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公开(公告)号：CN110931618B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201910858792.9
申请日：2019-09-11
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本专利涉及一种紫外发光二极管，包括透明电介质层叠结构，所述透明电介质层叠结构设置在发光结构之上，该透明电介质层叠结构包括上下堆叠的多层渐变折射率的透明电介质层；每层电介质层的厚度为d＝λ/4n。通过在出光面镀N层透明电介质作为增透膜，N层增透膜的作用是将有源层的光尽可能以垂直的方式透射出去，增大LED芯片的出光效率，实现高出光效率的紫外LED的制备。
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公开(公告)号：CN113488569B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202110700999.0
申请日：2021-06-23
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法，所述发光二极管包括LED外延片和设置在LED外延片上的n电极欧姆接触层(1‑05)和p电极欧姆接触层(1‑06)，在LED外延片的未设置n电极欧姆接触层(1‑05)和p电极欧姆接触层(1‑06)的区域上设有第一透明钝化层(1‑07)，第一透明钝化层(1‑07)上刻蚀有微阵结构(3‑01)，第一透明钝化层(1‑07)上沉积有高反射绝缘材料薄膜(3‑02)且高反射绝缘材料薄膜(3‑02)的厚度大于微阵结构(3‑01)的深度。其能够提高芯片的光提取效率，从而达到提升亮度的效果。
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公开(公告)号：CN113488569A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110700999.0
申请日：2021-06-23
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法，所述发光二极管包括LED外延片和设置在LED外延片上的n电极欧姆接触层(1‑05)和p电极欧姆接触层(1‑06)，在LED外延片的未设置n电极欧姆接触层(1‑05)和p电极欧姆接触层(1‑06)的区域上设有第一透明钝化层(1‑07)，第一透明钝化层(1‑07)上刻蚀有微阵结构(3‑01)，第一透明钝化层(1‑07)上沉积有高反射绝缘材料薄膜(3‑02)且高反射绝缘材料薄膜(3‑02)的厚度大于微阵结构(3‑01)的深度。其能够提高芯片的光提取效率，从而达到提升亮度的效果。
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公开(公告)号：CN119545987A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411750807.7
申请日：2024-12-02
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
IPC: H10H20/01 , H10H20/81 , H01L23/373
Abstract: 本发明属于深紫外LED芯片技术领域，具体涉及一种P‑GaN材料嵌入式结构的深紫外LED芯片及其制备方法，包括下列步骤：制备得到外延层；通过ICP刻蚀外延层；通过ICP刻蚀P‑AlGaN薄膜，刻蚀P‑AlGaN薄膜的区域为区域一；溅射AlN薄膜；通过ICP刻蚀AlN薄膜；采用MOCVD沉积P‑GaN薄膜；将区域二外的P‑GaN薄膜刻蚀掉；在N‑AlGaN薄膜表面制备N金，在区域二内的P‑GaN薄膜表面制备P金，最后经磨抛、划裂制备独立的深紫外LED芯片。本发明将P‑AlGaN薄膜、P‑GaN薄膜层叠结构设计为嵌入式结构，既保证P‑GaN与金属电极欧姆接触特性，又减小P‑GaN薄膜吸光面积。
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公开(公告)号：CN118398737B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410869258.9
申请日：2024-07-01
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种深紫外倒装LED芯片及其制备方法，属于LED芯片制备技术领域。包括衬底、AIN缓冲层、N型AlGaN层、N型金属欧姆接触层、有源层、P型AlGaN层、P型GaN层、多个凸型结构、P型反射金属欧姆接触层、钝化层、第一Pad金属层、两个第二Pad金属层、第一金锡共晶层和两个第二金锡共晶层。通过在P型GaN层的正面间隔刻蚀多个凸型结构，并在多个凸型结构正面形成P型反射金属欧姆接触层，能够使P型反射金属欧姆接触层与P型GaN层呈一定的角度，增大P型反射金属欧姆接触层的反射面积，还能够使P型GaN层与P型反射金属欧姆接触层之间形成形成良好的欧姆接触，从而提高深紫外倒装LED芯片的出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114725265A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210643048.9
申请日：2022-06-09
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本公开属于半导体技术领域，具体而言涉及一种倒装深紫外二极管及倒装深紫外二极管的制备方法。所述倒装深紫外二极管，包括二极管外延面以及设置在所述二极管外延面上的N电极和P电极，所述N电极，包括由铜铝合金形成的金属膜和设置在铜铝合金金属膜上的至少一层由Cr、Ni、Au、Ti以及Pt中的一种金属形成的单质膜；所述P电极包括NiO膜和位于所述NiO膜上的透明电极，所述透明电极包括位于底层的ITO膜，以及设置在所述ITO膜上的Ga2O3膜；所述N电极和所述P电极上设置有加厚电极，所述加厚电极包括由Al、Ag和Rh中的一种形成的高反射金属膜。以实现减低漏电风险，防止光衰，减小二极管使用功耗并且提高二极管亮度的效果。
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公开(公告)号：CN113690356A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110701039.6
申请日：2021-06-23
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
IPC: H01L33/40
Abstract: 本发明涉及一种金属电极及具有该金属电极的深紫外LED芯片，所述金属电极包括粘附层(1)、反应层(2)、阻挡层(3)和保护层(4)，所述反应层(2)为由Ti膜(2.1)和Al膜(2.2)交替布置的多层结构且所述反应层(2)中的所述Ti膜(2.1)和Al膜(2.2)的厚度比为1:10。其反应层为Ti与Al按照1:10的比例进行的多层设计，使退火阶段Ti与Al能充分反应，以形成功函数低的TiN与TiAl合金，从而降低比接触电阻率，同时能避免Al的内扩散形成禁带宽度高的AlN和Al的外扩散，优化金属电极表面形态，使金属电极表面形态光滑，增强芯片的光衰维持率，延长芯片寿命。
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公开(公告)号：CN113410360A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110828168.1
申请日：2021-07-21
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法，所述深紫外LED倒装芯片包括LED外延片和设置在所述LED外延片上的p电极和n电极，其特征在于，所述LED外延片包括p‑GaN层和n‑AlGaN层，所述p电极设置在所述p‑GaN层上，所述n电极设置在所述n‑AlGaN层上且所述n电极具有至少一个第一凹槽。其将n电极由传统的平面电极变为具有凹槽的特殊结构电极，能够增大n电极的覆盖面积，从而增加电子流扩散区域，极大地降低芯片的工作电压，增大芯片的散热面积，延长芯片的寿命；另外，光横向传播时，能够在凹槽两端来回震荡，与凹槽开口相匹配的波长的光能够得到增强，提高了芯片的发光强度。
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公开(公告)号：CN119153605A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411272347.1
申请日：2024-09-11
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于深紫外LED器件技术领域，具体涉及一种倒装结构深紫外LED器件及其制备方法，制备方法包括：制备AlN模板层；制备HfO2‑MgF2周期结构层；生长GaN缓冲层；生长LED外延结构，并清洗LED外延结构表面；制备MESA台面；制备n接触电极和p接触电极，在n接触电极、p接触电极和LED外延结构表面制备钝化层；在n接触电极和p接触电极上方的钝化层上制备通孔，在通孔上面制备pad电极；使用化学机械研磨工艺减薄蓝宝石衬底。本发明通过在AlN模板上沉积多层不同折射率的介质材料，形成深紫外增透光学膜，提高量子阱产生光子直接射出的效率，以提高外延结构AlN模板的发光效率。本发明的方法不仅可以提高光的提取效率，还可以减少光的损失，从而提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN113764545A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110921986.6
申请日：2021-08-11
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种LED芯片倒膜装置，包括底板(1)，底板(1)上固定载盘(15)且其内设置升降电机(2)，载盘(15)吸附有第二承载膜(14)，第二承载膜(14)上方设盖板(3)，盖板(3)上方设支架，支架内设水平转轴(5)和垂直转轴(4)，水平转轴(5)一端连接水平转轴电机(11)且两端分别与一根垂直转轴(4)相连，垂直转轴(4)与升降电机(2)相连，水平转轴(5)上设有刮刀模组(10)和滚轮模组(17)，滚轮模组(17)与盖板(3)之间放置第一承载膜(13)，盖板(3)中间区域镂空，支架上方设有压盘(8)和压膜气缸(9)。其能够减少LED芯片倒膜过程中的人为操作，提升制程良率。
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