-
公开(公告)号：CN114586470A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201980101083.4
申请日：2019-10-29
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 木本贤治
Abstract: 发光元件(5R)具备：作为阳极的第一电极(22)；作为阴极的第二电极(25)；设置在第一电极(22)和第二电极(25)之间的发光层(35R)；设置在第一电极(22)和发光层(35R)之间的空穴注入层(33)；以及设置在空穴注入层(33)和发光层(35R)之间的空穴输送层(34)，在空穴注入层(33)和空穴输送层(34)之间具有绝缘体层(37)。空穴注入层(33)、绝缘体层(37)和空穴输送层(34)分别由具有1种以上的阳离子和1种以上的阴离子的化合物构成，所述阴离子由元素周期表第15族或第16族的元素构成，绝缘体层(37)中所含的阳离子的平均氧化数大于空穴输送层(34)中所含的阳离子的平均氧化数，且小于空穴注入层(33)中所含的阳离子的平均氧化数。
-
公开(公告)号：CN104995742A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008328.6
申请日：2014-03-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 木本贤治
IPC: H01L31/0376 , H01L31/075
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/03762 , H01L31/075 , Y02E10/548
Abstract: 本申请是一种光电转换元件，包括半导体(1)、在该半导体(1)上设置且含有氢化非晶硅的本征层(4)、第一导电型层(6)、第二导电型层(8)、覆盖所述本征层(4)的一部分的第一绝缘层(5)、第一电极(9)以及第二电极(10)，其特征在于，所述第一导电型层(6)的一部分以及所述第二导电型层(8)的一部分位于所述本征层(4)和所述第一绝缘层(5)相接的区域的上方。
-
公开(公告)号：CN101425541B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200810184257.1
申请日：2008-09-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/78 , G02F1/133 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及采用该半导体元件的装置，通过以较低的电压进行高速的写入及擦除动作，且抑制重写劣化，以低成本提供存储窗大且可靠性高的存储器元件。存储器元件具有：设于绝缘衬底上的半导体层；为P型导电类型的第一扩散层区域及第二扩散层区域；将第一扩散层区域和第二扩散层区域之间的沟道区域覆盖并可从沟道区域注入电荷的电荷蓄积膜；隔着电荷蓄积膜位于沟道区域的相反侧的栅极电极。
-
公开(公告)号：CN113498631A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201980092917.X
申请日：2019-02-26
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 发光元件(2)依次具备阳极(4)、空穴输送层(6)、包含多个量子点(16)的发光层(8)、电子输送层(10)以及阴极(12)。而且所述发光元件在所述空穴输送层和所述电子输送层的至少一方和所述发光层之间具备电荷阻挡层(14)。所述电荷阻挡层作为元素，包含构成氧化物半导体的过渡金属元素、Al、Mg以及Si中的至少一个、O。
-
公开(公告)号：CN111902957A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201880091627.9
申请日：2018-03-29
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 维持发光元件的发光效率。以使该发光元件的结构简单化为目的，本发明提供一种发光元件(2)，该发光元件包括阴极(4)、阳极(12)、在阴极和阳极之间的发光层(8)、在所述发光层和所述阴极之间的电子传输层(6)以及在所述发光层和所述阳极之间的空穴传输层，针对所述发光层的每一个发光波长设置多个子像素(RP，GP，BP)，针对每一个子像素设置所述发光层和所述电子传输层，针对至少多个所述子像素共通设置所述空穴传输层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104995748A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008353.4
申请日：2014-03-03
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 木本贤治
IPC: H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/03762 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/075 , Y02E10/547
Abstract: 一种光电转换元件，包括半导体、在半导体上设置且含有氢化非晶硅的本征层、覆盖本征层的一部分且含有第一导电型的氢化非晶硅的第一导电型层、含有第二导电型的氢化非晶硅的第二导电型层以及覆盖第一导电型层的端部区域的绝缘膜，第二导电型层的端部位于绝缘膜上或者绝缘膜上方。
-
公开(公告)号：CN105684159B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201480058657.1
申请日：2014-10-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L21/28 , H01L31/0747
Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变大，从而提高元件特性的光电转换装置。光电转换元件(10)具备硅基板(12)、第1非晶态半导体层(20n)、第2非晶态半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。一方的电极(22n)包括第1导电层(26n、26p)和第2导电层(28n、28p)。第1导电层(26n、26p)将第1金属作为主要成分。第2导电层(28n、28p)包含比第1金属更容易被氧化的第2金属，与第1导电层(26n、26p)相接地形成，并且与第1导电层(26n、26p)相比更配置于硅基板(12)的附近。
-
公开(公告)号：CN105659388B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201480058321.5
申请日：2014-10-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/036 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H02S10/00 , Y02E10/547
Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态半导体层上的电极的接触电阻变高，从而提高元件特性的光电转换元件。光电转换元件(10)具备半导体基板(12)、第1半导体层(20n)、第2半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。第1半导体层具有第1导电类型。第2半导体层具有第2导电类型。第1电极形成于第1半导体层上。第2电极形成于第2半导体层上。第1电极包括形成于第1半导体层上的第1透明导电层(26n)和形成于第1透明导电层上的第1金属层(28n)。第1金属层包括第1金属层的面内方向上的平均晶体粒径大于第1金属层的厚度的多个金属晶粒。
-
公开(公告)号：CN107980180A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201580082362.2
申请日：2015-08-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/022466 , H01L31/072 , H01L31/0747 , H01L31/075 , Y02E10/50
Abstract: 光电转换元件具备：半导体基板(1)；第一i型半导体膜(2)，其设置于半导体基板(1)的一侧的表面的一部分；第一半导体区域，其由设置在第一i型半导体膜(2)上的第一导电型半导体膜(3)构成；以及第一电极层(9)，其设置在第一半导体区域上，所述光电转换元件具有第一导电膜(11a)，其夹装在第一半导体区域与第一电极层(9)之间的局部。
-
公开(公告)号：CN104995747A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008279.6
申请日：2014-03-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 木本贤治
IPC: H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/075 , Y02E10/50
Abstract: 一种光电转换元件，包括在第一导电型的半导体上设置且含有氢化非晶硅的本征层、覆盖本征层的一部分且含有第一导电型的氢化非晶硅的第一导电型层、含有第二导电型的氢化非晶硅的第二导电型层以及绝缘层，第一电极经由第二导电型层设置在第一导电型层上，并且，第一电极的至少一部分位于第一导电型层和本征层相接的区域的上方，第二电极的至少一部分位于第二导电型层和本征层相接的区域的上方。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.032 seconds)
