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公开(公告)号：CN119208481A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411309807.3
申请日：2024-09-19
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种紫外发光器件的外延结构及其制备方法、紫外发光器件，属于半导体技术领域。包括从下至上依次生长的衬底、AlN层、n型电子传输层、多量子阱发光层、电子阻挡层、p型空穴传输层和p型接触层；p型空穴传输层包括至少一组极性变化层和金属极性层，极性变化层包括极性渐变层和生长于极性渐变层上的极性反转层，金属极性层生长于最上面的极性变化层的极性反转层上，极性渐变层由下至上从金属极性逐渐转变为氮极性，极性反转层由下至上从氮极性转变为金属极性。本发明可以提高空穴载流子浓度和纵向迁移速率，减小p型空穴传输层电阻率，进而可以提高紫外发光器件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN119208468A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411359969.8
申请日：2024-09-27
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种高可靠性LED芯片及其制备方法，制备方法包括下列步骤：形成外延片结构；通过图案化刻蚀工艺刻蚀p型半导体层至n型半导体层，形成n型半导体台面，所述n型半导体台面呈下凹的曲面；在n型半导体台面的凹面上设置n接触电极，n接触电极进行高温退火形成n型欧姆接触；在p型半导体层上设置p接触电极，p接触电极进行高温退火形成p型欧姆接触。本发明通过对n型半导体层刻蚀台面进行改造设计，刻蚀成下凹的曲面，凹面的面积大于凹面在垂直方向上的投影面积，凹面的中央为刻蚀的最深处，降低比接触电阻率，增加横向电流导向能力，改善电流分布，提升了器件的抗静电能力和使用寿命及可靠性。
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公开(公告)号：CN116435445A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310697593.0
申请日：2023-06-13
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于芯片制备技术领域，具体涉及具有高推力值的发光二极管芯片及其制备方法，包括基底、氮化铝层、N半导体结构、量子阱结构、P半导体结构、N欧姆接触电极、N填平结构和P欧姆接触电极，N半导体结构上刻蚀有台面，N欧姆接触电极蒸镀在N半导体结构的台面上，N填平结构蒸镀在N欧姆接触电极上，P半导体结构上刻蚀有台面，P欧姆接触电极蒸镀在P半导体结构的台面上。本发明在N欧姆接触电极上生长N填平结构，消除了电极焊盘之间的高度差，使电极焊盘处于同一平面。并且本发明在电极焊盘上刻蚀出齿轮状焊接图形，提高了固晶与共晶的稳定性，提高了芯片的推力值。本发明用于倒装发光二极管芯片的制造。
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公开(公告)号：CN118738238A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410988533.9
申请日：2024-07-23
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于LED芯片技术领域，具体涉及一种可提高光提取效率的LED芯片及其制备方法，制备方法包括下列步骤：制备外延片结构；制备n型半导体台面；在n型半导体层上制备n型金属电极，在p型半导体层上制备p型金属电极；n型金属电极在氮气氛围下，进行高温退火形成n型欧姆接触；制备透光层；在透光层上制备导电通孔。本发明通过控制n型金属电极厚度和透光层厚度，首先通过减薄n型金属电极，然后在n型金属电极上方与量子阱外侧相对应区域制备透光层，避免金属电极对光的吸收，提高光线透过，大大提高侧壁出光，进一步提高了光提取效率。
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公开(公告)号：CN118738236A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410902797.8
申请日：2024-07-08
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 , 中北大学
Abstract: 本发明属于深紫外LED倒装芯片技术领域，具体涉及一种深紫外LED倒装芯片p型反射电极结构及其制备方法，制备方法包括下列步骤：制备外延片结构；在p型GaN接触层上制备金属Ni层；对金属Ni层进行高温退火，形成p型欧姆接触，同时金属Ni层团聚形成Ni纳米颗粒；以Ni纳米颗粒作为掩膜，刻蚀p型GaN接触层；制备反射金属Rh层。本发明通过在p型GaN接触层上蒸镀金属Ni层，高温退火形成Ni纳米颗粒，以Ni纳米颗粒作为掩膜，刻蚀p型GaN接触层，再蒸镀反射金属Rh层，减少GaN吸光的同时，增加反射，从而获得更高光效的深紫外LED倒装芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119545987A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411750807.7
申请日：2024-12-02
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
IPC: H10H20/01 , H10H20/81 , H01L23/373
Abstract: 本发明属于深紫外LED芯片技术领域，具体涉及一种P‑GaN材料嵌入式结构的深紫外LED芯片及其制备方法，包括下列步骤：制备得到外延层；通过ICP刻蚀外延层；通过ICP刻蚀P‑AlGaN薄膜，刻蚀P‑AlGaN薄膜的区域为区域一；溅射AlN薄膜；通过ICP刻蚀AlN薄膜；采用MOCVD沉积P‑GaN薄膜；将区域二外的P‑GaN薄膜刻蚀掉；在N‑AlGaN薄膜表面制备N金，在区域二内的P‑GaN薄膜表面制备P金，最后经磨抛、划裂制备独立的深紫外LED芯片。本发明将P‑AlGaN薄膜、P‑GaN薄膜层叠结构设计为嵌入式结构，既保证P‑GaN与金属电极欧姆接触特性，又减小P‑GaN薄膜吸光面积。
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公开(公告)号：CN117878212B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410282477.7
申请日：2024-03-13
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于LED倒装芯片技术领域，具体涉及一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法，所述衬底上生长有AlN缓冲层，所述AlN缓冲层上生长有n型半导体层，所述n型半导体层上生长有量子阱层，所述量子阱层上生长有p型半导体层，所述p型半导体层刻蚀至n型半导体层露出n型半导体台面，所述n型半导体台面上设置有n型接触电极，所述p型半导体层上设置有p型接触电极，该n型接触电极和/或p型接触电极为复合电极，所述n型复合电极和p型复合电极均包括电极扩大阻挡层和反射电极，所述反射电极蒸镀在电极扩大阻挡层上。本发明阻挡了Al的迁移，防止LED倒装芯片在大电流、长时间下工作时形成漏电通道。
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公开(公告)号：CN117878212A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410282477.7
申请日：2024-03-13
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于LED倒装芯片技术领域，具体涉及一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法，所述衬底上生长有AlN缓冲层，所述AlN缓冲层上生长有n型半导体层，所述n型半导体层上生长有量子阱层，所述量子阱层上生长有p型半导体层，所述p型半导体层刻蚀至n型半导体层露出n型半导体台面，所述n型半导体台面上设置有n型接触电极，所述p型半导体层上设置有p型接触电极，该n型接触电极和/或p型接触电极为复合电极，所述n型复合电极和p型复合电极均包括电极扩大阻挡层和反射电极，所述反射电极蒸镀在电极扩大阻挡层上。本发明阻挡了Al的迁移，防止LED倒装芯片在大电流、长时间下工作时形成漏电通道。
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公开(公告)号：CN116914051B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202310864998.9
申请日：2023-07-14
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制备方法和应用，半导体器件包括：复合载体，所述复合载体包括衬底和模板层，所述复合载体中包括具有张应力的区域和具有压应力的区域；有源层，用于注入的载流子的复合；第一半导体层，用于向所述有源层注入N型载流子；第二半导体层，用于向所述有源层注入P型载流子；第一电极，用作所述第一半导体层的能量传输，第一电极在所述复合载体上表面的投影落在所述压应力的区域内，或与其重合；第二电极，用作所述第二半导体层的能量传输，第二电极在所述复合载体上表面的投影落在所述张应力的区域内，或与其重合。
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公开(公告)号：CN116914051A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310864998.9
申请日：2023-07-14
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制备方法和应用，半导体器件包括：复合载体，所述复合载体包括衬底和模板层，所述复合载体中包括具有张应力的区域和具有压应力的区域；有源层，用于注入的载流子的复合；第一半导体层，用于向所述有源层注入N型载流子；第二半导体层，用于向所述有源层注入P型载流子；第一电极，用作所述第一半导体层的能量传输，第一电极在所述复合载体上表面的投影落在所述压应力的区域内，或与其重合；第二电极，用作所述第二半导体层的能量传输，第二电极在所述复合载体上表面的投影落在所述张应力的区域内，或与其重合。
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