公开(公告)号：CN113892189B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202080039260.3

申请日：2020-05-26

Applicant: 富士电机株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 俵武志 ,  水岛智教 ,  松永慎一郎 ,  竹中研介 ,  武井学 ,  土田秀一 ,  村田晃一 ,  小山皓洋 ,  中山浩二 ,  染谷满 ,  米泽喜幸 ,  木内祐治

IPC: H10D30/63 ,  H10D30/01 ,  H10D12/00 ,  H10D12/01 ,  H10D18/00 ,  H10D62/10 ,  H10D62/80 ,  H10D8/00 ,  H10D8/50

Abstract: 碳化硅半导体装置(60)具有有源区(51)和配置于上述有源区(51)的外侧的终端结构部(53)。碳化硅半导体装置(60)具备第二导电型的半导体基板(1)、第二导电型的第一半导体层(2)、第一导电型的第二半导体层(4)、第二导电型的第一半导体区(6)、第一导电型的第二半导体区(7)、栅绝缘膜(9)、栅电极(10)、第一电极(11)和第二电极(12)。第二半导体层(4)的位于终端结构部(53)的端部(T)在通电时的电子密度或空穴的密度中的更小的一方的密度为1×1015/cm3以下。

公开(公告)号：CN113892189A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202080039260.3

申请日：2020-05-26

Applicant: 富士电机株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 俵武志 ,  水岛智教 ,  松永慎一郎 ,  竹中研介 ,  武井学 ,  土田秀一 ,  村田晃一 ,  小山皓洋 ,  中山浩二 ,  染谷满 ,  米泽喜幸 ,  木内祐治

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 碳化硅半导体装置(60)具有有源区(51)和配置于上述有源区(51)的外侧的终端结构部(52)。碳化硅半导体装置(60)具备第二导电型的半导体基板(1)、第二导电型的第一半导体层(2)、第一导电型的第二半导体层(4)、第二导电型的第一半导体区(6)、第一导电型的第二半导体区(7)、栅绝缘膜(9)、栅电极(10)、第一电极(11)和第二电极(12)。第二半导体层(4)的位于终端结构部(52)的端部(T)在通电时的电子密度或空穴的密度中的更小的一方的密度为1×1015/cm3以下。

公开(公告)号：CN106601641B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201610796634.1

申请日：2016-08-31

Applicant: 富士电机株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术总合研究所

Inventor： 染谷满 ,  武井学 ,  原田信介

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供即使对栅极施加AC电压，也能够正确测定导通时的阈值电压的波动的半导体装置的评价方法及半导体装置的评价装置。作为被测定物的MOSFET的漏极与恒定电压源连接，源极和基体接地。AC电压源通常对MOSFET的栅极持续施加最大电压为MOSFET的阈值电压以上的应力电压。恒定电压源在MOSFET被施加有应力电压时，向MOSFET的源极‑漏极间施加源极‑漏极间电压，并且持续测定并监视流通于MOSFET的源极‑漏极间电流。MOSFET的阈值电压的波动量基于由恒定电压源测定的MOSFET的源极‑漏极间电流的波动量而得到。

公开(公告)号：CN106601641A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610796634.1

申请日：2016-08-31

Applicant: 富士电机株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术总合研究所

Inventor： 染谷满 ,  武井学 ,  原田信介

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R31/26 ,  G01R31/2621 ,  H01L22/34 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L22/14 ,  H01L22/30

Abstract: 本发明提供即使对栅极施加AC电压，也能够正确测定导通时的阈值电压的波动的半导体装置的评价方法及半导体装置的评价装置。作为被测定物的MOSFET的漏极与恒定电压源连接，源极和基体接地。AC电压源通常对MOSFET的栅极持续施加最大电压为MOSFET的阈值电压以上的应力电压。恒定电压源在MOSFET被施加有应力电压时，向MOSFET的源极‑漏极间施加源极‑漏极间电压，并且持续测定并监视流通于MOSFET的源极‑漏极间电流。MOSFET的阈值电压的波动量基于由恒定电压源测定的MOSFET的源极‑漏极间电流的波动量而得到。