公开(公告)号：CN101369531A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810210944.6

申请日：2008-08-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 ,  凯瑟琳·路易斯·史密斯 ,  马修·泽维尔·先尼 ,  斯图尔特·爱德华·胡帕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L31/101 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/127 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在半导体表面上沉积半导体层，所述半导体表面包括具有第一(平均表面晶格)参数值的至少一个第一区域和具有与所述第一值不同的第二参数值的至少一个第二区域；在半导体表面上沉积半导体层到一个厚度，使得自组织岛形成覆盖第一区域和第二区域。参数值的差别意味着覆盖第一区域的岛具有第一平均参数值以及覆盖第二区域的岛具有不同于第一平均值的第二平均参数值；在岛上沉积覆盖层，并且覆盖层具有比岛更大的禁止带隙，藉此岛形成量子点，覆盖第一区域和第二区域的量子点由于第一和第二区域岛之间的不同具有不同的特性。本发明还涉及一种利用该方法制造的半导体器件。

公开(公告)号：CN108140879A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058136.5

申请日：2016-10-26

Applicant: 夏普株式会社 ,  法拉迪翁有限公司

Inventor： 乔舒亚·查尔斯·特雷彻 ,  凯瑟琳·路易斯·史密斯 ,  艾玛·肯德里克

IPC: H01M10/054 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525

CPC classification number: H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/381 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/054 ,  H01M10/446 ,  H01M2010/4292

Abstract: 本发明的一方面提供了一种方法，包括：制造具有负极和正极的钠离子二次单电池，所述负极包含在负极基材上的包含无序碳的负极活性材料，并且所述正极包含在正极基材上的含镍的钠氧化物正极活性材料；并且在循环阶段，对所述单电池充电至第一电压；其中所述负极活性材料的质量对所述正极活性材料的质量的比大于0.37且小于1.2。

公开(公告)号：CN108140880A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058409.6

申请日：2016-10-27

Applicant: 夏普株式会社 ,  法拉迪翁有限公司

Inventor： 艾玛·肯德里克 ,  凯瑟琳·路易斯·史密斯 ,  乔舒亚·查尔斯·特雷彻

IPC: H01M10/054 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525

CPC classification number: H01M10/049 ,  H01M4/0447 ,  H01M4/131 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/587 ,  H01M10/054 ,  H01M2004/027 ,  H01M2004/028 ,  Y02W30/84

Abstract: 一种操作可再充电钠离子单电池的方法，其中该单电池包含作为无序碳的负极材料以及含镍钠氧化物正极材料，所述方法包括：在化成充电阶段，将单电池充电至钠从正极材料不可逆释放的第一电压；以及在后续的充电-放电循环中，将单电池充电至低于第一电压的第二电压。在化成充电阶段单电池的充电电压可以选择成使得在化成充电阶段从正极材料不可逆释放的钠量基本上等于在化成充电阶段中在负极上的表面电解质层中沉积的钠量。

公开(公告)号：CN101369531B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200810210944.6

申请日：2008-08-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 ,  凯瑟琳·路易斯·史密斯 ,  马修·泽维尔·先尼 ,  斯图尔特·爱德华·胡帕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L31/101 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/127 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在半导体表面上沉积半导体层，所述半导体表面包括具有第一(平均表面晶格)参数值的至少一个第一区域和具有与所述第一值不同的第二参数值的至少一个第二区域；在半导体表面上沉积半导体层到一个厚度，使得自组织岛形成覆盖第一区域和第二区域。参数值的差别意味着覆盖第一区域的岛具有第一平均参数值以及覆盖第二区域的岛具有不同于第一平均值的第二平均参数值；在岛上沉积覆盖层，并且覆盖层具有比岛更大的禁止带隙，藉此岛形成量子点，覆盖第一区域和第二区域的量子点由于第一和第二区域岛之间的不同具有不同的特性。本发明还涉及一种利用该方法制造的半导体器件。