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公开(公告)号：CN109155259B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201780030573.0
申请日：2017-04-14
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种适用于半导体芯片和半导体晶片等的接合的各向异性导电材料、具有各向异性导电性部件的电子元件、具有各向异性导电性部件的包含半导体元件的结构体及使用各向异性导电性部件的电子元件的制造方法。各向异性导电材料具有支撑体及各向异性导电性部件，所述各向异性导电性部件为如下部件，其具备：绝缘性基材，由无机材料构成；及由导电材料构成的多个导通路，该多个导通路向绝缘性基材的厚度方向贯通，并以相互电绝缘的状态设置，上述各向异性导电性部件设置在支撑体上，且使表征各向异性导电性的区域形成为规定的图案状。
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公开(公告)号：CN106063041A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580004364.X
申请日：2015-01-19
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 山下广祐
CPC classification number: H01L23/49838 , C23C18/00 , C23C18/1653 , C23C18/54 , C25D3/00 , C25D3/38 , C25D5/48 , C25D11/045 , C25D11/08 , C25D11/12 , C25D11/16 , C25D11/20 , C25F3/20 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H05K1/0298 , H05K1/0306 , H05K1/115 , H05K1/144 , H05K3/368 , H05K3/4038 , H05K3/4611 , H05K2201/042 , H05K2201/10378 , H05K2203/0315
Abstract: 本发明提供一种能够确保微细的导电通路且能够提高绝缘基材的绝缘耐压的微细结构体、多层配线基板、半导体封装及微细结构体的制造方法。本发明的微细结构体具有：绝缘基材(2)，由具有多个贯穿孔(4)的阳极氧化膜构成；及导电通路(3)，由填充于多个贯穿孔(4)的内部且含有金属的导电材料构成，其中，多个贯穿孔的平均开口直径(6)为5nm～500nm，连结彼此相邻的贯穿孔之间的最短距离(7)的平均值为10nm～300nm，相对于微细结构体的总质量的含水率为0.005％以下。
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公开(公告)号：CN112004887A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980026708.5
申请日：2019-04-15
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C08L101/00 , C08K3/01 , C08L33/04 , C08L63/00 , C08L79/08 , G03F7/004 , G03F7/32 , H01L23/373
Abstract: 本发明使用一种导热层，其包含至少1种填料，热扩散系数为5.0×10‑7m2s‑1以上，体积电阻系数为1.0×1011Ω·cm以上。另外，本发明涉及一种应用了该导热层的感光层、感光性组合物、导热层的制造方法以及层叠体及半导体器件。
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公开(公告)号：CN105492659B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201480046877.2
申请日：2014-08-21
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 山下广祐
CPC classification number: C25D1/20 , C25D1/006 , C25D1/10 , C25D3/38 , C25D11/045 , C25D11/20 , C25D11/24 , G01R1/06 , H01L24/27 , H01R12/7076 , H01R2201/20 , H05K3/32 , H05K2203/162
Abstract: 本发明的课题是提供一种容易对微孔进行金属填充且能够抑制伴随金属填充而产生残余应力的金属填充微细结构体的制造方法。本发明的金属填充微细结构体的制造方法，具有：阳极氧化处理工序，对铝基板的单侧表面实施阳极氧化处理，在铝基板的单侧表面形成阳极氧化膜，该阳极氧化膜具有存在于厚度方向的微孔和存在于微孔的底部的阻障层；阻障层去除工序，在阳极氧化处理工序之后，去除阳极氧化膜的阻障层；金属填充工序，在阻障层去除工序之后实施电解电镀处理，从而将金属填充到微孔的内部；及基板去除工序，在金属填充工序之后去除铝基板，得到金属填充微细结构体。
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公开(公告)号：CN105492659A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480046877.2
申请日：2014-08-21
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 山下广祐
CPC classification number: C25D1/20 , C25D1/006 , C25D1/10 , C25D3/38 , C25D11/045 , C25D11/20 , C25D11/24 , G01R1/06 , H01L24/27 , H01R12/7076 , H01R2201/20 , H05K3/32 , H05K2203/162
Abstract: 本发明的课题是提供一种容易对微孔进行金属填充且能够抑制伴随金属填充而产生残余应力的金属填充微细结构体的制造方法。本发明的金属填充微细结构体的制造方法，具有：阳极氧化处理工序，对铝基板的单侧表面实施阳极氧化处理，在铝基板的单侧表面形成阳极氧化膜，该阳极氧化膜具有存在于厚度方向的微孔和存在于微孔的底部的阻障层；阻障层去除工序，在阳极氧化处理工序之后，去除阳极氧化膜的阻障层；金属填充工序，在阻障层去除工序之后实施电解电镀处理，从而将金属填充到微孔的内部；及基板去除工序，在金属填充工序之后去除铝基板，得到金属填充微细结构体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102315194A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110176921.X
申请日：2011-06-22
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C25D1/006 , C25D11/045 , C25D11/20 , C25D11/26 , C25D11/30 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L24/29 , H01L2224/29 , H01L2224/29298 , H01L2224/83101 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01R12/52 , H05K3/32 , H05K2201/10378 , H05K2203/0315 , Y10T428/249953 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明提供一种微细结构体和制备这种微细结构体的方法，所述微细结构体能够提供能减少布线缺陷的各向异性导电部件。所述微细结构体包括形成于绝缘基体中并被金属和绝缘物质填充的通孔。所述通孔具有1×106至1×1010个孔/mm2的密度，10nm至5000nm的平均开口直径，以及10μm至1000μm的平均深度。通孔由金属单独实现的封孔率为80％以上，并且通孔由金属和绝缘物质实现的封孔率为99％以上。所述绝缘物质是选自以下各项中的至少一种：氢氧化铝、二氧化硅、金属醇盐、氯化锂、氧化钛、氧化镁、氧化钽、氧化铌和氧化锆。
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公开(公告)号：CN118435349A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280083150.6
申请日：2022-11-25
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L25/07 , C08G73/10 , C08L79/08 , H01L25/065 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供一种在接合2个基板时可获得2个基板之间的最大剥离阻力大的接合体的接合体的制造方法及所获得的接合体、层叠体的制造方法及所获得的层叠体、器件的制造方法及所获得的器件以及含聚酰亚胺的前体部分形成用组合物。接合体的制造方法包括：准备基板A的工序；在基板A的具备配线端子的面上形成含聚酰亚胺的前体部分的含聚酰亚胺的前体部分形成工序；准备基板B的工序；及将基板A的具有含聚酰亚胺的前体部分的面与基板B的具备配线端子的面进行接合的接合工序，接合工序之前的含聚酰亚胺的前体部分中的聚酰亚胺的环化率与含聚酰亚胺部分中的聚酰亚胺的环化率之差为5％以上。
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公开(公告)号：CN106063041B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201580004364.X
申请日：2015-01-19
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 山下广祐
Abstract: 本发明提供一种能够确保微细的导电通路且能够提高绝缘基材的绝缘耐压的微细结构体、多层配线基板、半导体封装及微细结构体的制造方法。本发明的微细结构体具有：绝缘基材(2)，由具有多个贯穿孔(4)的阳极氧化膜构成；及导电通路(3)，由填充于多个贯穿孔(4)的内部且含有金属的导电材料构成，其中，多个贯穿孔的平均开口直径(6)为5nm～500nm，连结彼此相邻的贯穿孔之间的最短距离(7)的平均值为10nm～300nm，相对于微细结构体的总质量的含水率为0.005％以下。
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公开(公告)号：CN109155259A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780030573.0
申请日：2017-04-14
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种适用于半导体芯片和半导体晶片等的接合的各向异性导电材料、具有各向异性导电性部件的电子元件、具有各向异性导电性部件的包含半导体元件的结构体及使用各向异性导电性部件的电子元件的制造方法。各向异性导电材料具有支撑体及各向异性导电性部件，所述各向异性导电性部件为如下部件，其具备：绝缘性基材，由无机材料构成；及由导电材料构成的多个导通路，该多个导通路向绝缘性基材的厚度方向贯通，并以相互电绝缘的状态设置，上述各向异性导电性部件设置在支撑体上，且使表征各向异性导电性的区域形成为规定的图案状。
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公开(公告)号：CN114450098B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202080066670.7
申请日：2020-09-24
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B05D5/00 , B05D5/12 , B05D7/24 , B05D1/00 , C09D201/00 , C09D5/25 , H01L23/373
Abstract: 一种导热层的制造方法、应用了该导热层的制造方法的层叠体的制造方法及半导体器件的制造方法，该导热层的制造方法是使用包含树脂、填料及溶剂且固体成分浓度小于90质量％的导热层形成用组合物来在支承体上制造热扩散系数为3.0×10‑7m2s‑1以上的导热层的制造方法，该导热层的制造方法包括：向支承体喷出导热层形成用组合物的喷出工序；及以在支承体上的每一个位置，从喷出导热层形成用组合物至导热层形成用组合物中的固体成分浓度在支承体上达到90质量％为止的第1溶剂减量时间成为10秒以上的方式，对导热层形成用组合物中的溶剂进行减量的溶剂减量工序。
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