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公开(公告)号：CN1298058C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200410003659.9
申请日：2004-02-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/305
Abstract: 本发明公开了一种单片结构的半导体发光元件，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在第一导电类型的半导体衬底上的活性层；形成在活性层上的第二导电类型的覆层；以及，形成在第二导电类型的覆层上的电流扩散层，其中活性层为第一导电类型。
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公开(公告)号：CN1804677A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610005477.4
申请日：2006-01-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02B26/10
CPC classification number: G02B26/085 , G02B26/105
Abstract: 本发明公开一种光扫描装置。将光从发光元件(22B)朝着可绕轴线(L2)进行角变位的扫描反射镜(11)的厚度方向的表面(31)出射。第一和第二受光部(14A，14B)的至少其中一方，接受从发光元件(22B)出射并被反射反射镜(50B)反射的光。第一和第二受光部(14A，14B)以及信号输出部(24)，输出包含表示接受所述光的位置的位置信息的电信号。该位置信息，表示扫描反射镜(11)的角变位量，驱动部(21)基于该位置信息来使扫描反射镜(11)扫描，并能够使从第一光源(12)出射的光照射在预定的照射位置上。
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公开(公告)号：CN101136324A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710182153.2
申请日：2007-07-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , H01S5/343 , C30B25/14 , C30B31/16
CPC classification number: H01S5/34326 , B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S2304/04 , Y10S438/931
Abstract: 在使未掺杂Mg的III－V族化合物半导体层结晶生长之后，在使Mg掺杂III－V族化合物半导体层结晶生长之前，设置了不从III族元素原料容器向反应区域(反应炉)供给III族元素原料TMG、TMA、TMI，另一方面从V族元素原料容器、掺杂物原料容器向反应区域(反应炉)分别供给V族元素原料PH3、Mg掺杂物原料的预流期间t11、t12。根据该半导体制造方法，能够正确控制Mg的掺杂分布图。
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公开(公告)号：CN1521867A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN200410003659.9
申请日：2004-02-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/305
Abstract: 本发明公开了一种单片结构的半导体发光元件，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在第一导电类型的半导体衬底上的活性层；形成在活性层上的第二导电类型的覆层；以及，形成在第二导电类型的覆层上的电流扩散层，其中活性层为第一导电类型。
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公开(公告)号：CN1086249C
公开(公告)日：2002-06-12
申请号：CN96108527.4
申请日：1996-07-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光器件包括：第一导电型的化合物半导体衬底；在此衬底上形成的多层结构，它至少包括发光用的活性层，活性层插在第一导电类型的下覆盖层和第二导电型的上覆盖层之间；在多层结构上形成的第二导电类型的中间层；以及在中间层上形成的第二导电类型的电流扩散层。中间层可减少上覆盖层和电流扩散层之间的至少一个晶格错位，和减少结形成前在上覆盖层和电流扩散层之间显示的能带图中导带底和/或价带顶能级的差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105659389B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201480058683.4
申请日：2014-10-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变高，从而提高元件特性的光电转换元件。光电转换元件(10)具备半导体基板(12)、第1半导体层(20n)、第2半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。第1半导体层(20n)具有第1导电类型。第2半导体层(20p)具有与第1导电类型相反的第2导电类型。第1电极(22n)形成于第1半导体层(20n)上。第2电极(22p)形成于第2半导体层(20p)上。第1电极(22n)以及第2电极(22p)中的至少一方的电极包括多个金属晶粒。电极的面内方向上的金属晶粒的平均晶体粒径大于电极的厚度。
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公开(公告)号：CN105659389A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480058683.4
申请日：2014-10-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/03762 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H02S10/00 , Y02E10/547
Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变高，从而提高元件特性的光电转换元件。光电转换元件(10)具备半导体基板(12)、第1半导体层(20n)、第2半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。第1半导体层(20n)具有第1导电类型。第2半导体层(20p)具有与第1导电类型相反的第2导电类型。第1电极(22n)形成于第1半导体层(20n)上。第2电极(22p)形成于第2半导体层(20p)上。第1电极(22n)以及第2电极(22p)中的至少一方的电极包括多个金属晶粒。电极的面内方向上的金属晶粒的平均晶体粒径大于电极的厚度。
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公开(公告)号：CN105659388B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201480058321.5
申请日：2014-10-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/036 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H02S10/00 , Y02E10/547
Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态半导体层上的电极的接触电阻变高，从而提高元件特性的光电转换元件。光电转换元件(10)具备半导体基板(12)、第1半导体层(20n)、第2半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。第1半导体层具有第1导电类型。第2半导体层具有第2导电类型。第1电极形成于第1半导体层上。第2电极形成于第2半导体层上。第1电极包括形成于第1半导体层上的第1透明导电层(26n)和形成于第1透明导电层上的第1金属层(28n)。第1金属层包括第1金属层的面内方向上的平均晶体粒径大于第1金属层的厚度的多个金属晶粒。
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公开(公告)号：CN100511590C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710182153.2
申请日：2007-07-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , H01S5/343 , C30B25/14 , C30B31/16
CPC classification number: H01S5/34326 , B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S2304/04 , Y10S438/931
Abstract: 在使未掺杂Mg的III-V族化合物半导体层结晶生长之后，在使Mg掺杂III-V族化合物半导体层结晶生长之前，设置了不从III族元素原料容器向反应区域(反应炉)供给III族元素原料TMG、TMA、TMI，另一方面从V族元素原料容器、掺杂物原料容器向反应区域(反应炉)分别供给V族元素原料PH3、Mg掺杂物原料的预流期间t11、t12。根据该半导体制造方法，能够正确控制Mg的掺杂分布图。
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