公开(公告)号：CN102105963B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN200980128672.8

申请日：2009-07-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 克里斯蒂安·郎 ,  詹姆斯·黄英俊 ,  托马斯·海因茨-海尔姆特·阿尔特巴梅尔 ,  斯蒂芬·戴 ,  乔纳森·汉夫纳恩

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02658 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02521 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/1804 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24364 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种生长薄膜的方法，所述方法包括：通过在衬底上共形地形成至少一个层来生长薄膜，所述衬底具有从衬底的表面伸出的结构，从而每个共形层形成在衬底的表面上和从所述表面伸出的结构上。共形层的厚度或共形层的厚度之和至少是结构的平均间隔的二分之一；设置结构的高度、结构的平均间隔以及结构的最小尺寸的大小中的至少一个，以针对每个共形层提供(与平面结构上的生长速率相比)提高的生长速率。

公开(公告)号：CN102105963A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980128672.8

申请日：2009-07-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 克里斯蒂安·郎 ,  詹姆斯·黄英俊 ,  托马斯·海因茨-海尔姆特·阿尔特巴梅尔 ,  斯蒂芬·戴 ,  乔纳森·汉夫纳恩

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02658 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02521 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/1804 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24364 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种生长薄膜的方法，所述方法包括：通过在衬底上共形地形成至少一个层来生长薄膜，所述衬底具有从衬底的表面伸出的结构，从而每个共形层形成在衬底的表面上和从所述表面伸出的结构上。共形层的厚度或共形层的厚度之和至少是结构的平均间隔的二分之一；设置结构的高度、结构的平均间隔以及结构的最小尺寸的大小中的至少一个，以针对每个共形层提供(与平面结构上的生长速率相比)提高的生长速率。