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公开(公告)号：CN110253419A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910343724.9
申请日：2015-10-14
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明涉及研磨垫原材料、研磨垫的制造方法、磁盘用基板的制造方法和磁盘的制造方法。一种能够降低波长为50～200μm的微小起伏的磁盘用基板的制造方法，该制造方法包括下述研磨处理，即，用一对研磨垫夹持基板，向上述研磨垫与上述基板之间供给包含研磨磨粒的浆料，使上述研磨垫与上述基板相对滑动，由此对上述基板的两主表面进行研磨。上述研磨垫的研磨面由完成了开口处理的发泡树脂材料构成，该开口处理在上述基板的上述研磨处理前实施，其为将发泡树脂材料的至少表面膜削去而形成开口。使用上述开口处理前的上述发泡树脂材料的上述表面膜的表面粗糙度中的算术平均粗糙度Ra为0.65μm以下的发泡树脂材料作为开口处理前的研磨垫的原材料。
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公开(公告)号：CN1843997B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200610072585.3
申请日：2006-04-07
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Abstract: 本发明提供一种对玻璃基体进行镀层的方法，其可利用无电解镀层法，在由玻璃材料制成的基体上，密合性良好地、均匀地形成甚至膜厚为1μm以上的镀膜。在由玻璃材料制成的基体上，依次至少实施玻璃活化处理(S2)、硅烷偶联剂处理(S3)、Pd催化处理(S4)、Pd结合处理(S5)后，利用无电解镀层(S6)形成膜厚为0.02μm～0.5μm的预镀膜并在200℃以上350℃以下的温度下实施退火处理(S7)，在该预镀膜上实施无电解镀层(S8)。
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公开(公告)号：CN102024462A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010281082.3
申请日：2010-09-10
Applicant: 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC: G11B5/858
CPC classification number: C25D5/14 , C25D5/08 , C25D5/18 , G11B5/3106 , G11B5/3163
Abstract: 本发明涉及磁记录换能器结构中层的腐蚀保护的方法和系统。本文描述一种提供磁记录换能器中的结构的方法。该方法包括在镀液中用第一多个镀覆条件镀覆第一层。所述第一层具有第一伽伐尼电位。该方法还包括更改镀液和/或所述第一多个镀覆条件，从而提供更改的镀液和/或第二多个镀覆条件。该方法进一步包括用更改的镀液和/或第二多个镀覆条件镀覆第二层。该第二层具有第二伽伐尼电位。如果第三层邻近第一层，则第一伽伐尼电位在第二伽伐尼电位和第三层的第三伽伐尼电位之间。如果第三层邻近第二层，则第二伽伐尼电位在第一伽伐尼电位和第三伽伐尼电位之间。
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公开(公告)号：CN1716391A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510078523.9
申请日：2005-06-10
Applicant: 富士电机电子设备技术株式会社
CPC classification number: C23C18/1893 , C23C18/1865 , C23C18/1889 , G11B5/8404
Abstract: 本发明的一个目的是提供无电镀敷方法，该方法在表面粗糙度小的玻璃基材上形成良好粘着性镀膜。还提供采用这种无电镀敷方法制成的磁性记录介质及包括这样磁性记录介质的磁性记录器件。该方法包括：除去玻璃基材表面上过量碱金属步骤，包括将玻璃基材浸在含锂盐溶液中；腐蚀处理步骤，用含氢氟酸，氟化铵，盐酸，或它们的混合物的溶液，处理除去了过量碱金属的玻璃基材的表面；在经腐蚀处理的玻璃基材上形成粘着层步骤，将基材浸在氨基型或巯基型的硅烷偶联剂水溶液中；形成催化剂层步骤，在基材的粘着层上用氯化钯或钯形成催化剂层；无电镀敷步骤，在催化剂层上形成无电镀膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114144384A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080052827.0
申请日：2020-07-22
Applicant: HOYA株式会社
IPC: C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/091 , C03C3/093 , C03C3/095 , G11B5/73 , G11B5/84 , G11B5/85 , G11B5/851 , G11B5/858 , G11B17/038 , G11B23/00
Abstract: 提供一种磁记录介质基板用玻璃，其为SiO2含量为54摩尔％以上62摩尔％以下、MgO含量为15摩尔％以上28摩尔％以下、Li2O含量为0.2摩尔％以上、以及Na2O含量为5摩尔％以下的非晶态玻璃。
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公开(公告)号：CN102610241B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201110224268.X
申请日：2011-08-02
Applicant: 西部数据传媒公司
CPC classification number: G11B5/8404 , G11B5/653 , G11B5/66 , G11B5/858
Abstract: 本发明涉及用于高温应用的无电涂覆磁盘及其制造方法。本发明提供一种用于硬盘驱动器的磁盘。该磁盘包括含有铝的衬底以及设置在该衬底上的涂层。该涂层包括Ni、X1和X2的合金，其中X1包括从由Ag、Au、B、Cr、Cu、Ga、In、Mn、Mo、Nb、Pb、Sb、Se、Sn、Te、W、Zn和Zr构成的组中选择的一种或多于一种元素，且其中X2包括B或P，且其中X1和X2不包括相同的元素。
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公开(公告)号：CN1843997A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610072585.3
申请日：2006-04-07
Applicant: 富士电机电子设备技术株式会社
Abstract: 本发明提供一种对玻璃基体进行镀层的方法，其可利用无电解镀层法，在由玻璃材料制成的基体上，密合性良好地、均匀地形成甚至膜厚为1μm以上的镀膜。在由玻璃材料制成的基体上，依次至少实施玻璃活化处理(S2)、硅烷偶联剂处理(S3)、Pd催化处理(S4)、Pd结合处理(S5)后，利用无电解镀层(S6)形成膜厚为0.02μm～0.5μm的预镀膜并在200℃以上350℃以下的温度下实施退火处理(S7)，在该预镀膜上实施无电解镀层(S8)。
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公开(公告)号：CN1695182A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN03825181.7
申请日：2003-03-19
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种能进行高密度记录和高速记录的、重写特性优良的、具有均匀特性的高品质、大容量的磁记录介质等。本发明的磁记录介质是在基板上具有在与该基板面大致垂直的方向上形成了多个细孔的多孔质层而构成，在该细孔的内部，从上述基板侧开始依次具有软磁性层和强磁性层，(1)该强磁性层的厚度为该软磁性层的厚度或其以下，(2)该强磁性层的厚度是由在记录时使用的线记录密度决定的最小位长的1/3倍～3倍的任意一个。本发明的磁记录介质的制造方法是上述磁记录介质的记录方法，包括：多孔质层形成工序，在基板上形成多孔质层形成材料层后，对该多孔质层形成材料层进行多孔质化处理，在与该基板面大致垂直的方向上形成多个细孔，形成多孔质层；软磁性层形成工序，在该细孔的内部形成软磁性层；以及，强磁性层形成工序，在该软磁性层上形成强磁性层。
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