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公开(公告)号：CN102292411B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201080005254.2
申请日：2010-01-26
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y30/00 , C01B21/06 , C01B21/0632 , C01B21/064 , C01B21/068 , C01B21/072 , C01P2002/72 , C01P2002/74 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09K11/62 , C30B7/06 , C30B29/38 , C30B29/403 , C30B29/60
Abstract: 本申请提供了一种光发射氮化物纳米粒子，例如纳米晶体，所述氮化物纳米粒子具有至少1％的光致发光量子产率。该量子产率显著地高于现有氮化物纳米粒子的量子产率，所述现有氮化物纳米粒子仅具有弱发射并且对于所制备的纳米粒子的尺寸的控制差。纳米粒子包含至少一种提供在氮化物晶体的表面上的并含有用于钝化晶体表面氮原子的受电子基团的封端剂。本发明还提供了非发射氮化物纳米粒子。
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公开(公告)号：CN102292410B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201080005243.4
申请日：2010-01-26
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C30B7/06 , B82Y30/00 , C01B21/06 , C01B21/0632 , C01B21/064 , C01B21/068 , C01B21/072 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09K11/025 , C09K11/62 , C30B29/38 , C30B29/403 , C30B29/60 , Y10S977/773 , Y10S977/816
Abstract: 一种制备氮化物纳米粒子的方法，所述方法包括由包括以下各项的成分制备氮化物纳米粒子：含有金属、硅或硼的材料，含有氮的材料，以及封端剂，所述封端剂具有受电子基团，所述受电子基团用于增加氮化物纳米结构体的量子产率。可以获得具有至少1％，并且高达20％以上的光致发光量子产率的氮化物纳米粒子，例如氮化物纳米晶体。
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公开(公告)号：CN102292410A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005243.4
申请日：2010-01-26
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C30B7/06 , B82Y30/00 , C01B21/06 , C01B21/0632 , C01B21/064 , C01B21/068 , C01B21/072 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09K11/025 , C09K11/62 , C30B29/38 , C30B29/403 , C30B29/60 , Y10S977/773 , Y10S977/816
Abstract: 一种制备氮化物纳米粒子的方法，所述方法包括由包括以下各项的成分制备氮化物纳米粒子：含有金属、硅或硼的材料，含有氮的材料，以及封端剂，所述封端剂具有受电子基团，所述受电子基团用于增加氮化物纳米结构体的量子产率。可以获得具有至少1％，并且高达20％以上的光致发光量子产率的氮化物纳米粒子，例如氮化物纳米晶体。
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公开(公告)号：CN104781185A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380058998.4
申请日：2013-11-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 阿拉斯泰尔·詹姆斯·丹尼尔·格伦迪 , 彼得·尼尔·泰勒 , 迈克尔·艾伦·施罗伊德 , 斯图尔特·爱德华·胡帕 , 乔纳森·汉夫纳恩
CPC classification number: C01B21/072 , B82Y30/00 , C01B21/06 , C01B21/0632 , C01B21/0637 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2004/64 , C09K11/02 , C09K11/54 , C09K11/62 , C09K11/64 , C30B7/14 , C30B29/38 , C30B29/60
Abstract: 一种制造氮化物纳米粒子的方法，所述方法包括使至少一种有机金属化合物，例如烷基金属，与至少一种氮源反应。反应可以涉及一种或多种液相有机金属化合物，或者可以涉及一种或多种溶解于溶剂或溶剂混合物中的液相有机金属化合物。可以将反应组分加热至想要的反应温度(例如在40℃至300℃的范围内)。
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公开(公告)号：CN102105963A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128672.8
申请日：2009-07-24
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 克里斯蒂安·郎 , 詹姆斯·黄英俊 , 托马斯·海因茨-海尔姆特·阿尔特巴梅尔 , 斯蒂芬·戴 , 乔纳森·汉夫纳恩
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02658 , B82Y10/00 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02521 , H01L31/03529 , H01L31/0543 , H01L31/1804 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T428/24355 , Y10T428/24364 , H01L2924/00
Abstract: 一种生长薄膜的方法，所述方法包括：通过在衬底上共形地形成至少一个层来生长薄膜，所述衬底具有从衬底的表面伸出的结构，从而每个共形层形成在衬底的表面上和从所述表面伸出的结构上。共形层的厚度或共形层的厚度之和至少是结构的平均间隔的二分之一；设置结构的高度、结构的平均间隔以及结构的最小尺寸的大小中的至少一个，以针对每个共形层提供(与平面结构上的生长速率相比)提高的生长速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104781185B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380058998.4
申请日：2013-11-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 阿拉斯泰尔·詹姆斯·丹尼尔·格伦迪 , 彼得·尼尔·泰勒 , 迈克尔·艾伦·施罗伊德 , 斯图尔特·爱德华·胡帕 , 乔纳森·汉夫纳恩
CPC classification number: C01B21/072 , B82Y30/00 , C01B21/06 , C01B21/0632 , C01B21/0637 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2004/64 , C09K11/02 , C09K11/54 , C09K11/62 , C09K11/64 , C30B7/14 , C30B29/38 , C30B29/60
Abstract: 一种制造氮化物纳米粒子的方法，所述方法包括使至少一种有机金属化合物，例如烷基金属，与至少一种氮源反应。反应可以涉及一种或多种液相有机金属化合物，或者可以涉及一种或多种溶解于溶剂或溶剂混合物中的液相有机金属化合物。可以将反应组分加热至想要的反应温度(例如在40℃至300℃的范围内)。
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公开(公告)号：CN102105963B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN200980128672.8
申请日：2009-07-24
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 克里斯蒂安·郎 , 詹姆斯·黄英俊 , 托马斯·海因茨-海尔姆特·阿尔特巴梅尔 , 斯蒂芬·戴 , 乔纳森·汉夫纳恩
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02658 , B82Y10/00 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02521 , H01L31/03529 , H01L31/0543 , H01L31/1804 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T428/24355 , Y10T428/24364 , H01L2924/00
Abstract: 一种生长薄膜的方法，所述方法包括：通过在衬底上共形地形成至少一个层来生长薄膜，所述衬底具有从衬底的表面伸出的结构，从而每个共形层形成在衬底的表面上和从所述表面伸出的结构上。共形层的厚度或共形层的厚度之和至少是结构的平均间隔的二分之一；设置结构的高度、结构的平均间隔以及结构的最小尺寸的大小中的至少一个，以针对每个共形层提供(与平面结构上的生长速率相比)提高的生长速率。
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公开(公告)号：CN102344164B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201110211652.6
申请日：2011-07-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 彼德·内尔·泰勒 , 乔纳森·汉夫纳恩 , 斯图尔特·爱德华·胡帕 , 蒂姆·迈克尔·斯密顿
CPC classification number: H01L33/06 , C01B21/0615 , C01B21/0632 , C01B21/072 , C09K11/623 , H01L31/032 , H01L33/26 , Y02E10/549 , Y10S977/773
Abstract: 本申请提供氮化物半导体纳米粒子，例如纳米晶体，所述纳米粒子由II-III-N类型的新化合物半导体家族形式的新组成物质制成，所述化合物为例如ZnGaN、ZnInN、ZnInGaN、ZnAlN、ZnAlGaN、ZnAlInN和ZnAlGaInN。此类型的化合物半导体纳米晶体以前在现有技术中是未知的。本发明还公开了II-N半导体纳米晶体，例如ZnN纳米晶体，它是II-III-N类半导体纳米晶体的一个子类。可以控制新的并且新颖的II-III-N化合物半导体纳米晶体的组成和尺寸以便设计它们的带隙和光发射性质。在紫外-可见-红外波长范围内的有效光发射得到证实。本发明的产品可以用作光电设备如太阳能电池、发光二极管、激光二极管的组件，并且可以用作LED和发射EL显示器用的发光磷光体材料。
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公开(公告)号：CN102344165A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110211685.0
申请日：2011-07-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 彼德·内尔·泰勒 , 乔纳森·汉夫纳恩 , 斯图尔特·爱德华·胡帕 , 蒂姆·迈克尔·斯密顿
CPC classification number: C09K11/623 , C09K11/625 , C09K11/642 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供一种Zn-(II)-III-N类型的化合物半导体家族形式的新组成的物质，这里III表示周期表第III族中的一种或多种元素并且(II)表示周期表第II族中的一种或多种任选的其它元素。此家族中的成员包括：例如，ZnGaN、ZnInN、ZnInGaN、ZnAlN、ZnAlGaN、ZnAlInN或ZnAlGaInN。此类型的化合物半导体材料以前在现有技术中是未知的。可以控制新的Zn-(II)-III-N化合物半导体材料的组成以便设计它的带隙和光发射性质。在紫外-可见-红外波长范围内的有效光发射得到了证实。本发明的产品可以用作光电设备如太阳能电池、发光二极管、激光二极管的组件，以及作为用于LED和发射EL显示器的发光磷光体材料。
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公开(公告)号：CN102344164A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110211652.6
申请日：2011-07-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 彼德·内尔·泰勒 , 乔纳森·汉夫纳恩 , 斯图尔特·爱德华·胡帕 , 蒂姆·迈克尔·斯密顿
CPC classification number: H01L33/06 , C01B21/0615 , C01B21/0632 , C01B21/072 , C09K11/623 , H01L31/032 , H01L33/26 , Y02E10/549 , Y10S977/773
Abstract: 本申请提供氮化物半导体纳米粒子，例如纳米晶体，所述纳米粒子由II-III-N类型的新化合物半导体家族形式的新组成物质制成，所述化合物为例如ZnGaN、ZnInN、ZnInGaN、ZnAlN、ZnAlGaN、ZnAlInN和ZnAlGaInN。此类型的化合物半导体纳米晶体以前在现有技术中是未知的。本发明还公开了II-N半导体纳米晶体，例如ZnN纳米晶体，它是II-III-N类半导体纳米晶体的一个子类。可以控制新的并且新颖的II-III-N化合物半导体纳米晶体的组成和尺寸以便设计它们的带隙和光发射性质。在紫外-可见-红外波长范围内的有效光发射得到证实。本发明的产品可以用作光电设备如太阳能电池、发光二极管、激光二极管的组件，并且可以用作LED和发射EL显示器用的发光磷光体材料。
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