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公开(公告)号：CN1197170C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN00130572.7
申请日：2000-09-29
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/84
CPC classification number: B81B3/001
Abstract: 本发明涉及半导体结构及其制造方法。目的在于不使用特殊工艺而能够防止粘附(sticking)现象，并实现高成品率、低价格及高可靠性。其方法是在制作具有与基板(100)隔开并自由可动的检测构件(103)的半导体器件时，减少检测构件(103)的下表面与基板(100)的表面之间的接触面积，减少由液体表面张力(300)产生的从检测构件(103)下表面指向基板(100)表面方向的吸引力(F)。
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公开(公告)号：CN1290968A
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：CN00130572.7
申请日：2000-09-29
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: B81B3/001
Abstract: 本发明涉及半导体结构及其制造方法。目的在于不使用特殊工艺而能够防止粘附(sticking)现象,并实现高成品率、低价格及高可靠性。其方法是在制作具有与基板100隔开并自由可动的检测构件103的半导体器件时,减少检测构件103的下表面与基板100的表面之间的接触面积,减少由液体表面张力300产生的从检测构件103下表面指向基板100表面方向的吸引力F。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1083980C
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN96105485.9
申请日：1996-05-22
CPC classification number: G01P21/00 , G01P15/123 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 根据本发明的半导体加速度计，它有大量用来调整其偏移的电阻和一个所述电阻在其中是交错排列的传感元件，用来盖住传感元件的封装有至少一个接头使之可与安装有半导体加速度计的被测样品连接。根据本发明的半导体加速度计有可靠的灵敏度且能大批量生产。另外，根据本发明的用来评价传感元件性能的方法是在传感元件和绝缘体的金属表面间施加恒定或交变的电流以产生一静电力，从而传感元件的灵敏度，频率等特性能很容易被评价。
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公开(公告)号：CN1151526A
公开(公告)日：1997-06-11
申请号：CN96105485.9
申请日：1996-05-22
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G01P21/00 , G01P15/123 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 根据本发明的半导体加速度计，它有大量用来调整其偏移的电阻和一个所述电阻在其中是交错排列的传感元件，用来盖住传感元件的封装有至少一个接头使之可与安装有半导体加速度计的被测样品连接。根据本发明的半导体加速度计有可靠的灵敏度且能大批量生产。另外，根据本发明的用来评价传感元件性能的方法是在传感元件和绝缘体的金属表面间施加恒定或交变的电流以产生一静电力，从而传感元件的灵敏度，频率等特性能很容易被评价。
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公开(公告)号：CN101452925B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN200810184311.2
申请日：2008-12-03
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/488
CPC classification number: H01L25/072 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/40225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73221 , H01L2224/84205 , H01L2224/84214 , H01L2224/84801 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明，有可能容易地改变设置有封装在树脂外壳中的半导体元件的半导体器件中的至少一个接线端子的布局。提供了一种半导体器件，包括：固定支撑在树脂外壳中的多个外部连接端子；封装在该树脂外壳中的IGBT元件和FWD元件；以及设置有至少一个接线端子——各IGBT元件通过它分别电连接到外部连接端子——的至少一个端子块。根据该半导体器件的配置，在设置有封装在树脂外壳中的半导体元件的半导体器件中接线端子的布局可容易地改变。
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公开(公告)号：CN103151325A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310053571.7
申请日：2008-12-03
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L25/072 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/40225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73221 , H01L2224/84205 , H01L2224/84214 , H01L2224/84801 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明，有可能容易地改变设置有封装在树脂外壳中的半导体元件的半导体器件中的至少一个接线端子的布局。提供了一种半导体器件，包括：固定支撑在树脂外壳中的多个外部连接端子；封装在该树脂外壳中的IGBT元件和FWD元件；以及设置有至少一个接线端子——各IGBT元件通过它分别电连接到外部连接端子——的至少一个端子块。根据该半导体器件的配置，在设置有封装在树脂外壳中的半导体元件的半导体器件中接线端子的布局可容易地改变。
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公开(公告)号：CN103151325B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310053571.7
申请日：2008-12-03
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L25/072 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/40225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73221 , H01L2224/84205 , H01L2224/84214 , H01L2224/84801 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明，有可能容易地改变设置有封装在树脂外壳中的半导体元件的半导体器件中的至少一个接线端子的布局。提供了一种半导体器件，包括：固定支撑在树脂外壳中的多个外部连接端子；封装在该树脂外壳中的IGBT元件和FWD元件；以及设置有至少一个接线端子——各IGBT元件通过它分别电连接到外部连接端子——的至少一个端子块。根据该半导体器件的配置，在设置有封装在树脂外壳中的半导体元件的半导体器件中接线端子的布局可容易地改变。
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