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公开(公告)号：CN1551495B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200410034747.5
申请日：2004-05-09
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 太阳诱电株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/02866 , H03H3/08 , H03H9/02905 , H03H9/0576 , H03H9/72 , H03H9/725
Abstract: 一种制造表面声波器件的方法，该表面声波器件包括在一个表面上形成有第一滤波器和第二滤波器的压电基板，第一滤波器和第二滤波器包括表面声波谐振器，以及与压电基板的另一表面接合的支撑基板，该方法包括以下步骤：使用切割刀在两个交叠的谐振器之间形成从压电基板穿透到支撑基板的上层的部分的沟槽，从而其上形成有第一滤波器的压电基板和其上形成有第二滤波器的压电基板被沟槽分离，两个交叠的谐振器中的其中一个包括在第一滤波器中，另一个包括在第二滤波器中，两个交叠的谐振器具有在表面声波传播方向上彼此交叠的多个谐振部分，其中支撑基板是蓝宝石基板，其中压电基板是钽酸锂基板、铌酸锂基板或者水晶基板。
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公开(公告)号：CN1495997A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03125577.9
申请日：2003-09-19
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/0547 , H03H9/0523 , H03H9/564 , H03H9/568
Abstract: 本发明公开了一种滤波器器件，该滤波器器件包括：滤波器元件，具有布置在串联支路和并联支路内的压电薄膜谐振器；以及封装，用于容纳处于面朝下状态下的滤波器元件。在该滤波器器件中，通过凸起把滤波器元件和封装互相电连接到一起。该封装包括在其上形成凸起的第一焊盘部分以及用于将第一焊盘部分电连接到外部的传输通路。该滤波器元件包括通过凸起电连接到第一焊盘部分的第二焊盘部分，以及用于将第二焊盘部分电连接到压电薄膜谐振器并将各压电薄膜谐振器互相电连接到一起的布线部分。在这种结构中，由传输通路形成的电感串联到压电薄膜谐振器。
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公开(公告)号：CN100474765C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410037511.7
申请日：2004-04-23
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6436 , H03H9/14538 , H03H9/25 , H03H9/6433 , H03H9/6489
Abstract: 获得了有效的横向能量约束，以及同时具有插入损耗和形状因数的理想特性的表面声波滤波器。在所述表面声波滤波器中，一个梳状电极的多个电极指和另一个梳状电极的多个电极指相互交错插入，在汇流排的部分区域形成有比每组多个电极指都厚的厚膜，并且在每组多个电极指的顶端与相对的汇流排的端面之间设有一尖端间隙，其中，每组多个电极指的顶端与相对的汇流排的端面之间的距离被设为不大于0.2λ，其中，λ是梳状电极的一个周期。
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公开(公告)号：CN100594674C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200410057295.2
申请日：2004-08-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/131 , H03H9/132 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/023
Abstract: 本发明涉及膜体声学谐振器及其制造方法。该膜体声学谐振器包括：形成在基板的主表面上的压电薄膜；以及被布置为夹着所述压电薄膜的下电极和上电极。在该膜体声学谐振器中，所述压电薄膜由氮化铝制成，并且所述上电极和所述下电极中的至少一个由钌或者包含钌为主要成分的钌合金制成，所述下电极直接暴露于形成在所述下电极下方的空腔。
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公开(公告)号：CN1592100A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410057295.2
申请日：2004-08-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/131 , H03H9/132 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/023
Abstract: 膜体声学谐振器及其制造方法。一种膜体声学谐振器包括：形成在一基板的主表面上的一压电薄膜；以及一下电极和一上电极，其被布置得夹着所述压电薄膜。在该膜体声学谐振器中，所述压电薄膜由氮化铝制成，并且所述上电极和所述下电极中的至少一个包含一钌或钌合金层。
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公开(公告)号：CN1551495A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410034747.5
申请日：2004-05-09
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/02866 , H03H3/08 , H03H9/02905 , H03H9/0576 , H03H9/72 , H03H9/725
Abstract: 表面声波器件及其制造方法，一种表面声波器件，其包括：压电基板，该压电基板在一个表面上形成有两个或更多个谐振器；支撑基板，该支撑基板与该压电基板的另一表面接合。在该表面声波器件中，该多个谐振器中的至少两个具有在表面声波传播方向上彼此交叠的激励部分，并且去除或改良具有多个交叠部分的多个谐振器中的至少一对交叠的谐振器之间的该压电基板的至少一部分，以具有不同的特性。
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公开(公告)号：CN1540860A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410037511.7
申请日：2004-04-23
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6436 , H03H9/14538 , H03H9/25 , H03H9/6433 , H03H9/6489
Abstract: 获得了有效的横向能量约束，以及同时具有插入损耗和形状因数的理想特性的表面声波滤波器。在所述表面声波滤波器中，一个梳状电极的多个电极指和另一个梳状电极的多个电极指相互交错插入，在汇流排的部分区域形成有比每组多个电极指都厚的厚膜，并且在每组多个电极指的顶端与相对的汇流排的端面之间设有一尖端间隙，其中，每组多个电极指的顶端与相对的汇流排的端面之间的距离被设为不大于0.2λ，其中，λ是梳状电极的一个周期。
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公开(公告)号：CN1505263A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310117144.7
申请日：2003-12-02
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/02834 , H03H9/02559
Abstract: 一种表面声波器件，其包括：压电基板，具有其上形成有多个梳状电极的第一表面、和第二表面；以及，支撑基板，被接合到所述压电基板的第二表面。所述压电基板由钽酸锂制成，而所述支撑基板由蓝宝石制成。满足下列表达式：T/t＜1/3(1)，T/λ＞10(2)，其中，T是所述压电基板的厚度，t是所述支撑基板的厚度，λ是沿所述压电基板的第一表面传播的表面声波的波长。
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公开(公告)号：CN1497845A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101706.9
申请日：2003-10-21
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/1071 , H03H9/02984 , H03H9/6483
Abstract: 一种表面声波滤波器包括以梯状方式相连的多个串联支路谐振器和多个并联支路谐振器。该表面声波滤波器满足如下所示的条件：1×106≤4π2f02R2Cop Cos≤3.1×106其中，Cop是所述多个并联支路谐振器的静电电容，Cos是所述多个串联支路谐振器的静电电容，f0是中心频率，R是额定阻抗。
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公开(公告)号：CN105811913B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610037045.5
申请日：2016-01-20
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/725 , H03H9/02559 , H03H9/02669 , H03H9/131 , H03H9/14541 , H03H9/1457 , H03H9/64
Abstract: 一种声波器件，该声波器件包括：Y‑切割X‑传播钽酸锂基板，所述Y‑切割X‑传播钽酸锂基板具有20°或更大且48°或更小的切割角；以及格栅电极，所述格栅电极由层叠在基板上的一个或更多个金属膜组成，并且激发声波，其中，当所述一个或更多个金属膜中的各个金属膜的密度由ρi表示，各个金属膜的泊松比由Pi表示，各个金属膜的膜厚度由hi表示，Cu的密度由ρ0表示，Cu的泊松比由P0表示，并且节距由λ表示时，对于所述一个或更多个金属膜，各个金属膜的“(hi/λ)×(ρi/ρ0)×(Pi/P0)”的总值大于0.08。
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