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公开(公告)号：CN101765905A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200780053807.X
申请日：2007-05-15
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/304 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28229 , C23C14/02 , C23C14/165 , C23C14/5853 , H01L21/02046 , H01L21/02049 , H01L21/31645 , H01L29/517 , Y10S438/906
Abstract: HfO等的介电绝缘膜由包括以下的方法形成：暴露半导体基板表面上的氟自由基，清洁该基板表面，用氟自由基或氢化物(SiH4等)进行氢封端处理，用Hf等溅射和进行氧化/氮化。这些步骤在不将基板暴露于大气下进行，因此使得可以获得具有滞后小的C-V曲线并且实现具有有利器件特性的MOS-FET。
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公开(公告)号：CN114799164B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202210453282.5
申请日：2017-11-06
Applicant: 佳能安内华股份有限公司 , 佳能株式会社
IPC: B22F3/00 , B22F7/08 , C22C1/04 , C23C14/08 , C23C14/16 , C23C14/22 , C23C14/34 , C01B3/00 , B01J20/02 , B01J20/28 , B01J20/30
Abstract: 本发明提供结构体及其制造方法。一种结构体，其中各自包含吸氢金属元素的多个粒子被配置在固定构件中，使得多个粒子相互隔离。所述多个粒子各自的表面的全体被所述固定构件包围。
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公开(公告)号：CN114799164A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210453282.5
申请日：2017-11-06
Applicant: 佳能安内华股份有限公司 , 佳能株式会社
IPC: B22F3/00 , B22F7/08 , C22C1/04 , C23C14/08 , C23C14/16 , C23C14/22 , C23C14/34 , C01B3/00 , B01J20/02 , B01J20/28 , B01J20/30
Abstract: 本发明提供结构体及其制造方法。一种结构体，其中各自包含吸氢金属元素的多个粒子被配置在固定构件中，使得多个粒子相互隔离。所述多个粒子各自的表面的全体被所述固定构件包围。
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公开(公告)号：CN101765905B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200780053807.X
申请日：2007-05-15
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/304 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28229 , C23C14/02 , C23C14/165 , C23C14/5853 , H01L21/02046 , H01L21/02049 , H01L21/31645 , H01L29/517 , Y10S438/906
Abstract: HfO等的介电绝缘膜由包括以下的方法形成：暴露半导体基板表面上的氟自由基，清洁该基板表面，用氟自由基或氢化物(SiH4等)进行氢封端处理，用Hf等溅射和进行氧化/氮化。这些步骤在不将基板暴露于大气下进行，因此使得可以获得具有滞后小的C-V曲线并且实现具有有利器件特性的MOS-FET。
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公开(公告)号：CN111295256B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201780096472.3
申请日：2017-11-06
Applicant: 佳能安内华股份有限公司 , 佳能株式会社
Abstract: 一种结构体，其中各自包含吸氢金属元素的多个粒子被配置在固定构件中，使得多个粒子相互隔离。所述多个粒子各自的表面的全体被所述固定构件包围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101812675B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010126197.5
申请日：2005-03-17
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/452 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/452 , C23C16/45565
Abstract: 本发明的课题为，对于利用具有游离基通过的多个贯通孔的隔壁板将真空反应室内分离成等离子体放电空间和基板处理空间、在等离子体放电空间中产生的游离基通过隔壁板的前述多个贯通孔导入基板处理空间、对配置在基板处理空间中的基板进行处理的装置，改善伴随隔壁板整体的更换的装置的运转成本。本发明利用隔壁本体和控制板形成隔壁板，从而解决了上述课题，其中，所述隔壁本体配有多个贯通孔，所述控制板配置在该隔壁本体的等离子体生成空间侧，在与配置在隔壁本体上的前述贯通孔对应的位置处具有游离基通过孔。
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公开(公告)号：CN101971298A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200780102156.9
申请日：2007-11-02
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02049 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/67196 , H01L29/4916 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/4975 , H01L29/517 , H01L29/66651
Abstract: 本发明提供一种表面处理设备，其中，尽管经由导入孔向处理室供给在等离子体生成室中生成的HF衍生自由基并且在自由基导入孔附近供给作为处理气体的HF气体分子、从而抑制激发能量并由此提高Si的选择性以去除自然氧化膜的干法处理，但可以实现能够实现与要求高温处理的湿法清洗等同的良好表面平坦性的表面处理，并且可以在表面处理后的基板上生长Si单晶膜。在Si单晶膜形成之后的基板的表面上，氧和碳等的杂质的量少。在Si单晶膜生长表面上溅射Hf等，之后进行氧化和硝化以形成HfO绝缘膜等的介电绝缘膜。然后形成金属电极膜。在未使基板暴露至空气的情况下执行这些步骤，界面上的杂质吸附被抑制，并且可以提供滞后小的C-V曲线。因此，在MOS-FET中，可以实现良好的器件特性。
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公开(公告)号：CN101689489A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880001348.5
申请日：2008-05-30
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/304
CPC classification number: H01L29/665 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/02049 , H01L21/02057 , H01L21/28518 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 经由导入孔将等离子体生成室中的自由基供给到处理室，并且从自由基导入孔附近供给作为处理气体的HF气体。去除掺有杂质的IV族半导体的基板表面的自然氧化膜，并且具有等于湿清洁的良好的表面粗糙度。对表面处理后的基板沉积金属材料，并且进行通过热处理的金属硅化物形成，在这些处理期间，基板不暴露于大气，并且获得了等于或优于湿处理的良好的接触电阻。
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公开(公告)号：CN101919030B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880120934.1
申请日：2008-09-19
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02049 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/67196 , H01L29/4916 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/4975 , H01L29/517 , H01L29/66651
Abstract: 本发明提供基板清洗设备及方法、在MOS结构中形成栅极绝缘膜的方法，等离子体形成室具有高频施加电极，其具有通孔，比值V2/V1被设定在0.01至0.8的范围，V1是高频施加电极的包括通孔在内的总体积，V2是通孔的总体积；等离子体约束电极板具有自由基导入孔和处理气体导入孔，等离子体约束电极板配置成与基板保持件的基板支撑面相面对且被电接地，自由基导入孔配置成允许等离子体中的中性自由基通过该孔而进入基板清洗处理室中，同时阻止等离子体中的带电粒子通过该孔，处理气体经由处理气体导入孔导入到基板清洗处理室中，从等离子体约束电极板的表面朝向放置于基板保持件的基板的表面导入自由基和处理气体，以对基板进行清洗。
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