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    碳化硅纵型场效应晶体管
    2.
    发明公开
    碳化硅纵型场效应晶体管 有权

    公开(公告)号：CN103460390A

    公开(公告)日：2013-12-18

    申请号：CN201280015887.0

    申请日：2012-04-06

    Applicant: 富士电机株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

    Inventor： 原田祐一 ,  原田信介 ,  星保幸 ,  岩室宪幸

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

    CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7827

    Abstract: 本发明的课题在于在对漏极电极施加高电压时，实现不会对栅极绝缘膜施加大的电场，能够提高栅极绝缘膜的破坏耐量的碳化硅纵型场效应晶体管。该碳化硅纵型场效应晶体管的特征在于，具备：第1导电型的碳化硅基板和形成于该第1导电型碳化硅基板表面上的低浓度的第1导电型碳化硅层；选择性地形成于该第1导电型碳化硅层表面上的第2导电型区域；形成于该第2导电型区域内的第1导电型源极区域；在第2导电型区域内的第1导电型源极区域之间形成的高浓度的第2导电型区域；与该高浓度的第2导电型区域以及第1导电型源极区域电连接的源极电极；从形成于相邻的第2导电型区域的第1导电型源极区域到第2导电型区域以及第1导电型碳化硅层上所形成的栅极绝缘膜；形成于该栅极绝缘膜上的栅极电极；第1导电型碳化硅基板的背面侧上的漏极电极，该碳化硅纵型场效应晶体管中，在第2导电型区域与第1导电型碳化硅层之间设置雪崩产生单元。

    半导体装置
    3.
    发明授权
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN106688104B

    公开(公告)日：2020-03-17

    申请号：CN201680002943.5

    申请日：2016-04-06

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 原田祐一 ,  星保幸

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

    Abstract: 若氢侵入半导体装置，则栅极结构的栅极电压阈值(Vth)会变化。本发明防止氢从位于半导体装置的端部的耐压结构部向半导体装置侵入。提供半导体装置，该半导体装置具备半导体基板，其具有有源区域和设置在所述有源区域的周围的耐压结构部；第1下部绝缘膜，其在所述半导体基板上设置于所述耐压结构部；以及第1保护膜，其设置在所述第1下部绝缘膜上，并且与所述半导体基板电绝缘，且对氢进行吸留。

    半导体装置
    4.
    发明公开
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN110574169A

    公开(公告)日：2019-12-13

    申请号：CN201880028792.X

    申请日：2018-09-20

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 原田祐一

    IPC: H01L29/739 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78

    Abstract: 提供一种半导体装置，具备：半导体基板，其具有晶体管区；发射电极，其设置于半导体基板上；第一虚设沟槽部，其设置于半导体基板的晶体管区，且具有与发射电极电连接的虚设导电部；以及第一接触部，其设置于晶体管区的一部分的区域，并且使设置于晶体管区的第一导电型的半导体区与发射电极电连接，该晶体管区的一部分的区域为第一虚设沟槽部的长型部的端部与半导体基板的端部之间的区域。

    半导体装置及半导体装置的制造方法
    5.
    发明授权
    半导体装置及半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105874604B

    公开(公告)日：2019-03-19

    申请号：CN201580003622.2

    申请日：2015-07-15

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 木下明将 ,  星保幸 ,  原田祐一 ,  大西泰彦

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/872

    Abstract: 半导体装置具备：选择性地设置在n型碳化硅外延层(2)的相对于n+型碳化硅基板(1)侧的相反一侧的表面层的p+型区(3)；由在n型碳化硅外延层(2)上形成金属‑半导体接合的源电极(13)和p+型区(3)构成的元件结构；包围所述元件结构的周边部的p‑型区(5a)和p‑‑型区(5b)；隔着n型碳化硅外延层(2)包围该周边部的n+型沟道截断区的结构。n+型沟道截断区具有杂质浓度高的第二个n+型沟道截断区(17b)和内部包括第二个n+型沟道截断区(17b)，且杂质浓度比第二个n+型沟道截断区(17b)低的第一个n+型沟道截断区(17a)。通过采用这样的结构能够实现高耐压和电流的低泄漏。

    半导体装置及半导体装置的制造方法
    6.
    发明公开
    半导体装置及半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106549045A

    公开(公告)日：2017-03-29

    申请号：CN201610718061.0

    申请日：2016-08-24

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 星保幸 ,  原田祐一 ,  椎木崇

    IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

    Abstract: 提供抑制半导体装置的特性劣化并具有良好特性的半导体装置。半导体装置的源电极(8)具有由第一Ti膜(21)、第二TiN膜(22)、第二Ti膜导体装置的源电极(8)具有由第一TiN膜(20)、第一Ti膜(21)、第二TiN膜(22)、第二Ti膜(23)、Al-Si膜(24)依次层叠而成的结构。另外，半导体装置的第二保护膜(17)是聚酰胺膜。(23)、Al-Si膜(24)依次层叠而成的结构，或者半

    半导体装置
    7.
    发明授权
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN110574169B

    公开(公告)日：2023-06-23

    申请号：CN201880028792.X

    申请日：2018-09-20

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 原田祐一

    IPC: H01L29/739 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78

    Abstract: 提供一种半导体装置，具备：半导体基板，其具有晶体管区；发射电极，其设置于半导体基板上；第一虚设沟槽部，其设置于半导体基板的晶体管区，且具有与发射电极电连接的虚设导电部；以及第一接触部，其设置于晶体管区的一部分的区域，并且使设置于晶体管区的第一导电型的半导体区与发射电极电连接，该晶体管区的一部分的区域为第一虚设沟槽部的长型部的端部与半导体基板的端部之间的区域。

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