公开(公告)号：CN105684159B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201480058657.1

申请日：2014-10-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本贤治 ,  小出直城 ,  邹柳民 ,  小林正道

IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/28 ,  H01L31/0747

Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变大，从而提高元件特性的光电转换装置。光电转换元件(10)具备硅基板(12)、第1非晶态半导体层(20n)、第2非晶态半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。一方的电极(22n)包括第1导电层(26n、26p)和第2导电层(28n、28p)。第1导电层(26n、26p)将第1金属作为主要成分。第2导电层(28n、28p)包含比第1金属更容易被氧化的第2金属，与第1导电层(26n、26p)相接地形成，并且与第1导电层(26n、26p)相比更配置于硅基板(12)的附近。

公开(公告)号：CN105659388B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201480058321.5

申请日：2014-10-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本贤治 ,  小出直城 ,  松本雄太 ,  中村淳一

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/036 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H02S10/00 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态半导体层上的电极的接触电阻变高，从而提高元件特性的光电转换元件。光电转换元件(10)具备半导体基板(12)、第1半导体层(20n)、第2半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。第1半导体层具有第1导电类型。第2半导体层具有第2导电类型。第1电极形成于第1半导体层上。第2电极形成于第2半导体层上。第1电极包括形成于第1半导体层上的第1透明导电层(26n)和形成于第1透明导电层上的第1金属层(28n)。第1金属层包括第1金属层的面内方向上的平均晶体粒径大于第1金属层的厚度的多个金属晶粒。

公开(公告)号：CN104620395A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380047351.1

申请日：2013-09-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山元良高 ,  小出直城

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光电转换元件和该光电转换元件的制造方法，包括设置在半导体基板的一个表面的整个面的i型非单晶膜，半导体基板和i型非单晶膜的界面是平坦的。

公开(公告)号：CN105684159A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480058657.1

申请日：2014-10-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本贤治 ,  小出直城 ,  邹柳民 ,  小林正道

IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/28 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/036 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变大，从而提高元件特性的光电转换装置。光电转换元件(10)具备硅基板(12)、第1非晶态半导体层(20n)、第2非晶态半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。一方的电极(22n)包括第1导电层(26n、26p)和第2导电层(28n、28p)。第1导电层(26n、26p)将第1金属作为主要成分。第2导电层(28n、28p)包含比第1金属更容易被氧化的第2金属，与第1导电层(26n、26p)相接地形成，并且与第1导电层(26n、26p)相比更配置于硅基板(12)的附近。

公开(公告)号：CN105659388A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480058321.5

申请日：2014-10-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本贤治 ,  小出直城 ,  松本雄太 ,  中村淳一

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/036 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H02S10/00 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态半导体层上的电极的接触电阻变高，从而提高元件特性的光电转换元件。光电转换元件(10)具备半导体基板(12)、第1半导体层(20n)、第2半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。第1半导体层具有第1导电类型。第2半导体层具有第2导电类型。第1电极形成于第1半导体层上。第2电极形成于第2半导体层上。第1电极包括形成于第1半导体层上的第1透明导电层(26n)和形成于第1透明导电层上的第1金属层(28n)。第1金属层包括第1金属层的面内方向上的平均晶体粒径大于第1金属层的厚度的多个金属晶粒。

公开(公告)号：CN104662673B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201380049902.8

申请日：2013-09-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  木本贤治 ,  小出直城 ,  山元良高

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种光电转换元件及其制造方法，该光电转换元件包括：第一导电型的半导体基板；第一导电型的第一非晶膜，设置在该半导体基板的一个表面的整个面；第一导电性氧化物层，设置在该第一非晶膜上；第一导电型的第二非晶膜，设置在该半导体基板的另一个表面的一部分；第二导电性氧化物层，设置在该第二非晶膜上；第二导电型的第三非晶膜，设置在该半导体基板的另一个表面的其他的一部分；以及第三导电性氧化物层，设置在该第三非晶膜上，该第一导电性氧化物层的导电率比该第二导电性氧化物层以及该第三导电性氧化物层的导电率低，该第一导电性氧化物层的透过率比该第二导电性氧化物层以及该第三导电性氧化物层的透过率高。

公开(公告)号：CN104662673A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380049902.8

申请日：2013-09-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  木本贤治 ,  小出直城 ,  山元良高

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种光电转换元件及其制造方法，该光电转换元件包括：第一导电型的半导体基板；第一导电型的第一非晶膜，设置在该半导体基板的一个表面的整个面；第一导电性氧化物层，设置在该第一非晶膜上；第一导电型的第二非晶膜，设置在该半导体基板的另一个表面的一部分；第二导电性氧化物层，设置在该第二非晶膜上；第二导电型的第三非晶膜，设置在该半导体基板的另一个表面的其他的一部分；以及第三导电性氧化物层，设置在该第三非晶膜上，该第一导电性氧化物层的导电率比该第二导电性氧化物层以及该第三导电性氧化物层的导电率低，该第一导电性氧化物层的透过率比该第二导电性氧化物层以及该第三导电性氧化物层的透过率高。

公开(公告)号：CN101326676A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200680046410.3

申请日：2006-10-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 千叶恭男 ,  韩礼元 ,  小出直城 ,  城户政美

IPC: H01M14/00 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明提供提高了光电转换效率的光电转换元件及使用该光电转换元件的太阳能电池。一种光电转换元件，其由吸附了染料的多孔半导体层(11)构成的光电转换层(31)、载流子输送层(4)和一对电极构成(3，7)，其中，所述光电转换层(31)的所述多孔半导体层(31)整体在近红外区的雾度为60％～95％。特别是当多孔半导体层(11)由多个层构成时，优选距光的入射侧最远的所述多孔半导体层在近红外区的雾度为60％～95％。

公开(公告)号：CN105659389B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201480058683.4

申请日：2014-10-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本贤治 ,  小出直城 ,  稗田健 ,  中村淳一

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变高，从而提高元件特性的光电转换元件。光电转换元件(10)具备半导体基板(12)、第1半导体层(20n)、第2半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。第1半导体层(20n)具有第1导电类型。第2半导体层(20p)具有与第1导电类型相反的第2导电类型。第1电极(22n)形成于第1半导体层(20n)上。第2电极(22p)形成于第2半导体层(20p)上。第1电极(22n)以及第2电极(22p)中的至少一方的电极包括多个金属晶粒。电极的面内方向上的金属晶粒的平均晶体粒径大于电极的厚度。

公开(公告)号：CN105981180B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580007656.9

申请日：2015-01-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  神川刚 ,  辻埜和也 ,  小出直城 ,  浅野直城 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 光电转换元件具备n型单晶硅基板(1)。n型单晶硅基板(1)包括中心区域(11)和端部区域(12)。中心区域(11)是被具有与n型单晶硅基板(1)的中心点相同的中心点、并且将n型单晶硅基板(1)的四边中的最短的边的长度的40％的长度设为直径的圆包围的区域。并且，中心区域(11)具有厚度t1。端部区域(12)是从n型单晶硅基板(1)的端部起5mm以内的区域。并且，端部区域(12)配置于在n型单晶硅基板(1)的面内方向上比中心区域(11)更靠外侧的位置，具有比厚度t1薄的厚度t2。另外，端部区域(12)具有比中心区域(11)的平均面粗糙度小的平均面粗糙度。