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公开(公告)号：CN113690356B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202110701039.6
申请日：2021-06-23
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
IPC: H01L33/40
Abstract: 本发明涉及一种金属电极及具有该金属电极的深紫外LED芯片，所述金属电极包括粘附层(1)、反应层(2)、阻挡层(3)和保护层(4)，所述反应层(2)为由Ti膜(2.1)和Al膜(2.2)交替布置的多层结构且所述反应层(2)中的所述Ti膜(2.1)和Al膜(2.2)的厚度比为1:10。其反应层为Ti与Al按照1:10的比例进行的多层设计，使退火阶段Ti与Al能充分反应，以形成功函数低的TiN与TiAl合金，从而降低比接触电阻率，同时能避免Al的内扩散形成禁带宽度高的AlN和Al的外扩散，优化金属电极表面形态，使金属电极表面形态光滑，增强芯片的光衰维持率，延长芯片寿命。
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公开(公告)号：CN110931609B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201910858416.X
申请日：2019-09-11
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本专利公开了一种倒装的紫外发光二极管芯片，包括：紫外发光二极管的外延结构，所述P型欧姆接触层上设置有多个减薄区域；电流扩散层，所述电流扩散层设置在所述P型欧姆接触层的下表面；随着所述述P型欧姆接触层的表面起伏而与所述述P型欧姆接触层贴合设置；DBR透镜层，所述DBR透镜层设置在所述电流扩散层的下表面，随着电流扩散层的表面起伏而与所述沿着所述电流扩散层贴合设置；正极电极，所述正极电极的一部分穿过所述P型欧姆接触层、电流扩散层与所述P型半导体材料层接触；所述正极电极的另一部分与所述电流扩散层接触；通过上述方案提高了紫外发光二极管芯片的发光亮度。
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公开(公告)号：CN113410356B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202110828169.6
申请日：2021-07-21
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种倒装结构深紫外发光二极管芯片及其制备方法，所述芯片包括LED外延片和设置在所述LED外延片上的n电极和p电极，所述LED外延片的最上层为p‑AlGaN层且所述p‑AlGaN层的表面被粗糙化，所述n电极的电极台面的倾角为40°‑50°，且所述p‑AlGaN层和所述n电极的电极台面上都设置有钝化层，所述钝化层上设有DBR‑1层和位于所述DBR‑1层上的DBR‑2层。其能够提高提高深紫外发光二极管芯片的光提取效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN116435445A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310697593.0
申请日：2023-06-13
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于芯片制备技术领域，具体涉及具有高推力值的发光二极管芯片及其制备方法，包括基底、氮化铝层、N半导体结构、量子阱结构、P半导体结构、N欧姆接触电极、N填平结构和P欧姆接触电极，N半导体结构上刻蚀有台面，N欧姆接触电极蒸镀在N半导体结构的台面上，N填平结构蒸镀在N欧姆接触电极上，P半导体结构上刻蚀有台面，P欧姆接触电极蒸镀在P半导体结构的台面上。本发明在N欧姆接触电极上生长N填平结构，消除了电极焊盘之间的高度差，使电极焊盘处于同一平面。并且本发明在电极焊盘上刻蚀出齿轮状焊接图形，提高了固晶与共晶的稳定性，提高了芯片的推力值。本发明用于倒装发光二极管芯片的制造。
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公开(公告)号：CN113851566B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111448886.2
申请日：2021-12-01
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED倒装芯片及其制作方法，所述深紫外LED倒装芯片包括LED外延片及n电极（8）和p电极（9），n电极（8）上设有n电流扩展电极（10），p电极（9）上设有p电流扩展电极（11），n电流扩展电极（10）的正投影的边缘相对于所述n电极（8）的正投影的边缘内缩2‑7um且p电流扩展电极（11）的正投影的边缘相对于所述p电极（9）的正投影的边缘内缩2‑7um。其能够延长深紫外LED倒装芯片的寿命，并能够提高深紫外LED倒装芯片的发光强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110931618B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201910858792.9
申请日：2019-09-11
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本专利涉及一种紫外发光二极管，包括透明电介质层叠结构，所述透明电介质层叠结构设置在发光结构之上，该透明电介质层叠结构包括上下堆叠的多层渐变折射率的透明电介质层；每层电介质层的厚度为d＝λ/4n。通过在出光面镀N层透明电介质作为增透膜，N层增透膜的作用是将有源层的光尽可能以垂直的方式透射出去，增大LED芯片的出光效率，实现高出光效率的紫外LED的制备。
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公开(公告)号：CN118390159B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410854845.0
申请日：2024-06-28
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于AlN薄膜制备技术领域，具体涉及一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法，制备方法包括下列步骤：在蓝宝石衬底上制备具有间隔分布特征的AlN薄膜；制备具有高低分布特征的AlN薄膜；对AlN薄膜进行退火；对AlN薄膜进行第一阶段生长；对AlN薄膜进行第二阶段生长。本发明通过优化磁控溅射工艺，成功制备同时具有间隔分布及高低分布特征的AlN薄膜，减少蓝宝石衬底与AlN溅射层、AlN溅射层与MOCVD生产AlN薄膜层应力集中及位错密度，在磁控溅射技术优化基础上，通过退火及MOCVD生长技术优化，进而成功制备出低应力、较低位错密度的高质量AlN薄膜。
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公开(公告)号：CN113488569B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202110700999.0
申请日：2021-06-23
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法，所述发光二极管包括LED外延片和设置在LED外延片上的n电极欧姆接触层(1‑05)和p电极欧姆接触层(1‑06)，在LED外延片的未设置n电极欧姆接触层(1‑05)和p电极欧姆接触层(1‑06)的区域上设有第一透明钝化层(1‑07)，第一透明钝化层(1‑07)上刻蚀有微阵结构(3‑01)，第一透明钝化层(1‑07)上沉积有高反射绝缘材料薄膜(3‑02)且高反射绝缘材料薄膜(3‑02)的厚度大于微阵结构(3‑01)的深度。其能够提高芯片的光提取效率，从而达到提升亮度的效果。
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公开(公告)号：CN112542373B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202011221863.3
申请日：2020-11-05
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种提高翘曲蓝宝石晶圆研磨良率的方法，其包括以下步骤：(1)、在翘曲蓝宝石晶圆的正面对蓝宝石衬底进行开槽；(2)、在翘曲蓝宝石晶圆的背面对蓝宝石衬底进行开槽；(3)、对翘曲蓝宝石晶圆的蓝宝石衬底进行减薄；(4)、对翘曲蓝宝石晶圆的蓝宝石衬底进行研磨。其可以改善翘曲大及内应力大的蓝宝石晶圆在研磨工艺中的不良率。
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公开(公告)号：CN113488569A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110700999.0
申请日：2021-06-23
Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法，所述发光二极管包括LED外延片和设置在LED外延片上的n电极欧姆接触层(1‑05)和p电极欧姆接触层(1‑06)，在LED外延片的未设置n电极欧姆接触层(1‑05)和p电极欧姆接触层(1‑06)的区域上设有第一透明钝化层(1‑07)，第一透明钝化层(1‑07)上刻蚀有微阵结构(3‑01)，第一透明钝化层(1‑07)上沉积有高反射绝缘材料薄膜(3‑02)且高反射绝缘材料薄膜(3‑02)的厚度大于微阵结构(3‑01)的深度。其能够提高芯片的光提取效率，从而达到提升亮度的效果。
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