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公开(公告)号：CN101522558A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037936.X
申请日：2007-10-11
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 斯蒂芬·戴 , 托马斯·海因茨-海尔牧特·奥特贝莫 , 乔纳森·赫夫南
CPC classification number: H01L29/78696 , B81C99/008 , B81C2201/0191 , B82Y10/00 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L21/02664 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/42392 , H01L29/66409 , H01L29/868 , H01L33/20 , H01L33/54 , Y10T428/24744
Abstract: 本发明提供一种包封低维结构的方法，所述方法包括在第一衬底上形成第一组(3a)低维结构(1)和第二组(3b)低维结构(1)。将第一组(3a)低维结构(1)和第二组(3b)低维结构(1)包封在基体(5)中，并且第一组(3a)低维结构(1)与第二组(3b)低维结构(1)被以分离方式包封。在包封后，第一组(3a)低维结构(1)可以与第二组(3b)低维结构(1)分离。然后每组可以例如通过转移到第二衬底(7)进行处理。当低维结构形成时，一组中的低维结构的数量和一组的纵横比被限定，并因此可以比使用图案形成技术限定组的传统方法更精确地进行控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102105963A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128672.8
申请日：2009-07-24
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 克里斯蒂安·郎 , 詹姆斯·黄英俊 , 托马斯·海因茨-海尔姆特·阿尔特巴梅尔 , 斯蒂芬·戴 , 乔纳森·汉夫纳恩
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02658 , B82Y10/00 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02521 , H01L31/03529 , H01L31/0543 , H01L31/1804 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T428/24355 , Y10T428/24364 , H01L2924/00
Abstract: 一种生长薄膜的方法，所述方法包括：通过在衬底上共形地形成至少一个层来生长薄膜，所述衬底具有从衬底的表面伸出的结构，从而每个共形层形成在衬底的表面上和从所述表面伸出的结构上。共形层的厚度或共形层的厚度之和至少是结构的平均间隔的二分之一；设置结构的高度、结构的平均间隔以及结构的最小尺寸的大小中的至少一个，以针对每个共形层提供(与平面结构上的生长速率相比)提高的生长速率。
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公开(公告)号：CN104106145A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201380008744.1
申请日：2013-02-26
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 斯蒂芬·戴 , 詹姆斯·安德鲁·罗伯特·迪莫克 , 马蒂亚斯·考尔
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0445 , H01L31/18 , B82Y20/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L31/035281 , B82Y30/00 , H01L31/075 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种非紧密封装的垂直结光伏器件，包括：衬底；细长纳米结构的二维阵列，所述细长纳米结构沿与衬底的表面基本垂直的方向延伸；以及薄膜太阳能电池位于所述纳米结构上，使得薄膜太阳能电池基本符合纳米结构的形状。最相邻的涂覆太阳能电池的纳米结构的平均间隔大于零并小于与薄膜太阳能电池的吸收带隙相对应的光的真空波长。所述薄膜太阳能电池包括：有源区域，符合细长纳米结构；第一电极，符合有源区域的表面；以及第二电极。沿相邻细长纳米结构延伸的第一电极的相对外表面的间隔大于零并小于与有源区域的带隙相对应的光的真空波长。
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公开(公告)号：CN102105963B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN200980128672.8
申请日：2009-07-24
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 克里斯蒂安·郎 , 詹姆斯·黄英俊 , 托马斯·海因茨-海尔姆特·阿尔特巴梅尔 , 斯蒂芬·戴 , 乔纳森·汉夫纳恩
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02658 , B82Y10/00 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02521 , H01L31/03529 , H01L31/0543 , H01L31/1804 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T428/24355 , Y10T428/24364 , H01L2924/00
Abstract: 一种生长薄膜的方法，所述方法包括：通过在衬底上共形地形成至少一个层来生长薄膜，所述衬底具有从衬底的表面伸出的结构，从而每个共形层形成在衬底的表面上和从所述表面伸出的结构上。共形层的厚度或共形层的厚度之和至少是结构的平均间隔的二分之一；设置结构的高度、结构的平均间隔以及结构的最小尺寸的大小中的至少一个，以针对每个共形层提供(与平面结构上的生长速率相比)提高的生长速率。
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公开(公告)号：CN101522558B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200780037936.X
申请日：2007-10-11
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 斯蒂芬·戴 , 托马斯·海因茨-海尔牧特·奥特贝莫 , 乔纳森·赫夫南
CPC classification number: H01L29/78696 , B81C99/008 , B81C2201/0191 , B82Y10/00 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L21/02664 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/42392 , H01L29/66409 , H01L29/868 , H01L33/20 , H01L33/54 , Y10T428/24744
Abstract: 本发明提供一种包封低维结构的方法，所述方法包括在第一衬底上形成第一组(3a)低维结构(1)和第二组(3b)低维结构(1)。将第一组(3a)低维结构(1)和第二组(3b)低维结构(1)包封在基体(5)中，并且第一组(3a)低维结构(1)与第二组(3b)低维结构(1)被以分离方式包封。在包封后，第一组(3a)低维结构(1)可以与第二组(3b)低维结构(1)分离。然后每组可以例如通过转移到第二衬底(7)进行处理。当低维结构形成时，一组中的低维结构的数量和一组的纵横比被限定，并因此可以比使用图案形成技术限定组的传统方法更精确地进行控制。
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公开(公告)号：CN102007068A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980111501.4
申请日：2009-03-30
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 托马斯·赫兹-赫尔默特·阿尔特巴梅尔 , 斯蒂芬·戴 , 克里斯蒂安·郎 , 彼德·内尔·泰勒 , 约内山·汉夫纳恩
CPC classification number: B81C1/00634 , B81B2203/0361 , B81B2203/058 , B81C99/008 , B82Y10/00 , H01L51/0012 , H01L51/003 , H01L51/0048
Abstract: 一种制造包括多个低维度结构的结构的方法，所述方法包括：提供柔性元件(1b，14)，所述柔性元件将两个或更多个低维度结构连接至衬底。所述柔性元件使得可以例如将低维度结构重新取向为实质上与衬底平行。此外或备选地，这使得没有彼此对齐的低维度结构可以沿共同的方向对齐。
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