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公开(公告)号：CN105811913B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610037045.5
申请日：2016-01-20
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/725 , H03H9/02559 , H03H9/02669 , H03H9/131 , H03H9/14541 , H03H9/1457 , H03H9/64
Abstract: 一种声波器件，该声波器件包括：Y‑切割X‑传播钽酸锂基板，所述Y‑切割X‑传播钽酸锂基板具有20°或更大且48°或更小的切割角；以及格栅电极，所述格栅电极由层叠在基板上的一个或更多个金属膜组成，并且激发声波，其中，当所述一个或更多个金属膜中的各个金属膜的密度由ρi表示，各个金属膜的泊松比由Pi表示，各个金属膜的膜厚度由hi表示，Cu的密度由ρ0表示，Cu的泊松比由P0表示，并且节距由λ表示时，对于所述一个或更多个金属膜，各个金属膜的“(hi/λ)×(ρi/ρ0)×(Pi/P0)”的总值大于0.08。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107070431B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710017784.2
申请日：2017-01-11
Applicant: 太阳诱电株式会社
Inventor： 田中旅人
Abstract: 声波谐振器、滤波器和双工器。一种声波谐振器，包括：设置在压电基板上的梳状电极，每个梳状电极包括激发声波的电极指和连接到电极指的汇流条电极，梳状电极形成了重叠区域，在该重叠区域中，梳状电极中的一个的电极指和另一个的电极指重叠，其中，在梳状电极中重叠的电极指中的每一个包括：设置在所述重叠区域中的第一区域，在该第一区域中声波的速度是第一速度，并且该第一区域在电极指延伸的第一方向上的位置相对于与第一方向交叉的第二方向而变化；以及设置在所述重叠区域中并且在所述第一方向上将所述第一区域夹在中间的多个第二区域，在该多个第二区域中声波的速度是不同于所述第一速度的第二速度。
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公开(公告)号：CN105720941B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201510954604.4
申请日：2015-12-17
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 一种声波器件包括：压电衬底；以及IDT，该IDT形成在所述压电衬底上，其中各向异性系数是正的，所述IDT的电极指彼此交叠所在的交叠区域包括中心区域和边缘区域，所述中心区域和所述边缘区域中的所述电极指被连续地形成，所述边缘区域中的所述电极指相对于所述中心区域中的所述电极指倾斜，使得在所述边缘区域中的所述电极指的宽度方向上的节距大于在所述中心区域中的所述电极指的宽度方向上的节距，并且所述中心区域中的所述宽度方向与所述压电衬底的晶轴取向之间的角度小于所述边缘区域中的所述宽度方向与所述晶轴取向之间的角度。
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公开(公告)号：CN107070431A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710017784.2
申请日：2017-01-11
Applicant: 太阳诱电株式会社
Inventor： 田中旅人
Abstract: 声波谐振器、滤波器和双工器。一种声波谐振器，包括：设置在压电基板上的梳状电极，每个梳状电极包括激发声波的电极指和连接到电极指的汇流条电极，梳状电极形成了重叠区域，在该重叠区域中，梳状电极中的一个的电极指和另一个的电极指重叠，其中，在梳状电极中重叠的电极指中的每一个包括：设置在所述重叠区域中的第一区域，在该第一区域中声波的速度是第一速度，并且该第一区域在电极指延伸的第一方向上的位置相对于与第一方向交叉的第二方向而变化；以及设置在所述重叠区域中并且在所述第一方向上将所述第一区域夹在中间的多个第二区域，在该多个第二区域中声波的速度是不同于所述第一速度的第二速度。
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公开(公告)号：CN105811913A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610037045.5
申请日：2016-01-20
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/725 , H03H9/02559 , H03H9/02669 , H03H9/131 , H03H9/14541 , H03H9/1457 , H03H9/64 , H03H9/02543 , H03H9/02818 , H03H9/25
Abstract: 一种声波器件，该声波器件包括：Y?切割X?传播钽酸锂基板，所述Y?切割X?传播钽酸锂基板具有20°或更大且48°或更小的切割角；以及格栅电极，所述格栅电极由层叠在基板上的一个或更多个金属膜组成，并且激发声波，其中，当所述一个或更多个金属膜中的各个金属膜的密度由ρi表示，各个金属膜的泊松比由Pi表示，各个金属膜的膜厚度由hi表示，Cu的密度由ρ0表示，Cu的泊松比由P0表示，并且节距由λ表示时，对于所述一个或更多个金属膜，各个金属膜的“(hi/λ)×(ρi/ρ0)×(Pi/P0)”的总值大于0.08。
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公开(公告)号：CN105720941A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510954604.4
申请日：2015-12-17
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/14547 , H03H9/059 , H03H9/1452 , H03H9/14561 , H03H9/14564 , H03H9/1457 , H03H9/14594 , H03H9/64 , H03H9/6483 , H03H9/02543 , H03H9/14538 , H03H9/25
Abstract: 一种声波器件包括：压电衬底；以及IDT，该IDT形成在所述压电衬底上，其中各向异性系数是正的，所述IDT的电极指彼此交叠所在的交叠区域包括中心区域和边缘区域，所述中心区域和所述边缘区域中的所述电极指被连续地形成，所述边缘区域中的所述电极指相对于所述中心区域中的所述电极指倾斜，使得在所述边缘区域中的所述电极指的宽度方向上的节距大于在所述中心区域中的所述电极指的宽度方向上的节距，并且所述中心区域中的所述宽度方向与所述压电衬底的晶轴取向之间的角度小于所述边缘区域中的所述宽度方向与所述晶轴取向之间的角度。
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