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公开(公告)号：CN1271760C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200410038742.X
申请日：2004-03-26
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2086 , H01S5/2226 , H01S5/2231 , H01S5/3403 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2301/173 , H01S2304/00
Abstract: 提供一种即使在高功率操作中仍高度可靠并具有长寿命的半导体激光器件，以及一种使用该半导体激光器件的光盘装置。一种具有大于760nm且小于800nm振荡波长的半导体激光器件，其中：在n型GaAs衬底(101)上，依次叠置有n型第一和第二下包层(103、104)，下波导层(105)、量子阱有源层(107)、上波导层(109)和p型上包层(110)。该量子阱有源层由按如下方式交替排列的两层InGaAsP压缩应变量子阱层和三层InGaAsP势垒层构成，该交替排列方式使n-侧势垒层存在于下波导层的一侧，且p-侧势垒层存在于上波导层的一侧。该n-侧势垒层具有130的厚度，以使空穴难以隧穿。该p-侧势垒层具有50的厚度，以促进空穴的隧穿。
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公开(公告)号：CN1533004A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410038742.X
申请日：2004-03-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2086 , H01S5/2226 , H01S5/2231 , H01S5/3403 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2301/173 , H01S2304/00
Abstract: 提供一种即使在高功率操作中仍高度可靠并具有长寿命的半导体激光器件，以及一种使用该半导体激光器件的光盘装置。一种具有大于760nm且小于800nm振荡波长的半导体激光器件，其中：在n型GaAs衬底(101)上，依次叠置有n型第一和第二下包层(103、104)，下波导层(105)、量子阱有源层(107)、上波导层(109)和p型上包层(110)。该量子阱有源层由按如下方式交替排列的两层InGaAsP压缩应变量子阱层和三层InGaAsP势垒层构成，该交替排列方式使n－侧势垒层存在于下波导层的一侧，且p－侧势垒层存在于上波导层的一侧。该n－侧势垒层具有130的厚度，以使空穴难以隧穿。该p－侧势垒层具有50的厚度，以促进空穴的隧穿。
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公开(公告)号：CN1499685A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310104682.2
申请日：2003-10-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/127 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/3086 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2301/173
Abstract: 一种半导体激光器件具有至少一层第一导电型下覆盖层，一层量子势阱活性层和一层第二导电型上覆盖层，它们是堆积在第一导电型GaAs基底上的。该量子势阱活性层是由交替堆积的、由以InGaAs为基的材料制成的阻挡层和势阱层组成的。该量了势阱活性层是在用第二导电型杂质掺杂中生长的，为的是让该半导体激光器件除具有长的寿命之外，即使在大功率的驱动这时也能显示出高可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100511590C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710182153.2
申请日：2007-07-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , H01S5/343 , C30B25/14 , C30B31/16
CPC classification number: H01S5/34326 , B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S2304/04 , Y10S438/931
Abstract: 在使未掺杂Mg的III-V族化合物半导体层结晶生长之后，在使Mg掺杂III-V族化合物半导体层结晶生长之前，设置了不从III族元素原料容器向反应区域(反应炉)供给III族元素原料TMG、TMA、TMI，另一方面从V族元素原料容器、掺杂物原料容器向反应区域(反应炉)分别供给V族元素原料PH3、Mg掺杂物原料的预流期间t11、t12。根据该半导体制造方法，能够正确控制Mg的掺杂分布图。
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公开(公告)号：CN1293685C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200410059538.6
申请日：2004-03-26
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2086 , H01S5/2226 , H01S5/2231 , H01S5/3403 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2301/173 , H01S2304/00
Abstract: 在具有大于760nm并小于800nm的振荡波长的半导体激光装置中，在n-型GaAs衬底(101)上，依次堆叠有n-型第一和第二下覆盖层(103，104)、下波导层(105)、GaAs下界面保护层(106)、InGaAsP应变多量子阱有源层(107)、GaAs上界面保护层(108)、上波导层(109)和p-型AlGaAs上覆盖层(110)。量子阱有源层(107)与上波导层(109)之间的界面和量子阱有源层(107)与上波导层(105)之间的界面变得陡峭，晶体的外延生长也变得良好。
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公开(公告)号：CN1551431A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410059538.6
申请日：2004-03-26
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2086 , H01S5/2226 , H01S5/2231 , H01S5/3403 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2301/173 , H01S2304/00
Abstract: 在具有大于760nm并小于800nm的振荡波长的半导体激光装置中，在n－型GaAs衬底(101)上，依次堆叠有n－型第一和第二下覆盖层(103，104)、下波导层(105)、GaAs下界面保护层(106)、InGaAsP应变多量子阱有源层(107)、GaAs上界面保护层(108)、上波导层(109)和p－型AlGaAs上覆盖层(110)。量子阱有源层(107)与上波导层(109)之间的界面和量子阱有源层(107)与上波导层(105)之间的界面变得陡峭，晶体的外延生长也变得良好。
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公开(公告)号：CN1307757C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200310104682.2
申请日：2003-10-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/127 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/3086 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2301/173
Abstract: 一种半导体激光器件具有至少一层第一导电型下覆盖层，一层量子势阱活性层和一层第二导电型上覆盖层，它们是堆积在第一导电型GaAs基底上的。该量子势阱活性层是由交替堆积的、由以InGaAs为基的材料制成的阻挡层和势阱层组成的。该量子势阱活性层是在用第二导电型杂质掺杂中生长的，为的是让该半导体激光器件除具有长的寿命之外，即使在大功率的驱动这时也能显示出高可靠性。
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公开(公告)号：CN101136324A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710182153.2
申请日：2007-07-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , H01S5/343 , C30B25/14 , C30B31/16
CPC classification number: H01S5/34326 , B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S2304/04 , Y10S438/931
Abstract: 在使未掺杂Mg的III－V族化合物半导体层结晶生长之后，在使Mg掺杂III－V族化合物半导体层结晶生长之前，设置了不从III族元素原料容器向反应区域(反应炉)供给III族元素原料TMG、TMA、TMI，另一方面从V族元素原料容器、掺杂物原料容器向反应区域(反应炉)分别供给V族元素原料PH3、Mg掺杂物原料的预流期间t11、t12。根据该半导体制造方法，能够正确控制Mg的掺杂分布图。
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