公开(公告)号：CN107004716B

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201680003832.6

申请日：2016-06-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 今川铁太郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: 难以兼顾开关时振荡的抑制和大电流短路耐量的提高。提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的半导体层，具有第一面和第二面，第二面位于第一面的相反侧；以及第二导电型的半导体层，以与第一导电型的半导体层的第一面接触的方式设置，第一导电型的半导体层在从第一面向第二面的第一方向的不同位置处具有多个杂质浓度峰，第一方向上的从作为第一导电型的半导体层与第二导电型的半导体层的接合界面的第一面起，到多个杂质浓度峰中距第一面最近的第一个杂质浓度峰与距第一面第二近的第二个杂质浓度峰的边界为止的积分浓度为临界积分浓度以下。

公开(公告)号：CN101933141B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200980103495.8

申请日：2009-01-28

Applicant: 富士电机株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 百田圣自 ,  阿部和 ,  椎木崇 ,  藤井岳志 ,  吉川功 ,  今川铁太郎 ,  小山雅纪 ,  浅井诚

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。

公开(公告)号：CN105283951B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480032850.8

申请日：2014-05-29

Applicant: 株式会社电装 ,  富士电机株式会社

Inventor： 杉浦俊 ,  大仓康嗣 ,  藤井岳志 ,  今川铁太郎

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/34 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/417 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置具备：具有元件的半导体基板(12)、与上述元件连接的表面电极(18)、与上述元件连接的背面电极(14)、设置于上述半导体基板的表面上的分离区域(28)的保护膜(20)、以及设置于上述半导体基板的表面侧的温度传感器(22)。上述表面电极通过上述保护膜在至少2个方向上被分割为多个。上述分离区域包含位于相邻的上述表面电极的对置边间的对置区域(30)、和上述对置区域相交的交叉区域(32)。上述温度传感器仅配置在上述对置区域。

公开(公告)号：CN102522427A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110414104.3

申请日：2009-01-28

Applicant: 富士电机株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 百田圣自 ,  阿部和 ,  椎木崇 ,  藤井岳志 ,  吉川功 ,  今川铁太郎 ,  小山雅纪 ,  浅井诚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种半导体装置，在第1导电型基板的第1主面上形成：主电流流过的主活性区域以及第1主电极；和对流过上述主活性区域的上述主电流的变动进行检测的电流检测结构区域以及与上述第1主电极分离的第2主电极。在上述基板的第2主面上形成第3主电极，上述主活性区域具有第1沟槽栅极结构部，在上述第1沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第1虚拟沟槽结构部，上述电流检测结构区域具有第2沟槽栅极结构部，在上述第2沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第2虚拟沟槽结构部。上述主活性区域，在上述第1沟槽栅极结构部和上述第1虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第1虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第1主电极电绝缘的第1个第2导电型的层，且上述第1沟槽栅极结构部相互连接。上述电流检测结构区域，在上述第2沟槽栅极结构部和上述第2虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第2虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第2主电极电连接的第2个第2导电型的层，且上述第2沟槽栅极结构部和上述第1沟槽栅极结构部相互连接。

公开(公告)号：CN107004716A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201680003832.6

申请日：2016-06-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 今川铁太郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: 难以兼顾开关时振荡的抑制和大电流短路耐量的提高。提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的半导体层，具有第一面和第二面，第二面位于第一面的相反侧；以及第二导电型的半导体层，以与第一导电型的半导体层的第一面接触的方式设置，第一导电型的半导体层在从第一面向第二面的第一方向的不同位置处具有多个杂质浓度峰，第一方向上的从作为第一导电型的半导体层与第二导电型的半导体层的接合界面的第一面起，到多个杂质浓度峰中距第一面最近的第一个杂质浓度峰与距第一面第二近的第二个杂质浓度峰的边界为止的积分浓度为临界积分浓度以下。

公开(公告)号：CN105283951A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480032850.8

申请日：2014-05-29

Applicant: 株式会社电装 ,  富士电机株式会社

Inventor： 杉浦俊 ,  大仓康嗣 ,  藤井岳志 ,  今川铁太郎

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/34 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/417 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置具备：具有元件的半导体基板(12)、与上述元件连接的表面电极(18)、与上述元件连接的背面电极(14)、设置于上述半导体基板的表面上的分离区域(28)的保护膜(20)、以及设置于上述半导体基板的表面侧的温度传感器(22)。上述表面电极通过上述保护膜在至少2个方向上被分割为多个。上述分离区域包含位于相邻的上述表面电极的对置边间的对置区域(30)、和上述对置区域相交的交叉区域(32)。上述温度传感器仅配置在上述对置区域。

公开(公告)号：CN103022115A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210441210.5

申请日：2009-01-28

Applicant: 富士电机株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 百田圣自 ,  阿部和 ,  椎木崇 ,  藤井岳志 ,  吉川功 ,  今川铁太郎 ,  小山雅纪 ,  浅井诚

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。

公开(公告)号：CN111052394B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201980004046.1

申请日：2019-01-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 今川铁太郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种有效地利用半导体基板的焊盘间区域的半导体装置。所述半导体装置具备：多个焊盘，其在设置有晶体管部或二极管部的区域与半导体基板的上表面的第一端边之间沿排列方向排列；以及向晶体管部传递栅极电压的栅极流道部，在所述半导体装置中，栅极流道部具有：第一栅极流道，其在俯视下，通过半导体基板的第一端边与至少一个焊盘之间而设置；第二栅极流道，其在俯视下，通过至少一个焊盘与晶体管部之间而设置，晶体管部还设置在焊盘间区域，设置在焊盘间区域的栅极沟槽部与第一栅极流道连接，在延伸方向上与第二栅极流道对置(56)对比文件US 2016336435 A1,2016.11.17CN 104851907 A,2015.08.19US 2016380068 A1,2016.12.29JP 2017059817 A,2017.03.23WO 2017099096 A1,2017.06.15

公开(公告)号：CN110692140B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201880036426.9

申请日：2018-10-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小幡智幸 ,  吉田崇一 ,  今川铁太郎 ,  百田圣自

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，其是具有晶体管部和二极管部的半导体装置，该半导体装置具备：栅极金属层，其设置于半导体基板的上表面的上方；发射电极，其设置于半导体基板的上表面的上方；第一导电型的发射区，其在晶体管部设置于半导体基板的上表面侧；栅极沟槽部，其在晶体管部设置于半导体基板的上表面侧，与栅极金属层电连接并且与发射区接触；发射极沟槽部，其在二极管部设置于半导体基板的上表面侧，并与发射电极电连接；以及虚设沟槽部，其设置于半导体基板的上表面侧，与栅极金属层电连接并且不与发射区接触。

公开(公告)号：CN114144890A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080053170.X

申请日：2020-12-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 今川铁太郎

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备晶体管部和二极管部，并且具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第一导电型的蓄积区，其在晶体管部和二极管部中设置于比漂移区更靠半导体基板的正面侧的位置；以及第一寿命控制区，其在晶体管部和二极管部中设置于半导体基板的正面侧。