-
公开(公告)号：CN1595499A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410075226.4
申请日：2004-09-13
Applicant: 学校法人早稻田大学 , 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/00 , G11B5/7315 , G11B5/74 , G11B5/8404 , G11B2005/001 , G11B2005/0029
Abstract: 当通过镀膜方法形成用于双层型垂直磁记录介质的软磁层时，存在着称作尖峰噪声的孤立脉冲噪声发生的问题，以使得信号的再现特性丢失。为了解决此问题，提供一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底，其包括一个直径不大于90mm的衬底；及一个设置在衬底上面或上方的由包含Co，Ni和Fe一组中选择的至少两种金属的合金镀膜形成的软磁层；其中该软磁层在平行于衬底表面的方向上的矫顽磁力少于20奥斯特(Oe)，并且其中在平行于衬底表面的方向上的饱和磁化与剩余磁化强度的比率为4∶1到4∶3；以及一种包含磁记录介质衬底的磁记录介质。
-
公开(公告)号：CN109716153A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201880002727.X
申请日：2018-04-03
IPC: G01R31/389 , G01R31/367 , G01R31/374 , H01M10/48 , H02J7/00
Abstract: 电池模块(1)具有：电池组(2)，在该电池组(2)中串联连接有电池(30(31～33))；以及评估评价部(3)，其计算电池单元(10)的劣化度，电池模块(1)包含与电池单元(10)并联连接并构成为使阻抗特性不同的标签元件(20)，评估评价部(3)具有：测定部(42)，其测定电池组(2)的第一科尔-科尔图；第一运算部(44)，其将第一科尔-科尔图分解为电池(30)的第二科尔-科尔图；第二运算部(44)，其根据第二科尔-科尔图来计算出电池单元(10)的第三科尔-科尔图；以及第三运算部(45)，其根据第三科尔-科尔图来计算出电池单元(10)的状态。
-
公开(公告)号：CN100341137C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200410087477.4
申请日：2004-10-15
Applicant: 学校法人早稻田大学 , 东京応化工业株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76801 , H01L21/76808 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76855 , H01L21/76864 , H01L21/76874 , H05K3/389 , H05K3/465 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明提供一种半导体多层布线板的制造方法，该方法使得向基板上形成低介电常数氧化硅系层间绝缘层、通过双大马士革法形成布线形成空间、在该空间上形成由有机单分子膜构成的致密且薄的防扩散膜、向上述空间上形成布线层的这些的全部工序完全湿法化、从而使制造工序简单化、降低制造成本。在使用旋涂式玻璃材料形成于基板上的低介电常数的氧化硅系层间绝缘层中形成布线层形成空间，然后，根据需要在氧化性气氛中紫外线照射，在绝缘层表面进行处理以形成Si-OH键，然后，在上述布线层形成空间内侧使用有机硅烷化合物使使硅烷系单分子层膜密合，使用钯化合物水溶液使该单分子层膜表面催化剂化，在该催化剂化的单分子层膜中通过无电解电镀形成防铜扩散性高的电镀膜，在该防铜扩散膜上形成铜镀层，由此形成布线层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109716153B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201880002727.X
申请日：2018-04-03
IPC: G01R31/389 , G01R31/367 , G01R31/374 , H01M10/48 , H02J7/00
Abstract: 电池模块(1)具有：电池组(2)，在该电池组(2)中串联连接有电池(30(31～33))；以及评估评价部(3)，其计算电池单元(10)的劣化度，电池模块(1)包含与电池单元(10)并联连接并构成为使阻抗特性不同的标签元件(20)，评估评价部(3)具有：测定部(42)，其测定电池组(2)的第一科尔‑科尔图；第一运算部(43)，其将第一科尔‑科尔图分解为电池(30)的第二科尔‑科尔图；第二运算部(44)，其根据第二科尔‑科尔图来计算出电池单元(10)的第三科尔‑科尔图；以及第三运算部(45)，其根据第三科尔‑科尔图来计算出电池单元(10)的状态。
-
公开(公告)号：CN1610091A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410087477.4
申请日：2004-10-15
Applicant: 学校法人早稻田大学 , 东京応化工业株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76801 , H01L21/76808 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76855 , H01L21/76864 , H01L21/76874 , H05K3/389 , H05K3/465 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明提供一种半导体多层布线板的制造方法，该方法使得向基板上形成低介电常数氧化硅系层间绝缘层、通过双大马士革法形成布线形成空间、在该空间上形成由有机单分子膜构成的致密且薄的防扩散膜、向上述空间上形成布线层的这些的全部工序完全湿法化、从而使制造工序简单化、降低制造成本。在使用旋涂式玻璃材料形成于基板上的低介电常数的氧化硅系层间绝缘层中形成布线层形成空间，然后，根据需要在氧化性气氛中紫外线照射，在绝缘层表面进行处理以形成Si－OH键，然后，在上述布线层形成空间内侧使用有机硅烷化合物使使硅烷系单分子层膜密合，使用钯化合物水溶液使该单分子层膜表面催化剂化，在该催化剂化的单分子层膜中通过无电解电镀形成防铜扩散性高的电镀膜，在该防铜扩散膜上形成铜镀层，由此形成布线层。
-
公开(公告)号：CN108152743B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201711245176.3
申请日：2017-12-01
IPC: G01R31/382
Abstract: 本发明提供一种电池状态推测装置，使用阻抗准确地推测电池的状态。电池状态推测装置(100)具备：取得单元(110)，在不同的多个温度下取得电池的复阻抗；计算单元(120)，计算在复平面上将所取得的多个复阻抗的在第一预定频率下的值相互连结而得到的直线的斜率来作为复阻抗的斜率，该复平面将复阻抗的实数分量及虚数分量作为轴；存储单元(130)，预先存储复阻抗的斜率和与电池相关的电池状态的关系；以及推测单元(140)，根据计算出的复阻抗的斜率和所存储的关系来推测电池状态。
-
公开(公告)号：CN1717722A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104120.6
申请日：2003-10-30
Abstract: 一种垂直磁记录介质(10)，包括非磁性衬底(1)、以及至少由软磁性材料形成的软磁性底涂层膜(2)、对准控制膜(3)，其用于控制被直接设置在其上的膜的晶体对准、垂直磁膜(5)，其易磁化轴的取向一般垂直于衬底、以及保护层(6)，所述膜和层被设置在所述衬底的上方，其中所述软磁性底涂层膜表现出磁各向同性或具有取向垂直于衬底的易磁化轴。根据本发明，可以形成没有磁畴壁的底涂层膜(2)。当采用该底涂层膜时，本发明提供垂直磁记录介质和垂直磁记录和再现装置，其表现出较高的热稳定性和优良的噪音特征，并且实现了高密度记录。
-
公开(公告)号：CN108152743A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711245176.3
申请日：2017-12-01
IPC: G01R31/36
Abstract: 本发明提供一种电池状态推测装置，使用阻抗准确地推测电池的状态。电池状态推测装置(100)具备：取得单元(110)，在不同的多个温度下取得电池的复阻抗；计算单元(120)，计算在复平面上将所取得的多个复阻抗的在第一预定频率下的值相互连结而得到的直线的斜率来作为复阻抗的斜率，该复平面将复阻抗的实数分量及虚数分量作为轴；存储单元(130)，预先存储复阻抗的斜率和与电池相关的电池状态的关系；以及推测单元(140)，根据计算出的复阻抗的斜率和所存储的关系来推测电池状态。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.043 seconds)
