公开(公告)号：CN101237014A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810004903.1

申请日：2008-01-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  相生明雄 ,  驹田聪 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 一种氮化物半导体发光装置，包括衬底，以及从靠近衬底一侧开始依次堆叠在该衬底上的第一n型氮化物半导体层、发射层、p型氮化物半导体层、金属层和第二n型氮化物半导体层，其中电极提供在第二n型氮化物半导体层的表面上或者在所述第二n型氮化物半导体层的表面的上方。该金属层优选由贮氢合金制造。

公开(公告)号：CN100401601C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200410086916.X

申请日：2004-10-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 滨冈治 ,  中津弘志 ,  市川英树

IPC: H01S5/026

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/4087 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体激光器件，包括一体子安装件(3)，所述子安装件(3)由预定材料(例如SiC或AlN)组成并放置在安装表面(9)上。激光二极管(1)放置在子安装件(3)上表面的前部分。由晶体硅组成的监视光电二极管(4)堆叠在从激光二极管(1)向后的子安装件3上表面的一部分上。

公开(公告)号：CN1855370B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200610074666.7

申请日：2006-04-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 笔田麻佑子 ,  中津弘志

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/12 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明公开了一种制造氮化物基半导体器件的方法和如此制造的发光器件，该方法包括如下步骤：于第一衬底温度在衬底(1；11；21；31；41)上生长InxAlyGa1-x-yN(0≤x，0≤y，x+y＜1)缓冲层(2；12；22；32；42)，和于第二衬底温度在所述缓冲层上生长第一导电类型氮化物基半导体层(4；14；24；34；44)。第一衬底温度高于第二衬底温度。

公开(公告)号：CN1630109A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410010488.2

申请日：2004-10-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大山尚一 ,  村上哲朗 ,  仓桥孝尚 ,  山本修 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明公开一种具有半导体压层的半导体发光元件，该压层包括有源层以及阶梯，其中，该有源层发射出预定发射波长的光，该阶梯位于超过该有源层的深度位置处。该元件还具有相对发射波长透明的衬底，位于该半导体压层的一个表面上的第一电极，以及位于该阶梯上的第二电极。相对发射波长透明的衬底提高了外发射效率。该第一和第二电极的位置基本阻止了电流流过半导体压层和衬底之间的直接连接介面。即使在该直接连接介面中由于小丘等而产生不完全连接的情况下，该元件也展现了良好的电特性。

公开(公告)号：CN1610197A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410086916.X

申请日：2004-10-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 滨冈治 ,  中津弘志 ,  市川英树

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/0683

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/4087 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体激光器件，包括一体子安装件(3)，所述子安装件(3)由预定材料(例如SiC或AlN)组成并放置在安装表面(9)上。激光二极管(1)放置在子安装件(3)上表面的前部分。由晶体硅组成的监视光电二极管(4)堆叠在从激光二极管(1)向后的子安装件3上表面的一部分上。

公开(公告)号：CN1497746A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310101530.7

申请日：2003-10-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 仓桥孝尚 ,  中津弘志 ,  村上哲朗 ,  大山尚一

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 由单层或多层半导体层组成的发光层4在未掺杂型、弱p型，或者n型第一半导体衬底上进行层叠。由单层或多层组成的n型半导体层5－7在该发光层4上进行层叠。对于发光层4所发射光的波长透明的第二半导体层8在n型半导体层7的表面形成。然后，第一半导体衬底被去除。对于发光层所发射光的波长透明的透明电极层9在通过去除第一半导体衬底所暴露的平面上形成。

公开(公告)号：CN104364917A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380031117.X

申请日：2013-05-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中津弘志 ,  井上知也 ,  野中健太朗 ,  浅井俊晶 ,  竹冈忠士 ,  谷善彦

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/22 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0033 ,  H01L33/20

Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)具备：基板(3)、设置在基板(3)上的缓冲层(5)、设置在缓冲层(5)上的基底层(7)、设置在基底层(7)上的n侧氮化物半导体层、设置在n侧氮化物半导体层上的MQW发光层(14)、和设置在MQW发光层(14)上的p侧氮化物半导体层，关于作为构成氮化物半导体发光元件(1)的各层的结晶面的(004)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(004)为40arcsec以下，或者关于(102)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(102)为130arcsec以下，同一工作电流下的25℃时的光输出P(25)和80℃时的光输出P(80)的比率P(80)/P(25)为95％以上。

公开(公告)号：CN1521867A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410003659.9

申请日：2004-02-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田清久 ,  中津弘志 ,  佐佐木和明 ,  中村淳一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/305

Abstract: 本发明公开了一种单片结构的半导体发光元件，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在第一导电类型的半导体衬底上的活性层；形成在活性层上的第二导电类型的覆层；以及，形成在第二导电类型的覆层上的电流扩散层，其中活性层为第一导电类型。

公开(公告)号：CN1495926A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03160266.5

申请日：2003-06-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 仓桥孝尚 ,  村上哲朗 ,  大山尚一 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/105

Abstract: 本发明公开了一种谐振腔型发光二极管，包括：由n型AlAs或Al0.5Ga0.5As制成的第一DBR；量子阱有源层；由p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P或Al0.5In0.5P制成的第二DBR；以及，位于n型GaAs衬底上的n型电流限制层。第一DBR和第二DBR形成谐振腔。量子阱有源层形成在谐振腔内驻波的波腹位置处。在第二DBR与电流限制层之间，提供有p型GaP蚀刻保护层，其具有通过用厚度除以电阻率而获得的1×103Ω或更高的值。由于电流限制层中形成的电流流动通道的电流几乎不会扩散到电流流动通道的外侧，所以几乎不会生成低电流密度区域而造成量子阱层响应速度的下降。因此，该发光二极管有很好的高速响应。

公开(公告)号：CN1086249C

公开(公告)日：2002-06-12

申请号：CN96108527.4

申请日：1996-07-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中村淳一 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/14

Abstract: 一种半导体发光器件包括：第一导电型的化合物半导体衬底；在此衬底上形成的多层结构，它至少包括发光用的活性层，活性层插在第一导电类型的下覆盖层和第二导电型的上覆盖层之间；在多层结构上形成的第二导电类型的中间层；以及在中间层上形成的第二导电类型的电流扩散层。中间层可减少上覆盖层和电流扩散层之间的至少一个晶格错位，和减少结形成前在上覆盖层和电流扩散层之间显示的能带图中导带底和/或价带顶能级的差。