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公开(公告)号：CN102610719A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210012118.7
申请日：2012-01-16
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 斯图尔特·爱德华·胡帕 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L33/0066
Abstract: 本发明提供了一种层压基板体系，所述层压基板体系含有变质过渡区(2)，所述变质过渡区(2)由多个交替的AlxGa1-xN(5)和支撑基板材料(4)(或者与支撑基板具有相同的一般化学组成的材料)层制成。在层压基板体系之上形成具有低位错密度的III-氮化物半导体器件(2)。变质过渡区的多个层(4，5)形成超晶格结构，该超晶格结构的晶格常数和结构沿其生长方向从支撑基板(1)的(在支撑基板附近的)晶格常数和结构变化为器件(3)的(器件附近的)晶格常数和结构。
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公开(公告)号：CN104781185B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380058998.4
申请日：2013-11-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 阿拉斯泰尔·詹姆斯·丹尼尔·格伦迪 , 彼得·尼尔·泰勒 , 迈克尔·艾伦·施罗伊德 , 斯图尔特·爱德华·胡帕 , 乔纳森·汉夫纳恩
CPC classification number: C01B21/072 , B82Y30/00 , C01B21/06 , C01B21/0632 , C01B21/0637 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2004/64 , C09K11/02 , C09K11/54 , C09K11/62 , C09K11/64 , C30B7/14 , C30B29/38 , C30B29/60
Abstract: 一种制造氮化物纳米粒子的方法，所述方法包括使至少一种有机金属化合物，例如烷基金属，与至少一种氮源反应。反应可以涉及一种或多种液相有机金属化合物，或者可以涉及一种或多种溶解于溶剂或溶剂混合物中的液相有机金属化合物。可以将反应组分加热至想要的反应温度(例如在40℃至300℃的范围内)。
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公开(公告)号：CN104781185A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380058998.4
申请日：2013-11-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 阿拉斯泰尔·詹姆斯·丹尼尔·格伦迪 , 彼得·尼尔·泰勒 , 迈克尔·艾伦·施罗伊德 , 斯图尔特·爱德华·胡帕 , 乔纳森·汉夫纳恩
CPC classification number: C01B21/072 , B82Y30/00 , C01B21/06 , C01B21/0632 , C01B21/0637 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2004/64 , C09K11/02 , C09K11/54 , C09K11/62 , C09K11/64 , C30B7/14 , C30B29/38 , C30B29/60
Abstract: 一种制造氮化物纳米粒子的方法，所述方法包括使至少一种有机金属化合物，例如烷基金属，与至少一种氮源反应。反应可以涉及一种或多种液相有机金属化合物，或者可以涉及一种或多种溶解于溶剂或溶剂混合物中的液相有机金属化合物。可以将反应组分加热至想要的反应温度(例如在40℃至300℃的范围内)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101369531B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200810210944.6
申请日：2008-08-15
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 , 凯瑟琳·路易斯·史密斯 , 马修·泽维尔·先尼 , 斯图尔特·爱德华·胡帕
CPC classification number: H01L31/101 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L29/127 , H01L29/2003 , H01L33/06 , H01S5/3412 , H01S5/34333 , H01S5/4087
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在半导体表面上沉积半导体层，所述半导体表面包括具有第一(平均表面晶格)参数值的至少一个第一区域和具有与所述第一值不同的第二参数值的至少一个第二区域；在半导体表面上沉积半导体层到一个厚度，使得自组织岛形成覆盖第一区域和第二区域。参数值的差别意味着覆盖第一区域的岛具有第一平均参数值以及覆盖第二区域的岛具有不同于第一平均值的第二平均参数值；在岛上沉积覆盖层，并且覆盖层具有比岛更大的禁止带隙，藉此岛形成量子点，覆盖第一区域和第二区域的量子点由于第一和第二区域岛之间的不同具有不同的特性。本发明还涉及一种利用该方法制造的半导体器件。
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公开(公告)号：CN102344164B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201110211652.6
申请日：2011-07-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 彼德·内尔·泰勒 , 乔纳森·汉夫纳恩 , 斯图尔特·爱德华·胡帕 , 蒂姆·迈克尔·斯密顿
CPC classification number: H01L33/06 , C01B21/0615 , C01B21/0632 , C01B21/072 , C09K11/623 , H01L31/032 , H01L33/26 , Y02E10/549 , Y10S977/773
Abstract: 本申请提供氮化物半导体纳米粒子，例如纳米晶体，所述纳米粒子由II-III-N类型的新化合物半导体家族形式的新组成物质制成，所述化合物为例如ZnGaN、ZnInN、ZnInGaN、ZnAlN、ZnAlGaN、ZnAlInN和ZnAlGaInN。此类型的化合物半导体纳米晶体以前在现有技术中是未知的。本发明还公开了II-N半导体纳米晶体，例如ZnN纳米晶体，它是II-III-N类半导体纳米晶体的一个子类。可以控制新的并且新颖的II-III-N化合物半导体纳米晶体的组成和尺寸以便设计它们的带隙和光发射性质。在紫外-可见-红外波长范围内的有效光发射得到证实。本发明的产品可以用作光电设备如太阳能电池、发光二极管、激光二极管的组件，并且可以用作LED和发射EL显示器用的发光磷光体材料。
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公开(公告)号：CN102344165A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110211685.0
申请日：2011-07-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 彼德·内尔·泰勒 , 乔纳森·汉夫纳恩 , 斯图尔特·爱德华·胡帕 , 蒂姆·迈克尔·斯密顿
CPC classification number: C09K11/623 , C09K11/625 , C09K11/642 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供一种Zn-(II)-III-N类型的化合物半导体家族形式的新组成的物质，这里III表示周期表第III族中的一种或多种元素并且(II)表示周期表第II族中的一种或多种任选的其它元素。此家族中的成员包括：例如，ZnGaN、ZnInN、ZnInGaN、ZnAlN、ZnAlGaN、ZnAlInN或ZnAlGaInN。此类型的化合物半导体材料以前在现有技术中是未知的。可以控制新的Zn-(II)-III-N化合物半导体材料的组成以便设计它的带隙和光发射性质。在紫外-可见-红外波长范围内的有效光发射得到了证实。本发明的产品可以用作光电设备如太阳能电池、发光二极管、激光二极管的组件，以及作为用于LED和发射EL显示器的发光磷光体材料。
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公开(公告)号：CN102344164A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110211652.6
申请日：2011-07-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 彼德·内尔·泰勒 , 乔纳森·汉夫纳恩 , 斯图尔特·爱德华·胡帕 , 蒂姆·迈克尔·斯密顿
CPC classification number: H01L33/06 , C01B21/0615 , C01B21/0632 , C01B21/072 , C09K11/623 , H01L31/032 , H01L33/26 , Y02E10/549 , Y10S977/773
Abstract: 本申请提供氮化物半导体纳米粒子，例如纳米晶体，所述纳米粒子由II-III-N类型的新化合物半导体家族形式的新组成物质制成，所述化合物为例如ZnGaN、ZnInN、ZnInGaN、ZnAlN、ZnAlGaN、ZnAlInN和ZnAlGaInN。此类型的化合物半导体纳米晶体以前在现有技术中是未知的。本发明还公开了II-N半导体纳米晶体，例如ZnN纳米晶体，它是II-III-N类半导体纳米晶体的一个子类。可以控制新的并且新颖的II-III-N化合物半导体纳米晶体的组成和尺寸以便设计它们的带隙和光发射性质。在紫外-可见-红外波长范围内的有效光发射得到证实。本发明的产品可以用作光电设备如太阳能电池、发光二极管、激光二极管的组件，并且可以用作LED和发射EL显示器用的发光磷光体材料。
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公开(公告)号：CN101369531A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810210944.6
申请日：2008-08-15
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 , 凯瑟琳·路易斯·史密斯 , 马修·泽维尔·先尼 , 斯图尔特·爱德华·胡帕
CPC classification number: H01L31/101 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L29/127 , H01L29/2003 , H01L33/06 , H01S5/3412 , H01S5/34333 , H01S5/4087
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在半导体表面上沉积半导体层，所述半导体表面包括具有第一(平均表面晶格)参数值的至少一个第一区域和具有与所述第一值不同的第二参数值的至少一个第二区域；在半导体表面上沉积半导体层到一个厚度，使得自组织岛形成覆盖第一区域和第二区域。参数值的差别意味着覆盖第一区域的岛具有第一平均参数值以及覆盖第二区域的岛具有不同于第一平均值的第二平均参数值；在岛上沉积覆盖层，并且覆盖层具有比岛更大的禁止带隙，藉此岛形成量子点，覆盖第一区域和第二区域的量子点由于第一和第二区域岛之间的不同具有不同的特性。本发明还涉及一种利用该方法制造的半导体器件。
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