公开(公告)号：CN1197170C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN00130572.7

申请日：2000-09-29

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 上柳胜道 ,  佐佐木光夫

IPC: H01L29/84

CPC classification number: B81B3/001

Abstract: 本发明涉及半导体结构及其制造方法。目的在于不使用特殊工艺而能够防止粘附(sticking)现象，并实现高成品率、低价格及高可靠性。其方法是在制作具有与基板(100)隔开并自由可动的检测构件(103)的半导体器件时，减少检测构件(103)的下表面与基板(100)的表面之间的接触面积，减少由液体表面张力(300)产生的从检测构件(103)下表面指向基板(100)表面方向的吸引力(F)。

公开(公告)号：CN1290968A

公开(公告)日：2001-04-11

申请号：CN00130572.7

申请日：2000-09-29

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 上柳胜道 ,  佐佐木光夫

IPC: H01L49/00 ,  H01L21/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81B3/001

Abstract: 本发明涉及半导体结构及其制造方法。目的在于不使用特殊工艺而能够防止粘附(sticking)现象,并实现高成品率、低价格及高可靠性。其方法是在制作具有与基板100隔开并自由可动的检测构件103的半导体器件时,减少检测构件103的下表面与基板100的表面之间的接触面积,减少由液体表面张力300产生的从检测构件103下表面指向基板100表面方向的吸引力F。