填充微细结构体及输送方法

    公开(公告)号:CN115210411B

    公开(公告)日:2025-04-01

    申请号:CN202180018793.8

    申请日:2021-02-15

    Inventor: 堀田吉则

    Abstract: 本发明提供一种抑制输送时的损伤、并且抑制填充不良、兼顾加工性的填充微细结构体及输送方法。填充微细结构体,其具有:第1金属部,具有配置在外缘的框架部;夹隔部,配置在由框架部包围的区域,并且具有多个细孔;及第2金属部,填充夹隔部的多个细孔,并且直接接触于框架部上。第1金属部包含选自阀金属的金属。夹隔部包含选自阀金属的金属的氧化物,并且多个细孔的平均直径为1μm以下。第2金属部的存在于框架部上的部分的厚度为2μm以上。

    结构体、各向异性导电性部件的制造方法及保护层形成用组合物

    公开(公告)号:CN116830391A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202180092075.5

    申请日:2021-12-24

    Inventor: 堀田吉则

    Abstract: 本发明提供一种抑制由切割等切削加工等产生的切削屑的影响的结构体、各向异性导电性部件的制造方法及保护层形成用组合物。结构体具有:绝缘膜;多个导体,沿厚度方向贯通绝缘膜且以彼此电绝缘的状态设置;树脂层,覆盖绝缘膜的厚度方向上的至少一个面;及保护层,由有机物构成。树脂层设置于绝缘膜与保护层之间,保护层为最表面层。

    电子元件、包含半导体元件的结构体及电子元件的制造方法

    公开(公告)号:CN109155259B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN201780030573.0

    申请日:2017-04-14

    Abstract: 本发明提供一种适用于半导体芯片和半导体晶片等的接合的各向异性导电材料、具有各向异性导电性部件的电子元件、具有各向异性导电性部件的包含半导体元件的结构体及使用各向异性导电性部件的电子元件的制造方法。各向异性导电材料具有支撑体及各向异性导电性部件,所述各向异性导电性部件为如下部件,其具备:绝缘性基材,由无机材料构成;及由导电材料构成的多个导通路,该多个导通路向绝缘性基材的厚度方向贯通,并以相互电绝缘的状态设置,上述各向异性导电性部件设置在支撑体上,且使表征各向异性导电性的区域形成为规定的图案状。

    结构体的制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115621804A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202210595811.5

    申请日:2022-05-26

    Inventor: 堀田吉则

    Abstract: 本发明提供一种与电子零件等的接合的可靠性优异的结构体的制造方法。一种结构体的制造方法,所述结构体具有沿绝缘膜的厚度方向贯通并且在彼此电绝缘的状态下设置的多个导体及覆盖绝缘膜中的至少一个面的树脂层,导体具有从树脂层突出的突出部,导体的突出部的突出高度为5~100nm,且导体的突出部与相邻的突出部的间隔为20~200nm,具有在导体的突出部从树脂层突出的状态下清洗导体的突出部的清洗工序。

    金属填充微细结构体和金属填充微细结构体的制造方法

    公开(公告)号:CN116670337A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202180086340.9

    申请日:2021-12-08

    Inventor: 堀田吉则

    Abstract: 本发明提供一种绝缘膜的厚度厚的金属填充微细结构体和金属填充微细结构体的制造方法。金属填充微细结构体具有:绝缘膜;及多个导体,沿绝缘膜的厚度方向贯通且以彼此电绝缘的状态设置。绝缘膜的厚度方向上的长度为100μm以上。多个导体分别由金属构成,并且曝露于绝缘膜的厚度方向上的一个面及厚度方向上的另一个面上,在导体中,曝露于一个面上的第1金属部与曝露于另一个面上的第2金属部的构成金属不同。

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