公开(公告)号：CN118398660A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202311635814.8

申请日：2023-12-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 酒井善行

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开提供一种碳化硅半导体装置及其制造方法，在沟槽栅型的碳化硅半导体装置中，能够抑制栅极电极与源极区之间的漏电流。具备：由碳化硅构成的第一导电型的漂移层；第二导电型的基区，其设置于漂移层的上表面侧；第一导电型的主区，其设置于基区的上表面侧；栅极电极，其隔着栅极绝缘膜埋入于沟槽的内侧；以及主电极，其与主区相接地设置，其中，主区具备：第一区，其下表面与基区相接；以及第二区，其与沟槽的内侧的栅极绝缘膜分离、且与主电极相接地设置于第一区的上部，第二区包括作为3C构造的3C‑SiC。

公开(公告)号：CN105493245B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201480048187.0

申请日：2014-08-08

Applicant: 富士电机株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 内海诚 ,  酒井善行 ,  福田宪司 ,  原田信介 ,  岡本光央

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/26 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/283 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7802

Abstract: 在n‑型碳化硅基板(1)的表面选择性地形成红外线吸收膜(8)，在n‑型碳化硅基板(1)上，在除红外线吸收膜(8)的形成区域以外的区域依次选择性地形成包括铝的p型接触图案(9)和包括镍的Ni图案(10)之后，通过快速退火处理对n‑型碳化硅基板(1)进行加热，形成包括p型接触图案(9)和硅化的Ni图案(10)的欧姆电极。

公开(公告)号：CN106796956B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201580054438.0

申请日：2015-12-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 熊谷直树 ,  堤岳志 ,  酒井善行 ,  大西泰彦 ,  藤本卓巳 ,  福田宪司 ,  原田信介 ,  岡本光央

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明的目的在于提供碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。在碳化硅半导体衬底的正面侧设有由p‑型阱层(4)、n+型源区(6)、栅极绝缘膜(8)和栅极(9)组成的MOS栅极结构。层间绝缘膜(10)以覆盖栅极(9)的方式设置，并与栅极绝缘膜(8)接触。钛膜(16)隔着氮化钛膜(11)覆盖层间绝缘膜(10)。源极(14)以不与层间绝缘膜(10)接触的方式设置在钛膜(16)的表面。此外，源极(14)经由钛膜(16)和正面硅化物层(12)与p‑型阱层(4)和n+型源区(6)电连接。钛膜具有在高温动作时吸附或屏蔽从源极(14)产生的氢原子或氢离子的功能。据此，能稳定获得预定的电特性，提高可靠性。

公开(公告)号：CN106796956A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580054438.0

申请日：2015-12-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 熊谷直树 ,  堤岳志 ,  酒井善行 ,  大西泰彦 ,  藤本卓巳 ,  福田宪司 ,  原田信介 ,  岡本光央

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明的目的在于提供碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。在碳化硅半导体衬底的正面侧设有由p‑型阱层(4)、n+型源区(6)、栅极绝缘膜(8)和栅极(9)组成的MOS栅极结构。层间绝缘膜(10)以覆盖栅极(9)的方式设置，并与栅极绝缘膜(8)接触。钛膜(16)隔着氮化钛膜(11)覆盖层间绝缘膜(10)。源极(14)以不与层间绝缘膜(10)接触的方式设置在钛膜(16)的表面。此外，源极(14)经由钛膜(16)和正面硅化物层(12)与p‑型阱层(4)和n+型源区(6)电连接。钛膜具有在高温动作时吸附或屏蔽从源极(14)产生的氢原子或氢离子的功能。据此，能稳定获得预定的电特性，提高可靠性。

公开(公告)号：CN105493245A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480048187.0

申请日：2014-08-08

Applicant: 富士电机株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 内海诚 ,  酒井善行 ,  福田宪司 ,  原田信介 ,  岡本光央

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/26 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/283 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7802

Abstract: 在n-型碳化硅基板(1)的表面选择性地形成红外线吸收膜(8)，在n-型碳化硅基板(1)上，在除红外线吸收膜(8)的形成区域以外的区域依次选择性地形成包括铝的p型接触图案(9)和包括镍的Ni图案(10)之后，通过快速退火处理对n-型碳化硅基板(1)进行加热，形成包括p型接触图案(9)和硅化的Ni图案(10)的欧姆电极。

公开(公告)号：CN105849877B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201580003426.5

申请日：2015-07-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 木下明将 ,  星保幸 ,  原田祐一 ,  酒井善行 ,  岩谷将伸 ,  吕民雅

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7815

Abstract: 半导体装置(100)在由碳化硅构成的n型的半导体基板(1)上具有n型的半导体层(2)、p型的基区(4)、n型的源区(6)、p型的接触区(7)、栅绝缘膜(9)、栅电极(10)和源电极(13)。半导体装置(100)在半导体基板(1)的背面具有漏电极(12)。在栅电极(10)的表面上设有层间绝缘膜(11)。层间绝缘膜(11)具有多层，该多层中的至少一层是由氮化硅膜(11b)构成。通过这样设置能够抑制半导体装置的特性的劣化。另外，能够抑制制造时的工序数量的增加。

公开(公告)号：CN105849877A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201580003426.5

申请日：2015-07-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 木下明将 ,  星保幸 ,  原田祐一 ,  酒井善行 ,  岩谷将伸 ,  吕民雅

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7815

Abstract: 半导体装置(100)在由碳化硅构成的n型的半导体基板(1)上具有n型的半导体层(2)、p型的基区(4)、n型的源区(6)、p型的接触区(7)、栅绝缘膜(9)、栅电极(10)和源电极(13)。半导体装置(100)在半导体基板(1)的背面具有漏电极(12)。在栅电极(10)的表面上设有层间绝缘膜(11)。层间绝缘膜(11)具有多层，该多层中的至少一层是由氮化硅膜(11b)构成。通过这样设置能够抑制半导体装置的特性的劣化。另外，能够抑制制造时的工序数量的增加。