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公开(公告)号：CN117812989A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311138869.8
申请日：2023-09-05
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/50 , H10N30/00 , H10N30/853 , H10N30/045 , H10N30/20
Abstract: 本发明涉及压电元件及致动器，课题为以低成本提供在低电压下获得高的压电性能的压电元件及压电致动器。压电元件在基板上依次具备第1电极、第1压电膜、第2电极、第2压电膜及第3电极，第1压电膜及第2压电膜均以在A位包含Pb且在B位包含Zr、Ti及M的钙钛矿型氧化物作为主成分，M为选自V、Nb、Ta、Sb、Mo及W中的金属元素，第1压电膜和第2压电膜所包含的钙钛矿型氧化物中的Pb组成比不同，使第1电极接地、将第2电极作为驱动电极对第1压电膜测定的极化‑电场滞后和使第2电极接地、将第3电极作为驱动电极对第2压电膜测定的极化‑电场滞后相对于各自的原点向相同的电场方向偏移。
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公开(公告)号：CN109790029B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201780060467.7
申请日：2017-09-22
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种显示高初始发光效率及优异的耐湿性的含有半导体纳米粒子的分散液以及使用上述分散液制造的薄膜。本发明的含有半导体纳米粒子的分散液含有通过X射线光电子能谱分析检测出锌、硫及铟的半导体纳米粒子及丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯，上述半导体纳米粒子中，从X射线光电子能谱分析求出的、锌与铟的摩尔比满足下述式(1a)：2.25＜Zn/In＜9……(1a)。
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公开(公告)号：CN109982967A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780070206.3
申请日：2017-11-07
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种发光效率高、发光半宽度窄的核壳粒子及其制造方法以及使用核壳粒子的薄膜。本发明的核壳粒子为如下核壳粒子：其具有含有III族元素及V族元素的核、覆盖核的表面的至少一部分的第1壳、覆盖第1壳的至少一部分的第2壳以及在最表面的至少一部分的配位性分子，所述核壳粒子中，通过X射线光电子能谱分析至少检测出氧，根据X射线光电子能谱分析求出的氧相对于核中所包含的III族元素的摩尔比为6.1以下。
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公开(公告)号：CN103262275B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180060592.0
申请日：2011-11-30
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L41/0805 , C08K3/04 , C08K3/08 , C08K3/24 , H01L41/183 , H01L41/37 , C08L33/22 , C08L29/04
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高分子复合压电体的高产率制造方法，即使在将高分子复合压电体形成为具有较大的面积时所述高分子复合压电体也能够避免介质击穿和剥离；本发明的目的还在于提供一种高分子复合压电体。所述高分子复合压电体是通过对复合体进行极化处理而获得的，所述复合体中压电体微粒均匀地分散混合在由氰乙基化聚乙烯醇形成的聚合物基质中。
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公开(公告)号：CN101157544A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710154271.2
申请日：2007-09-17
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C04B35/01 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1871 , B41J2/14233 , C04B35/2683 , C04B35/457 , C04B2235/3234 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/762 , C04B2235/768 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/1878 , H01L41/316 , H01L41/43
Abstract: 一种用于制备具有由组成式(A，B，C)(D，E，F)O3表示的组成的压电氧化物的方法，式中，A、B、C、D、E和F中的每一个都表示一种或多种金属元素。确定所述组成，以使满足条件(1)0.98≤TF(P)≤1.01、(2)TF(ADO3)＞1.0、(3)TF(BEO3)＜1.0和(4)TF(BEO3)＜TF(CFO3)＜TF(ADO3)，式中，TF(P)是由组成式(A，B，C)(D，E，F)O3表示的复合物的容许因子，而TF(ADO3)，TF(BEO3)和TF(CFO3)分别是由组成式ADO3、BEO3和CFO3表示的复合物的容许因子。
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公开(公告)号：CN114206220A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080053638.5
申请日：2020-07-20
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 佐佐木勉
IPC: A61B7/04
Abstract: 本发明提供一种听诊器，其具备：支承台，具有与被测对象接触的第1接触面，划定所述第1接触面的边中的至少一部分的3个第1连接边分别为内含所述第1接触面的三角形的各边中的至少一部分；具有弹性的3个弹性部件，分别具有与所述第1接触面所成的角为钝角且与所述被测对象接触的第2接触面，在划定所述第2接触面的边中与所述第1连接边相同长度的第2连接边上与各所述第1连接边连接；及3个心电电极，分别配置于所述第2接触面，并检测所述被测对象的心电。
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公开(公告)号：CN108848671A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201780014129.X
申请日：2017-02-22
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 佐佐木勉
IPC: C09K11/08 , C01B25/08 , C08K9/04 , C08L101/00 , C09D17/00 , C09K11/62 , C09K11/70 , C09K11/74 , H01L21/208 , H01L29/06 , B82Y30/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种耐久性优异的半导体纳米粒子以及使用了半导体纳米粒子的分散液及薄膜。本发明的半导体纳米粒子具有含有III族元素及V族元素的核，所述半导体纳米粒子中，通过X射线光电子光谱分析检测到碳、氧及硫，通过傅立叶变换红外光谱分析检测到存在于2800cm-1～3000cm-1中的峰A、存在于1000cm-1～1200cm-1中的峰B及存在于2450cm-1～2650cm-1中的峰C，且具有含有2个以上的巯基的配体。
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公开(公告)号：CN101308900B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200810097094.3
申请日：2008-05-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H02N2/00 , B41J2/14
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2202/03 , B41J2202/21 , H01L41/0973 , H01L41/18
Abstract: 一种压电元件，具备压电体和对压电体在给定方向施加电场的电极，压电体是在基板上形成的单结晶膜，包含不施加电场时具有结晶性的第1强电介质结晶，由具有在给定的电场强度E1以上的电场施加下，第1强电介质结晶的至少一部分向与第1强电介质结晶不同的结晶系的第2强电介质结晶发生相变的特性的无机化合物结晶组成，在满足下式(1)的条件下被驱动。Emin＜E1＜Emax…(1)(Emin：最小电场施加强度，Emax：最大电场施加强度，E1：从第1强电介质结晶向第2强电介质结晶的相变开始的最小的电场强度)。
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公开(公告)号：CN115734699A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210978072.8
申请日：2022-08-15
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/87 , H10N30/50 , H10N30/853
Abstract: 本发明涉及压电层叠体及压电元件。本发明提供一种能够抑制压电特性的下降，且与以往相比能够更加抑制制造成本的压电层叠体及压电元件。压电层叠体及压电元件在基板上依次具备下部电极层和包含钙钛矿型氧化物的压电膜，下部电极层包括包含Ni的金属层和包含Ni氧化物或Ni氧氮化物的表面层，在下部电极层中，表面层配置于最靠近压电膜侧。
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