公开(公告)号：CN103563057B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201280026268.1

申请日：2012-06-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·A·吉罗恩 ,  E·A·约瑟夫 ,  刘菲 ,  章贞

IPC: H01L21/31

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81C1/00952 ,  H01H1/0094 ,  H01H2001/0078

Abstract: 公开了一种制造例如MEMS或NEMS开关的机电设备的方法。该方法包括提供布置在绝缘层之上的硅层，绝缘层布置在硅衬底上；从绝缘层释放硅层的一部分，使得其至少部分地悬浮在绝缘层中的空腔之上；在至少硅层的释放部分的至少一个表面上沉积金属（例如，Pt），并且利用热工艺，利用沉积的金属完全硅化至少硅层的释放部分。该方法消除了硅化物引起的对释放Si构件的应力，因为整个Si构件都硅化了。此外，在形成完全硅化的材料之后，不使用常规的湿化学蚀刻，由此减少造成硅化物腐蚀和增加静摩擦的可能性。

公开(公告)号：CN103107199A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210384182.8

申请日：2012-10-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·B·常 ,  M·克劳德 ,  M·A·吉罗恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/775 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/938

Abstract: 本发明涉及图形化碳纳米管中的接触。更具体而言，涉及一种结构，其包括具有布置在表面之上的碳纳米管（CNT）的衬底。CNT部分地布置在保护性电绝缘层中。该结构还包括布置在衬底之上的栅极堆。CNT的没有被保护性电绝缘层覆盖的长度的第一部分穿过栅极堆。源极接触和漏极接触与栅极堆相邻布置，其中CNT的没有被保护性电绝缘层覆盖的长度的第二部分和第三部分导电耦合到源极接触和漏极接触。栅极堆及源极接触与漏极接触包含在保护性电绝缘层中并且包含在布置在保护性电绝缘层之上的电绝缘有机平面化层中。还描述了一种制造基于CNT的晶体管的方法。

公开(公告)号：CN103107199B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201210384182.8

申请日：2012-10-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·B·常 ,  M·克劳德 ,  M·A·吉罗恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/775 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/938

Abstract: 本发明涉及图形化碳纳米管中的接触。更具体而言，涉及一种结构，其包括具有布置在表面之上的碳纳米管（CNT）的衬底。CNT部分地布置在保护性电绝缘层中。该结构还包括布置在衬底之上的栅极堆。CNT的没有被保护性电绝缘层覆盖的长度的第一部分穿过栅极堆。源极接触和漏极接触与栅极堆相邻布置，其中CNT的没有被保护性电绝缘层覆盖的长度的第二部分和第三部分导电耦合到源极接触和漏极接触。栅极堆及源极接触与漏极接触包含在保护性电绝缘层中并且包含在布置在保护性电绝缘层之上的电绝缘有机平面化层中。还描述了一种制造基于CNT的晶体管的方法。

公开(公告)号：CN104303276A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380025170.9

申请日：2013-03-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·常 ,  M·A·吉罗恩 ,  B·普兰萨蒂哈兰 ,  J·W·斯莱特

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76202 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1108

Abstract: 本发明的实施例提供了一种防止相邻半导体器件的电气短路的方法。所述方法包括：在基板(109)上形成多个场效应晶体管的多个鳍(101-104)；在所述多个鳍中的第一(102)和第二(103)鳍之间形成至少一个阻挡结构(162)；以及从所述多个鳍生长外延膜(181-188)，所述外延膜从至少所述第一和第二鳍的侧壁水平地延伸，并且抵达位于所述第一和第二鳍之间的阻挡结构。

公开(公告)号：CN103563057A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280026268.1

申请日：2012-06-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·A·吉罗恩 ,  E·A·约瑟夫 ,  刘菲 ,  章贞

IPC: H01L21/31

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81C1/00952 ,  H01H1/0094 ,  H01H2001/0078

Abstract: 本发明公开了一种制造例如MEMS或NEMS开关的机电设备的方法。该方法包括提供布置在绝缘层之上的硅层，绝缘层布置在硅衬底上；从绝缘层释放硅层的一部分，使得其至少部分地悬浮在绝缘层中的空腔之上；在至少硅层的释放部分的至少一个表面上沉积金属（例如，Pt），并且利用热工艺，利用沉积的金属完全硅化至少硅层的释放部分。该方法消除了硅化物引起的对释放Si构件的应力，因为整个Si构件都硅化了。此外，在形成完全硅化的材料之后，不使用常规的湿化学蚀刻，由此减少造成硅化物腐蚀和增加静摩擦的可能性。