-
公开(公告)号：CN103348458A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280007822.1
申请日：2012-02-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/44
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/16 , H01L29/66469 , H01L29/775
Abstract: 本发明提供用于在极小结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的技术。在一个方面中，提供一种用于在具有极小尺寸的三维硅、锗或硅锗结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的方法。该方法包括以下步骤。将至少一种元素注入到该结构中。将至少一种金属沉积到该结构上。该结构被退火以在硅、锗或硅锗内散布金属以形成硅化物、锗化物或锗硅化物，其中注入的元素用于防止硅化物、锗化物或锗硅化物的形态劣化。注入的元素可以包括碳、氟和硅中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN103855081B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310628390.2
申请日：2013-11-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
Abstract: 本发明涉及集成电路及其制造方法。在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路；以及在一条或多条导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖。或者，在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路，其中所述导电线路具有亚80纳米的间距，以及在所述导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖，其中所述保护帽盖具有在约5到15纳米之间的厚度。或者，在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路，其中所述导电线路具有亚80纳米的线路宽度，以及在所述导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖，其中所述保护帽盖具有在约5到15纳米之间的厚度。
-
公开(公告)号：CN103348458B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201280007822.1
申请日：2012-02-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/44
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/16 , H01L29/66469 , H01L29/775
Abstract: 提供用于在极小结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的技术。在一个方面中，提供一种用于在具有极小尺寸的三维硅、锗或硅锗结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的方法。该方法包括以下步骤。将至少一种元素注入到该结构中。将至少一种金属沉积到该结构上。该结构被退火以在硅、锗或硅锗内散布金属以形成硅化物、锗化物或锗硅化物，其中注入的元素用于防止硅化物、锗化物或锗硅化物的形态劣化。注入的元素可以包括碳、氟和硅中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN103855081A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310628390.2
申请日：2013-11-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L21/76841 , H01L23/53209 , H01L23/53257 , H01L2221/1068 , H01L2221/1073
Abstract: 本发明涉及集成电路及其制造方法。在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路；以及在一条或多条导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖。或者，在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路，其中所述导电线路具有亚80纳米的间距，以及在所述导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖，其中所述保护帽盖具有在约5到15纳米之间的厚度。或者，在集成电路中制造导电线路包括：对过渡金属层进行构图以形成所述导电线路，其中所述导电线路具有亚80纳米的线路宽度，以及在所述导电线路当中的至少一部分上沉积保护帽盖，其中所述保护帽盖具有在约5到15纳米之间的厚度。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.016 seconds)
