公开(公告)号：CN119545987A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411750807.7

申请日：2024-12-02

Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司

Inventor： 王充 ,  张晓娜 ,  李勇强 ,  俄文文 ,  纪银星

IPC: H10H20/01 ,  H10H20/81 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明属于深紫外LED芯片技术领域，具体涉及一种P‑GaN材料嵌入式结构的深紫外LED芯片及其制备方法，包括下列步骤：制备得到外延层；通过ICP刻蚀外延层；通过ICP刻蚀P‑AlGaN薄膜，刻蚀P‑AlGaN薄膜的区域为区域一；溅射AlN薄膜；通过ICP刻蚀AlN薄膜；采用MOCVD沉积P‑GaN薄膜；将区域二外的P‑GaN薄膜刻蚀掉；在N‑AlGaN薄膜表面制备N金，在区域二内的P‑GaN薄膜表面制备P金，最后经磨抛、划裂制备独立的深紫外LED芯片。本发明将P‑AlGaN薄膜、P‑GaN薄膜层叠结构设计为嵌入式结构，既保证P‑GaN与金属电极欧姆接触特性，又减小P‑GaN薄膜吸光面积。

公开(公告)号：CN118693209A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410962061.X

申请日：2024-07-18

Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 ,  中北大学

Inventor： 纪银星 ,  张童 ,  张晓娜 ,  谢宇 ,  宫明峰 ,  李烨玺 ,  霍佳鑫 ,  王旭 ,  李晋闽

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明属于深紫外芯片技术领域，具体涉及一种提高出光效率的深紫外芯片结构及其制备方法，制备方法包括下列步骤：在衬底上制备外延片结构；制备第一台面和第二台面；在第一台面制备第一电极，在第一电极上制备第一电流扩展层；在半导体导电层P‑GaN层上制备第二电极，在第二电极上制备第二电流扩展层；在外延片结构上制备透明介质层；将透明介质层采用干法刻蚀刻蚀粗化图形或者湿法刻蚀的方式进行粗化；在第一电极和第二电极上面制备钝化层；在钝化层制备通孔，在通孔上面制备金锡合金的焊盘电极。本发明通过折射率渐变及表面粗化改善了侧壁的全反射造成的能量损失，有效提高芯片的外量子效率。