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公开(公告)号：CN102668150A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080053617.X
申请日：2010-11-04
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L51/001 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/0558
Abstract: 一种场效应晶体管(FET)，其包含：由第一材料形成的漏极；由所述第一材料形成的源极；由纳米结构形成的沟道，所述沟道将所述源极耦合到所述漏极；以及形成于所述源极与所述漏极之间并且包围所述纳米结构的栅极。
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公开(公告)号：CN103563057B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201280026268.1
申请日：2012-06-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/31
CPC classification number: B81C1/00666 , B81C1/00952 , H01H1/0094 , H01H2001/0078
Abstract: 公开了一种制造例如MEMS或NEMS开关的机电设备的方法。该方法包括提供布置在绝缘层之上的硅层，绝缘层布置在硅衬底上；从绝缘层释放硅层的一部分，使得其至少部分地悬浮在绝缘层中的空腔之上；在至少硅层的释放部分的至少一个表面上沉积金属（例如，Pt），并且利用热工艺，利用沉积的金属完全硅化至少硅层的释放部分。该方法消除了硅化物引起的对释放Si构件的应力，因为整个Si构件都硅化了。此外，在形成完全硅化的材料之后，不使用常规的湿化学蚀刻，由此减少造成硅化物腐蚀和增加静摩擦的可能性。
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公开(公告)号：CN103855081B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310628390.2
申请日：2013-11-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
Abstract: 本发明涉及集成电路及其制造方法。在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路；以及在一条或多条导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖。或者，在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路，其中所述导电线路具有亚80纳米的间距，以及在所述导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖，其中所述保护帽盖具有在约5到15纳米之间的厚度。或者，在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路，其中所述导电线路具有亚80纳米的线路宽度，以及在所述导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖，其中所述保护帽盖具有在约5到15纳米之间的厚度。
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公开(公告)号：CN103069603A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180039400.8
申请日：2011-07-11
Applicant: 国际商业机器公司 , 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L45/1691
Abstract: 本发明的一个实例实施例示出了一种制造相变存储器单元的方法。所述方法包括在绝缘衬底内形成非亚光刻过孔。所述绝缘衬底嵌在与半导体晶片的第一金属化层（金属1）相同的层上，并包括底部和侧壁。亚光刻孔穿过所述非亚光刻过孔的所述底部形成并延伸至掩埋导电材料。用导电非相变材料填充所述亚光刻孔。此外，在所述非亚光刻过孔内沉积相变材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103026417B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201180033934.X
申请日：2011-06-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C19/00
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C11/1675
Abstract: 一种用于形成存储器器件的方法包括在衬底中形成具有波动轮廓的内表面的腔；在所述腔中沉积铁磁材料；在所述衬底上邻近所述铁磁材料的一部分形成读取元件；以及在衬底上邻近所述铁磁材料的第二部分形成写入元件。
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公开(公告)号：CN102668150B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201080053617.X
申请日：2010-11-04
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L51/001 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/0558
Abstract: 一种场效应晶体管(FET)，其包含：由第一材料形成的漏极；由所述第一材料形成的源极；由纳米结构形成的沟道，所述沟道将所述源极耦合到所述漏极；以及形成于所述源极与所述漏极之间并且包围所述纳米结构的栅极。
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公开(公告)号：CN103855081A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310628390.2
申请日：2013-11-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L21/76841 , H01L23/53209 , H01L23/53257 , H01L2221/1068 , H01L2221/1073
Abstract: 本发明涉及集成电路及其制造方法。在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路；以及在一条或多条导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖。或者，在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路，其中所述导电线路具有亚80纳米的间距，以及在所述导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖，其中所述保护帽盖具有在约5到15纳米之间的厚度。或者，在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路，其中所述导电线路具有亚80纳米的线路宽度，以及在所述导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖，其中所述保护帽盖具有在约5到15纳米之间的厚度。
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公开(公告)号：CN103563057A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280026268.1
申请日：2012-06-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/31
CPC classification number: B81C1/00666 , B81C1/00952 , H01H1/0094 , H01H2001/0078
Abstract: 本发明公开了一种制造例如MEMS或NEMS开关的机电设备的方法。该方法包括提供布置在绝缘层之上的硅层，绝缘层布置在硅衬底上；从绝缘层释放硅层的一部分，使得其至少部分地悬浮在绝缘层中的空腔之上；在至少硅层的释放部分的至少一个表面上沉积金属（例如，Pt），并且利用热工艺，利用沉积的金属完全硅化至少硅层的释放部分。该方法消除了硅化物引起的对释放Si构件的应力，因为整个Si构件都硅化了。此外，在形成完全硅化的材料之后，不使用常规的湿化学蚀刻，由此减少造成硅化物腐蚀和增加静摩擦的可能性。
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公开(公告)号：CN103026417A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180033934.X
申请日：2011-06-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C19/00
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C11/1675
Abstract: 一种用于形成存储器器件的方法包括在衬底中形成具有波动轮廓的内表面的腔；在所述腔中沉积铁磁材料；在所述衬底上邻近所述铁磁材料的一部分形成读取元件；以及在衬底上邻近所述铁磁材料的第二部分形成写入元件。
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