845.0
申请日：2024-06-28
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于AlN薄膜制备技术领域，具体涉及一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法，制备方法包括下列步骤：在蓝宝石衬底上制备具有间隔分布特征的AlN薄膜；制备具有高低分布特征的AlN薄膜；对AlN薄膜进行退火；对AlN薄膜进行第一阶段生长；对AlN薄膜进行第二阶段生长。本发明通过优化磁控溅射工艺，成功制备同时具有间隔分布及高低分布特征的AlN薄膜，减少蓝宝石衬底与AlN溅射层、AlN溅射层与MOCVD生产AlN薄膜层应力集中及位错密度，在磁控溅射技术优化基础上，通过退火及MOCVD生长技术优化，进而成功制备出低应力、较低位错密度的高质量AlN薄膜。
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公开(公告)号：CN119153605A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411272347.1
申请日：2024-09-11
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于深紫外LED器件技术领域，具体涉及一种倒装结构深紫外LED器件及其制备方法，制备方法包括：制备AlN模板层；制备HfO2‑MgF2周期结构层；生长GaN缓冲层；生长LED外延结构，并清洗LED外延结构表面；制备MESA台面；制备n接触电极和p接触电极，在n接触电极、p接触电极和LED外延结构表面制备钝化层；在n接触电极和p接触电极上方的钝化层上制备通孔，在通孔上面制备pad电极；使用化学机械研磨工艺减薄蓝宝石衬底。本发明通过在AlN模板上沉积多层不同折射率的介质材料，形成深紫外增透光学膜，提高量子阱产生光子直接射出的效率，以提高外延结构AlN模板的发光效率。本发明的方法不仅可以提高光的提取效率，还可以减少光的损失，从而提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN118390159A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410854845.0
申请日：2024-06-28
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于AlN薄膜制备技术领域，具体涉及一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法，制备方法包括下列步骤：在蓝宝石衬底上制备具有间隔分布特征的AlN薄膜；制备具有高低分布特征的AlN薄膜；对AlN薄膜进行退火；对AlN薄膜进行第一阶段生长；对AlN薄膜进行第二阶段生长。本发明通过优化磁控溅射工艺，成功制备同时具有间隔分布及高低分布特征的AlN薄膜，减少蓝宝石衬底与AlN溅射层、AlN溅射层与MOCVD生产AlN薄膜层应力集中及位错密度，在磁控溅射技术优化基础上，通过退火及MOCVD生长技术优化，进而成功制备出低应力、较低位错密度的高质量AlN薄膜。
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公开(公告)号：CN118398737A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410869258.9
申请日：2024-07-01
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种深紫外倒装LED芯片及其制备方法，属于LED芯片制备技术领域。包括衬底、AIN缓冲层、N型AlGaN层、N型金属欧姆接触层、有源层、P型AlGaN层、P型GaN层、多个凸型结构、P型反射金属欧姆接触层、钝化层、第一Pad金属层、两个第二Pad金属层、第一金锡共晶层和两个第二金锡共晶层。通过在P型GaN层的正面间隔刻蚀多个凸型结构，并在多个凸型结构正面形成P型反射金属欧姆接触层，能够使P型反射金属欧姆接触层与P型GaN层呈一定的角度，增大P型反射金属欧姆接触层的反射面积，还能够使P型GaN层与P型反射金属欧姆接触层之间形成形成良好的欧姆接触，从而提高深紫外倒装LED芯片的出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119545987A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411750807.7
申请日：2024-12-02
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
IPC: H10H20/01 , H10H20/81 , H01L23/373
Abstract: 本发明属于深紫外LED芯片技术领域，具体涉及一种P‑GaN材料嵌入式结构的深紫外LED芯片及其制备方法，包括下列步骤：制备得到外延层；通过ICP刻蚀外延层；通过ICP刻蚀P‑AlGaN薄膜，刻蚀P‑AlGaN薄膜的区域为区域一；溅射AlN薄膜；通过ICP刻蚀AlN薄膜；采用MOCVD沉积P‑GaN薄膜；将区域二外的P‑GaN薄膜刻蚀掉；在N‑AlGaN薄膜表面制备N金，在区域二内的P‑GaN薄膜表面制备P金，最后经磨抛、划裂制备独立的深紫外LED芯片。本发明将P‑AlGaN薄膜、P‑GaN薄膜层叠结构设计为嵌入式结构，既保证P‑GaN与金属电极欧姆接触特性，又减小P‑GaN薄膜吸光面积。
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公开(公告)号：CN118825154A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410880287.5
申请日：2024-07-02
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/12 , H01L33/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种高结晶质量的AlN模板的制备方法及AlN模板，属于AlN模板制备技术领域。包括：在衬底正面进形成AlN缓冲层，得到第一初始AlN模板；对第一初始AlN模板进行循环外延生长处理，以在AlN缓冲层的正面形成第二初始AlN模板；对第二初始AlN模板进行循环退火处理，得到制备好的AlN模板。通过设置对第一初始AlN模板进行循环外延生长处理，使得制备好的AlN模板的杂质和缺陷较少，内应力较小；通过对第一初始AlN模板进行逐层原位退火处理，对第二初始AlN模板进行循环退火处理，有利于降低AlN模板的翘曲度，减少AlN模板内部的位错现象，降低AlN模板的位错密度，提高AlN模板的结晶质量。
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公开(公告)号：CN118398737B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410869258.9
申请日：2024-07-01
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种深紫外倒装LED芯片及其制备方法，属于LED芯片制备技术领域。包括衬底、AIN缓冲层、N型AlGaN层、N型金属欧姆接触层、有源层、P型AlGaN层、P型GaN层、多个凸型结构、P型反射金属欧姆接触层、钝化层、第一Pad金属层、两个第二Pad金属层、第一金锡共晶层和两个第二金锡共晶层。通过在P型GaN层的正面间隔刻蚀多个凸型结构，并在多个凸型结构正面形成P型反射金属欧姆接触层，能够使P型反射金属欧姆接触层与P型GaN层呈一定的角度，增大P型反射金属欧姆接触层的反射面积，还能够使P型GaN层与P型反射金属欧姆接触层之间形成形成良好的欧姆接触，从而提高深紫外倒装LED芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN117855352B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410239019.5
申请日：2024-03-04
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于LED外延结构制备技术领域，具体涉及一种基于渐变超晶格控制应变的LED外延结构及制备方法，包括原位AlN层、超晶格n型AlGaN接触层、多量子阱有源层、EBL层、pAlGaN渐变层、重掺杂pGaN层和蓝宝石平面衬底，原位AlN层生长在蓝宝石平面衬底上，原位AlN层上生长有超晶格n型AlGaN接触层，超晶格n型AlGaN接触层上生长有多量子阱有源层，多量子阱有源层上生长有EBL层，EBL层上生长有pAlGaN渐变层，pAlGaN渐变层上生长有重掺杂pGaN层。本发明整个nAlGaN层采用平均Al组分线性降低的短周期超晶格，降低了n层生长的弛豫度，阻挡了位错的扩展和增殖。
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公开(公告)号：CN116914051B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202310864998.9
申请日：2023-07-14
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制备方法和应用，半导体器件包括：复合载体，所述复合载体包括衬底和模板层，所述复合载体中包括具有张应力的区域和具有压应力的区域；有源层，用于注入的载流子的复合；第一半导体层，用于向所述有源层注入N型载流子；第二半导体层，用于向所述有源层注入P型载流子；第一电极，用作所述第一半导体层的能量传输，第一电极在所述复合载体上表面的投影落在所述压应力的区域内，或与其重合；第二电极，用作所述第二半导体层的能量传输，第二电极在所述复合载体上表面的投影落在所述张应力的区域内，或与其重合。
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